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고분자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141109
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 폴리아믹산 또는 폴리이미드로부터 유도된 고분자를 제공한다. 상기 폴리아믹산으로부터 유도된 고분자 및 상기 폴리이미드로부터 유도된 고분자는 피코기공을 가지며, 상기 폴리아믹산 및 상기 폴리이미드는 아민기에 대하여 오르쏘 위치에 존재하는 적어도 하나의 작용기를 포함하는 방향족 디아민 및 디안하이드라이드로부터 제조된 반복단위를 포함한다.폴리아믹산, 폴리이미드, 피코기공, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조티아졸, 폴리피롤론, 공중합체
Int. CL C08G 73/10 (2006.01.01) C08L 79/08 (2006.01.01) C08J 5/18 (2006.01.01) C08J 5/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020090096329 (2009.10.09)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1201493-0000 (2012.11.08)
공개번호/일자 10-2010-0040269 (2010.04.19) 문서열기
공고번호/일자 (20121115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 캐나다  |   2,640,906   |   2008.10.09
미국  |   12/249,159   |   2008.10.10
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.09)
심사청구항수 36

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영무 대한민국 서울특별시 서초구
2 박호범 대한민국 서울특별시 성동구
3 정철호 대한민국 광주광역시 북구
4 한상훈 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0620607-93
2 우선권주장증명서류제출서(USPTO)
Submission of Priority Certificate(USPTO)		 2010.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2010-9000408-95
3 [우선권증명서류]서류제출서
[Certificate of Priority] Submission of Document		 2010.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-5002402-64
4 [우선권증명서류]서류제출서
[Certificate of Priority] Submission of Document		 2010.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-5002403-10
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0063865-67
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0250835-67
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0525285-81
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0618940-37
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0618941-83
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0125181-41
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0351065-07
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0445594-64
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0445593-18
15 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0630939-54
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
폴리아믹산으로부터 유도된 고분자 또는 폴리이미드로부터 유도된 고분자로서,상기 폴리아믹산으로부터 유도된 고분자 및 상기 폴리이미드로부터 유도된 고분자는 피코기공을 가지며, 상기 피코기공은 100 pm 이상 1000 pm 이하의 평균 직경을 가지는 기공이고,상기 폴리아믹산 및 상기 폴리이미드는 디안하이드라이드, 그리고 아민기에 대하여 오르쏘 위치에 존재하는 적어도 하나의 작용기를 포함하는 방향족 디아민으로부터 제조된 반복단위를 포함하고,상기 폴리아믹산은 하기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나와 하기 화학식 5 내지 화학식 8로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나로 이루어지는 공중합체, 하기 화학식 5 내지 화학식 8로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나로 이루어지는 공중합체 및 이들의 블렌드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이고,상기 폴리이미드는 하기 화학식 33 내지 화학식 36으로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나와 하기 화학식 37 내지 화학식 40으로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나로 이루어지는 공중합체, 하기 화학식 37 내지 화학식 40으로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나로 이루어지는 공중합체 및 이들의 블렌드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 