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절연체 기판 위에 박막결정 성장을 통하여 에피웨이퍼(Epi-Wafer)를 형성하는 단계; 및레이저 마킹(laser marking) 기술을 이용하여 상기 에피웨이퍼 상에 ISO(isolation) 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 LED 웨이퍼의 ISO 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 레이저 마킹 기술은,CO2 레이저를 이용하는 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼의 ISO 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 ISO 패턴을 형성하는 단계는,상기 ISO 패턴 상에 p전극과 n전극으로 이루어진 전극 패턴을 형성하는 단계; 및상기 전극 패턴에 컨택트(contact) 물질인 인듐 볼(indium ball)을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전극 패턴을 형성하는 단계는,n형 반도체가 표면으로 노출되도록 홀을 형성하여 n전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼의 ISO 패턴 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 홀의 반경은,상기 ISO 패턴 크기의 1/2에 해당되는 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼의 ISO 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 ISO 패턴을 형성하는 단계는,상기 ISO 패턴에 대한 전기적 격리를 위해 상기 레이저 마킹 기술을 이용하여 상기 절연체 기판까지의 깊이로 가공을 하는 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼의 ISO 패턴 형성 방법
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절연체 기판 위에 박막결정 성장을 통하여 형성된 에피웨이퍼에 레이저 마킹 기술을 이용하여 ISO 패턴을 형성하는 레이저 가공부; 및상기 ISO 패턴이 형성된 상기 에피웨이퍼에 전류를 인가하여 상기 에피웨이퍼의 전기광학특성(Electroluminescence)을 측정하는 전기광학 측정부를 포함하는 LED 웨이퍼의 전기광학특성 측정 시스템
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제6항에 있어서,상기 레이저 가공부는,상기 에피웨이퍼에 상기 ISO 패턴을 형성하고, 상기 ISO 패턴 상에 n전극을 형성하기 위한 홀과, p전극과 상기 n전극으로 이루어진 전극 패턴을 형성하기 위한 CO2 레이저;상기 CO2 레이저를 작동하는 레이저 스캐너; 및상기 에피웨이퍼와 상기 CO2 레이저의 초점 거리(focal length)를 유지하는 웨이퍼 다이(wafer die)를 포함하는 LED 웨이퍼의 전기광학특성 측정 시스템
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제7항에 있어서,상기 레이저 가공부는,상기 ISO 패턴에 대한 전기적 격리를 위해 상기 레이저 마킹 기술을 이용하여 상기 절연체 기판까지의 깊이로 가공을 하고,상기 홀의 반경을 상기 ISO 패턴 크기의 1/2로 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼의 전기광학특성 측정 시스템
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제7항에 있어서,상기 레이저 가공부는,상기 전극 패턴 및 상기 홀과 상기 에피웨이퍼 사이의 접착을 위해 상기 에피웨이퍼를 가열하는 핫 플레이트(hot plate)를 더 포함하는 LED 웨이퍼의 전기광학특성 측정 시스템
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제7항에 있어서,상기 전기광학특성 측정 시스템은,상기 레이저 가공부를 제어하는 레이저 스캐너 제어부를 더 포함하고,상기 레이저 스캐너 제어부는,상기 ISO 패턴을 디자인하기 위하여 PC 기반의 CAD(Computer Aided Design) 프로그램이 탑재되는 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼의 전기광학특성 측정 시스템
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제7항에 있어서,상기 전기광학 측정부는,상기 전극 패턴에 형성된 인듐 볼을 컨택트 물질로 이용하여, 전류-전압 특성, 2차원 광분포(spectrum) 특성, 정전용량-전압 특성, 내부양자효율(Internal Quantum Efficiency), 표면저항(Sheet Resistance), 상기 ISO 패턴의 크기 또는 모양에 따른 누설전류 중 적어도 하나의 전기광학특성을 측정하는 것을 특징으로 하는 LED 웨이퍼의 전기광학특성 측정 시스템
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