맞춤기술찾기

이전대상기술

질소의 확산을 이용하는 동종접합 광소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141126
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 동종접합을 이루는 광소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 기판 상에 질소공급층을 형성하고, 질소공급층 상부에 나노로드를 형성한다. 나노로드는 n형의 전도형을 가지도록 형성된다. 제조과정에서 열처리가 수행되면, 질소공급층의 질소는 이탈하여 나노로드로 확산된다. 질소의 확산을 통해 n형의 나노로드의 일부는 p형의 전도형으로 개질된다. 또한, 질소공급층은 질소의 이탈에 의해 금속재질의 하부 전극으로 개질된다. 질소의 확산에 의해 나노로드는 동종의 p-n 접합으로 형성되고, 발광 다이오드 또는 태양전지의 기능을 수행할 수 있다.광소자, 발광 다이오드, 태양전지, 동종접합
Int. CL H01L 33/08 (2010.01.01) H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/08(2013.01) H01L 33/08(2013.01) H01L 33/08(2013.01)
출원번호/일자 1020090097834 (2009.10.14)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1625226-0000 (2016.05.23)
공개번호/일자 10-2011-0040527 (2011.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20160530) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.17)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍진표 대한민국 서울특별시 성동구
2 이종현 대한민국 서울특별시 강동구
3 남혜원 대한민국 경기도 안양시 동안구
4 이상효 대한민국 경기도 성남시 중원구
5 이준석 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0630164-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0879750-72
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0043189-25
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0002934-67
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0212082-40
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0212104-67
10 등록결정서
Decision to grant
2016.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0346749-95
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 질소공급층;상기 질소 공급층 상에 형성된 하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 나노로드; 및상기 나노로드 상에 형성된 상부전극을 포함하고,상기 나노로드는 상기 질소공급층으로부터 질소의 확산에 의해 일부가 p형의 나노로드로 개질되고, 상기 하부전극은 상기 질소의 확산에 따라 잔류하는 금속에 의해 상기 질소공급층의 일부가 개질된 것을 특징으로 하는 광소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 질소공급층은 WN, AlN 또는 InN를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 하부전극 상부에는 씨드층이 형성되고, 상기 씨드층은 ZnO, CoO 또는 CuO를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노로드는,상기 질소공급층으로부터 확산된 상기 질소에 의해 개질된 p형 나노로드;질소의 확산의 영향이 배제되고, 상기 상부전극 하부에 접촉되는 n형 나노로드; 및상기 p형 나노로드와 상기 n형 나노로드 사이에 형성된 공핍영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
6 6
기판 상에 질소 공급층을 형성하는 단계;상기 질소 공급층 상부에 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 상에 나노로드를 형성하는 단계;상기 질소 공급층을 열처리하여 상기 질소 공급층의 질소를 상기 나노로드로 확산시켜, n형의 나노로드를 p형의 나노로드로 개질하고, 상기 질소가 확산된 질소 공급층은 하부 전극으로 개질하는 단계; 및상기 나노로드 상부에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 광소자의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 열처리는 500℃ 내지 700℃의 온도로 질소분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 나노로드의 형성은 수계합성법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.