고분자:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6][화학식 7][화학식 8]상기 화학식 1 내지 화학식 8에서,Ar1은 치환 또는 비치환된 4가의 C6 내지 C24 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 4가의 C4 내지 C24 헤테로 고리기에서 선택되는 방향족 고리기이고, 상기 방향족 고리기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,Ar2는 치환 또는 비치환된 2가의 C6 내지 C24 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 2가의 C4 내지 C24 헤테로 고리기에서 선택되는 방향족 고리기이고, 상기 방향족 고리기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,Q는 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, C(=O)NH, C(CH3)(CF3), 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기(여기서 치환된 페닐렌기는 C1 내지 C6 알킬기 또는 C1 내지 C6 할로알킬기로 치환된다)이고, 이때 상기 Q는 양쪽 방향족 고리와 m-m, m-p, p-m, 또는 p-p 위치로 연결되고,Y는 각각의 반복단위에서 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 OH, SH 또는 NH2이고,n은 20≤n≤200을 만족하는 정수이고,m은 10≤m≤400을 만족하는 정수이고,l은 10≤l≤400을 만족하는 정수이고,[화학식 33][화학식 34][화학식 35][화학식 36][화학식 37][화학식 38][화학식 39][화학식 40]상기 화학식 33 내지 화학식 40에서,Ar1은 치환 또는 비치환된 4가의 C6 내지 C24 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 4가의 C4 내지 C24 헤테로 고리기에서 선택되는 방향족 고리기이고, 상기 방향족 고리기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,Ar2는 치환 또는 비치환된 2가의 C6 내지 C24 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 2가의 C4 내지 C24 헤테로 고리기에서 선택되는 방향족 고리기이고, 상기 방향족 고리기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,Q는 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, C(=O)NH, C(CH3)(CF3), 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기(여기서 치환된 페닐렌기는 C1 내지 C6 알킬기 또는 C1 내지 C6 할로알킬기로 치환된다)이고, 이때 상기 Q는 양쪽 방향족 고리와 m-m, m-p, p-m, 또는 p-p 위치로 연결되고,Y는 각각의 반복단위에서 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 OH, SH 또는 NH2이고,n은 20≤n≤200을 만족하는 정수이고,m은 10≤m≤400을 만족하는 정수이고,l은 10≤l≤400을 만족하는 정수이다
2 2
제1항에 있어서,상기 피코기공은 2개 이상이 서로 연결되어 모래시계 모양(hourglass shaped)을 형성하는 것인 고분자
3 3
제1항에 있어서,상기 작용기는 OH, SH 또는 NH2를 포함하는 것인 고분자
4 4
제1항에 있어서,상기 폴리아믹산으로부터 유도되는 고분자 및 상기 폴리이미드로부터 유도되는 고분자는 0
5 5
제1항에 있어서,상기 폴리아믹산으로부터 유도되는 고분자 및 상기 폴리이미드로부터 유도되는 고분자는 XRD 측정에 의한 면간 거리가 580 pm 내지 800 pm의 범위에 있는 것인 고분자
6 6
제1항에 있어서,상기 피코기공은 양전자 소멸시간 분광분석(positron annihilation lifetime spectroscopy, PALS) 측정에 의한 반가폭(full width at half maximum, FWHM)이 10 pm 내지 40 pm의 범위에 있는 것인 고분자
7 7
제1항에 있어서,상기 폴리아믹산으로부터 유도되는 고분자 및 상기 폴리이미드로부터 유도되는 고분자는 100 m2/g 내지 1,000 m2/g의 BET 표면적을 가지는 것인 고분자
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 Ar1은 하기 식으로 표시된 것 중에서 선택되는 것인 고분자:상기 식에서,X1, X2, X3 및 X4는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, 또는 C(=O)NH이고,W1 및 W2는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 O, S, 또는 C(=O)이고,Z1은 O, S, CR1R2 또는 NR3이고, 여기서 R1, R2 및 R3는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C5 알킬기이고,Z2 및 Z3는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 N 또는 CR4(여기서, R4는 수소 또는 C1 내지 C5 알킬기이다)이나 동시에 CR4는 아니다
10 10
제9항에 있어서,상기 Ar1은 하기 식으로 표시된 것 중에서 선택되는 것인 고분자:
11 11
제1항에 있어서,상기 Ar2는 하기 식으로 표시된 것 중에서 선택되는 것인 고분자:상기 식에서,X1, X2, X3 및 X4는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, 또는 C(=O)NH이고,W1 및 W2는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 O, S, 또는 C(=O)이고,Z1은 O, S, CR1R2 또는 NR3이고, 여기서 R1, R2 및 R3는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C5 알킬기이고,Z2 및 Z3는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 N 또는 CR4(여기서, R4는 수소 또는 C1 내지 C5 알킬기이다)이나 동시에 CR4는 아니다
