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양극, 그 제조방법 및 이를 채용한 리튬전지
- 기술번호 : KST2015141234
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 집전체; 및 상기 집전체 상에 배치된 양극활물질층을 포함하며, 상기 양극활물질층이 스피넬구조를 가지는 리튬전이금속산화물, 도전재 및 바인더를 포함하며, 상기 양극활물질층 표면의 적어도 일부가 불소화된(fluorinated) 양극, 그 제조방법 및 이를 채용한 리튬전지가 제시된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01M 4/131 (2010.01.01) H01M 4/505 (2010.01.01) H01M 4/525 (2010.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020100095965 (2010.10.01) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1228115-0000 (2013.01.24) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0034414 (2012.04.12) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130201) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.10.01) |
| 심사청구항수 | 15 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 송민상 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 2 | 김한수 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 3 | 최재만 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
| 4 | 권문석 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
| 5 | 백운규 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
| 6 | 송태섭 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
| 2 | 한양대학교 산학협력단 | 서울특별시 성동구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.10.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0636645-50 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.07.26 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0066863-25 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.05.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0300390-93 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.07.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0550864-27 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.07.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0550863-82 |
| 8 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2012.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0730678-55 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.12.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1085861-39 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2012.12.27 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-1085862-85 |
| 11 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2013.01.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0022027-25 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 집전체; 및 상기 집전체 상에 배치된 양극활물질층을 포함하며,상기 양극활물질층이 스피넬구조를 가지는 리튬전이금속산화물, 도전재 및 바인더를 포함하며,상기 양극활물질층 표면의 적어도 일부가 불소화되며(fluorinated),상기 스피넬구조를 가지는 리튬전이금속산화물이 하기 화학식 1로 표시되는 양극:003c#화학식 1003e#LixMn2-y-zNiyMzO4-nXn상기 식에서, 0 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 스피넬구조를 가지는 리튬전이금속산화물 및 도전재의 표면이 불소화된 양극 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 스피넬구조를 가지는 리튬전이금속산화물이 LiNi0 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 스피넬구조를 가지는 리튬전이금속산화물의 평균작동전위가 4 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 스피넬구조를 가지는 리튬전이금속산화물의 평균입경이 20nm 내지 10㎛인 양극 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 도전재가 카본블랙, 흑연미립자, 천연흑연, 인조흑연, 아세틸렌블랙, 케첸블랙, 탄소섬유; 탄소나노튜브, 금속분말, 금속섬유, 금속튜브 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 양극 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 도전재의 평균입경이 5nm 내지 500nm인 양극 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 양극활물질층 표면이 불소 원자로 완전히 피복된 양극 |
| 10 |
10 집전체 상에 양극활물질층을 형성시키는 단계; 및상기 양극활물질층의 표면을 불소화시키는 단계;를 포함하며,상기 양극활물질층이 스피넬구조를 가지는 리튬전이금속산화물, 도전재 및 바인더를 포함하는 양극제조방법 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 불소화가 상기 양극활물질층 표면을 불소원자를 포함하는 가스와 접촉시킴에 의하여 수행되는 양극제조방법 |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서, 상기 불소화가 0 내지 100℃의 온도에서 수행되는 양극제조방법 |
| 13 |
13 제 10 항에 있어서, 상기 스피넬구조를 가지는 리튬전이금속산화물이 하기 화학식 1로 표시되는 양극제조방법:003c#화학식 1003e#LixMn2-y-zNiyMzO4-nXn상기 식에서, 0 |
| 14 |
14 제 10 항에 있어서, 상기 스피넬구조를 가지는 리튬전이금속산화물이 LiNi0 |
| 15 |
15 제 10 항에 있어서, 상기 도전재가 카본블랙, 흑연미립자, 천연흑연, 인조흑연, 아세틸렌블랙, 케첸블랙, 탄소섬유; 탄소나노튜브, 금속분말, 금속섬유, 금속튜브 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 양극제조방법 |
| 16 |
16 제 1 항 내지 제 2 항 및 제 4 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 양극을 채용한 리튬전지 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP02437337 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 2 | EP02437337 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 3 | US09070931 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | US20120082877 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP2437337 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 2 | EP2437337 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 3 | US2012082877 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 4 | US9070931 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1228115-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20101001 출원 번호 : 1020100095965 공고 연월일 : 20130201 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130111 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01M 4/131 발명의 명칭 : 양극, 그 제조방법 및 이를 채용한 리튬전지 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 630,000 원 | 2013년 01월 25일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2015년 12월 17일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2016년 12월 19일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2017년 12월 19일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2018년 12월 20일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2019년 12월 17일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.10.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0636645-50 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.07.26 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0066863-25 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2012.05.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0300390-93 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.07.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0550864-27 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.07.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0550863-82 |
| 8 | 거절결정서 | 2012.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0730678-55 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.12.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1085861-39 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2012.12.27 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-1085862-85 |
| 11 | 등록결정서 | 2013.01.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0022027-25 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345136348 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2008 |
| 연구과제명 | 나노기반 Imagineer 양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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