12 12
제11항에 있어서,상기 Ar2는 하기 식으로 표시된 것 중에서 선택되는 것인 고분자:
13 13
제1항에 있어서,상기 Q는 C(CH3)2, C(CF3)2, O, S, S(=O)2 또는 C(=O) 중에서 선택된 것인 고분자
14 14
제1항에 있어서,상기 Ar1은 하기 화학식 A, B 또는 C로 표시되는 작용기이고, 상기 Ar2는 하기 화학식 D 또는 E로 표시되는 작용기이고, 상기 Q는 C(CF3)2인 것인 고분자:[화학식 A][화학식 B][화학식 C][화학식 D][화학식 E]
15 15
제1항에 있어서,상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나와 상기 화학식 5 내지 화학식 8로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나를 포함하는 공중합체에서의 각 반복단위 사이의 몰비, 또는 상기 화학식 5 내지 화학식 8로 표시되는 반복단위에서 m:l의 몰비는 0
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
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21 21
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22 22
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23 23
제1항에 있어서,상기 화학식 33 내지 화학식 36으로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나와 하기 화학식 37 내지 화학식 40으로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나를 포함하는 공중합체에서의 각 반복단위 사이의 몰비, 또는 상기 화학식 37 내지 화학식 40으로 표시되는 반복단위에서 m:l의 몰비는 0
24 24
제1항에 있어서,상기 폴리아믹산으로부터 유도되는 고분자 및 상기 폴리이미드로부터 유도되는 고분자는 하기 화학식 19 내지 화학식 25로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나와 하기 화학식 26 내지 32로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나로 이루어지는 공중합체, 하기 화학식 26 내지 화학식 32로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나로 이루어지는 공중합체 및 이들의 블렌드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 고분자:[화학식 19][화학식 20][화학식 21][화학식 22][화학식 23][화학식 24][화학식 25][화학식 26][화학식 27][화학식 28][화학식 29][화학식 30][화학식 31][화학식 32]상기 화학식 19 내지 화학식 32에서,Ar1은 치환 또는 비치환된 4가의 C6 내지 C24 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 4가의 C4 내지 C24 헤테로 고리기에서 선택되는 방향족 고리기이고, 상기 방향족 고리기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,Ar1'' 및 Ar2는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 2가의 C6 내지 C24 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 2가의 C4 내지 C24 헤테로 고리기에서 선택되는 방향족 고리기이고, 상기 방향족 고리기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,Q는 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, C(=O)NH, C(CH3)(CF3), 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기(여기서 치환된 페닐렌기는 C1 내지 C6 알킬기 또는 C1 내지 C6 할로알킬기로 치환된다)이고, 이때 상기 Q는 양쪽 방향족 고리와 m-m, m-p, p-m, 또는 p-p 위치로 연결되고,Y''''는 O 또는 S 이고,n은 20≤n≤200을 만족하는 정수이고,m은 10≤m≤400을 만족하는 정수이고,l은 10≤l≤400을 만족하는 정수이다
25 25
제24항에 있어서,상기 Ar1은 하기 식으로 표시된 것 중에서 선택되는 것인 고분자:상기 식에서,X1, X2, X3 및 X4는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, 또는 C(=O)NH이고,W1 및 W2는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 O, S, 또는 C(=O)이고,Z1은 O, S, CR1R2 또는 NR3이고, 여기서 R1, R2 및 R3는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C5 알킬기이고,Z2 및 Z3는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 N 또는 CR4(여기서, R4는 수소 또는 C1 내지 C5 알킬기이다)이나 동시에 CR4는 아니다
26 26
제25항에 있어서, 상기 Ar1은 하기 식으로 표시된 것 중에서 선택되는 것인 고분자:
27 27
제24항에 있어서,상기 Ar1'' 및 Ar2는 하기 식으로 표시된 것 중에서 선택되는 것인 고분자:상기 식에서,X1, X2, X3 및 X4는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, 또는 C(=O)NH이고,W1 및 W2는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 O, S, 또는 C(=O)이고,Z1은 O, S, CR1R2 또는 NR3이고, 여기서 R1, R2 및 R3는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C5 알킬기이고,Z2 및 Z3는 동일하거나 서로 상이하며 각각 독립적으로 N 또는 CR4(여기서, R4는 수소 또는 C1 내지 C5 알킬기이다)이나 동시에 CR4는 아니다
28 28
제27항에 있어서,상기 Ar1'' 및 Ar2는 하기 식으로 표시된 것 중에서 선택되는 것인 고분자:
29 29
제24항에 있어서,상기 Q는 C(CH3)2, C(CF3)2, O, S, S(=O)2 또는 C(=O) 중에서 선택된 것인 고분자
30 30
제24항에 있어서,상기 Ar1은 하기 화학식 A, B 또는 C로 표시되는 작용기이고, 상기 Ar1''는 하기 화학식 F, G 또는 H로 표시되는 작용기이고, 상기 Ar2는 하기 화학식 D또는 E로 표시되는 작용기이고, 상기 Q는 C(CF3)2인 것인 고분자:[화학식 A][화학식 B][화학식 C][화학식 D][화학식 E][화학식 F][화학식 G][화학식 H]
31 31
제1항에 있어서,상기 고분자는 10,000 내지 200,000의 중량평균 분자량(Mw)을 가지는 것인 고분자
32 32
제1항에 있어서,상기 고분자는 산 도펀트로 도핑된 것인 고분자
33 33
제32항에 있어서,상기 산 도펀트는 황산(sulfuric acid), 염산(hydrochloric acid), 인산(phosphoric acid), 질산(nitric acid), HBrO3, HClO4, HPF6, HBF6, 1-메틸-3-메틸이미다졸륨 양이온(1-methyl-3-methylimidazolium cation, BMIM+) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 고분자
34 34
제1항에 있어서,상기 고분자는 건식 실리카(fumed silica), 지르코늄 산화물(zirconium oxide), 테트라에톡시실란(tetraethoxy silane), 몬모릴로나이트 점토(montmorillonite clay) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제를 더 포함하는 것인 고분자
35 35
제1항에 있어서,상기 고분자는 포스포텅스텐산(phosphotungstic acid, PWA), 포스포몰리브덴산(phosphomolybdic acid), 실리코텅스텐산(silicotungstic acid, SiWA), 몰리브도인산(molybdophosphoric acid), 실리코몰리브덴산(silicomolybdic acid), 포스포틴산(phosphotin acid), 지르코늄 포스페이트(zirconium phosphate, ZrP) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 무기 충전재를 더 포함하는 것인 고분자
36 36
폴리아믹산을 이미드화하여 폴리이미드를 얻는 단계; 및상기 폴리이미드를 열처리하는 단계를 포함하는 고분자의 제조방법으로서,상기 폴리아믹산은 디안하이드라이드, 그리고 아민기에 대하여 오르쏘 위치에 존재하는 적어도 하나의 작용기를 포함하는 방향족 디아민으로부터 제조된 반복단위를 포함하고,상기 고분자는 피코기공을 포함하며, 상기 피코기공은 100 pm 이상 1000 pm 이하의 평균 직경을 가지는 기공이고,상기 폴리아믹산은 하기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나와 하기 화학식 5 내지 화학식 8로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나로 이루어지는 공중합체, 하기 화학식 5 내지 화학식 8로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나로 이루어지는 공중합체 및 이들의 블렌드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 고분자의 제조방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6][화학식 7][화학식 8]상기 화학식 1 내지 화학식 8에서,Ar1은 치환 또는 비치환된 4가의 C6 내지 C24 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 4가의 C4 내지 C24 헤테로 고리기에서 선택되는 방향족 고리기이고, 상기 방향족 고리기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,Ar2는 치환 또는 비치환된 2가의 C6 내지 C24 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 2가의 C4 내지 C24 헤테로 고리기에서 선택되는 방향족 고리기이고, 상기 방향족 고리기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,Q는 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, C(=O)NH, C(CH3)(CF3), 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기(여기서 치환된 페닐렌기는 C1 내지 C6 알킬기 또는 C1 내지 C6 할로알킬기로 치환된다)이고, 이때 상기 Q는 양쪽 방향족 고리와 m-m, m-p, p-m, 또는 p-p 위치로 연결되고,Y는 각각의 반복단위에서 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 OH, SH 또는 NH2이고,n은 20≤n≤200을 만족하는 정수이고,m은 10≤m≤400을 만족하는 정수이고,l은 10≤l≤400을 만족하는 정수이다
37 37
제36항에 있어서,상기 열처리는 1 내지 30 ℃/min의 승온 속도로 350 내지 500℃까지 승온하고, 그 온도로 비활성 분위기 하에서 1분 내지 12시간 동안 수행하는 것인 고분자의 제조방법
38 38
제37항에 있어서,상기 열처리는 5 내지 20 ℃/min의 승온 속도로 350 내지 450℃까지 승온하고, 그 온도로 비활성 분위기 하에서 1시간 내지 6시간 동안 수행하는 것인 고분자의 제조방법
39 39
폴리이미드를 열처리하는 단계를 포함하는 고분자의 제조방법으로서,상기 폴리이미드는 디안하이드라이드, 그리고 아민기에 대하여 오르쏘 위치에 존재하는 적어도 하나의 작용기를 포함하는 방향족 디아민으로부터 제조된 반복단위를 포함하고,상기 고분자는 피코기공을 포함하며, 상기 피코기공은 100 pm 이상 1000 pm 이하의 평균 직경을 가지는 기공이고,상기 폴리이미드는 하기 화학식 33 내지 화학식 36으로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나와 하기 화학식 37 내지 화학식 40으로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나로 이루어지는 공중합체, 하기 화학식 37 내지 화학식 40으로 표시되는 반복단위 중 적어도 하나로 이루어지는 공중합체 및 이들의 블렌드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 고분자의 제조방법:[화학식 33][화학식 34][화학식 35][화학식 36][화학식 37][화학식 38][화학식 39][화학식 40]상기 화학식 33 내지 화학식 40에서,Ar1은 치환 또는 비치환된 4가의 C6 내지 C24 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 4가의 C4 내지 C24 헤테로 고리기에서 선택되는 방향족 고리기이고, 상기 방향족 고리기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,Ar2는 치환 또는 비치환된 2가의 C6 내지 C24 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 2가의 C4 내지 C24 헤테로 고리기에서 선택되는 방향족 고리기이고, 상기 방향족 고리기는 단독으로 존재하거나; 2개 이상이 서로 접합되어 축합 고리를 형성하거나; 2개 이상이 단일결합, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2 또는 C(=O)NH의 작용기에 의해 연결되어 있고,Q는 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p(여기서, 1≤p≤10), (CF2)q(여기서, 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, C(=O)NH, C(CH3)(CF3), 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기(여기서 치환된 페닐렌기는 C1 내지 C6 알킬기 또는 C1 내지 C6 할로알킬기로 치환된다)이고, 이때 상기 Q는 양쪽 방향족 고리와 m-m, m-p, p-m, 또는 p-p 위치로 연결되고,Y는 각각의 반복단위에서 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 OH, SH 또는 NH2이고,n은 20≤n≤200을 만족하는 정수이고,m은 10≤m≤400을 만족하는 정수이고,l은 10≤l≤400을 만족하는 정수이다
40 40
제39항에 있어서,상기 열처리는 1 내지 30 ℃/min의 승온 속도로 350 내지 500℃까지 승온하고, 그 온도로 비활성 분위기 하에서 1분 내지 12시간 동안 수행하는 것인 고분자의 제조방법
41 41
제40항에 있어서,상기 열처리는 5 내지 20 ℃/min의 승온 속도로 350 내지 450℃까지 승온하고, 그 온도로 비활성 분위기 하에서 1시간 내지 6시간 동안 수행하는 것인 고분자의 제조방법
42 42
제1항 내지 제7항, 제9항 내지 제15항 및 제23항 내지 제35항 중 어느 한 항에 따른 고분자를 포함하는 성형품(article)
43 43
제42항에 있어서,상기 성형품은 시트, 필름, 파우더, 막 또는 파이버(fiber)인 것인 성형품
44 44
제42항에 있어서,상기 성형품은 피코기공을 가지며,상기 피코기공은 2개 이상 서로 3차원적으로 연결되어 3차원 네트워크 구조를 형성하고, 상기 3차원 네트워크 구조는 연결부위가 좁은 골을 형성하는 모래시계 모양(hourglass shaped)의 구조인 것인 성형품
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5 JP24505287 JP 일본 FAMILY
6 US08013103 US 미국 FAMILY
7 US08232367 US 미국 FAMILY
8 US08487064 US 미국 FAMILY
9 US20100099804 US 미국 FAMILY
10 US20110230605 US 미국 FAMILY
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12 US20110306687 US 미국 FAMILY
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4 CA2740140 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
5 CN102203168 CN 중국 DOCDBFAMILY
6 CN102203168 CN 중국 DOCDBFAMILY
7 EP2345685 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
8 EP2345685 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
9 EP2345685 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
10 JP2012505287 JP 일본 DOCDBFAMILY
11 JP5551706 JP 일본 DOCDBFAMILY
12 MX2011003617 MX 멕시코 DOCDBFAMILY
13 RU2011116292 RU 러시아 DOCDBFAMILY
14 RU2478108 RU 러시아 DOCDBFAMILY
15 RU2478108 RU 러시아 DOCDBFAMILY
16 US2010099804 US 미국 DOCDBFAMILY
17 US2011269857 US 미국 DOCDBFAMILY
18 US8013103 US 미국 DOCDBFAMILY
19 WO2010041909 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
20 WO2010041909 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 과학기술부 과학기술부(한국에너지기술연구원) 특정연구개발사업(21세기프론티어연구개발사업) 이산화탄소 회수용 고효율 막분리 시스템 개발