| 1 |
1
제1 강자성 물질을 주 원소로 하는 강자성층; 및상기 강자성층 상에 위치하는 전도성 산화물층을 포함하되,상기 강자성층 및 상기 전도성 산화물층이 교대로 반복적으로 적층된 다층박막인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 강자성 다층박막
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 강자성 물질은 Co, Fe 또는 CoFe 기반 합금인 것을 특징으로 하는 강자성 다층박막
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 전도성 산화물층은 In2O3, ITO, GaZnO, InZnO, InGaZnO, 2CdO-PbO2, AgSbO3 및 2CdO-CeO2로 구성된 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 강자성 다층박막
|
| 4 |
4
수직자기이방성을 갖는 고정층;상기 고정층 상에 위치하는 터널링 배리어층; 및상기 터널링 배리어층 상에 위치하고, 수직자기이방성을 갖는 자유층을 포함하되,상기 고정층 및 자유층 중 적어도 어느 하나의 층은 제1 강자성 물질을 주 원소로 하는 강자성층과 전도성 산화물층이 교대로 반복적으로 적층된 강자성 다층박막인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 강자성 다층박막은 Co, Fe 또는 CoFe 기반 합금을 포함하는 강자성층과 전도성 산화물층이 교대로 반복적으로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 터널링 배리어층은 MgO를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
|
| 7 |
7
제4항에 있어서,상기 전도성 산화물층은 In2O3, ITO, GaZnO, InZnO, InGaO3(ZnO), 2CdO-PbO2, AgSbO3 및 2CdO-CeO2로 구성된 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
|
| 8 |
8
복수개의 디짓 라인들;상기 디짓 라인들의 상부를 가로지르는 복수개의 비트 라인들; 및상기 디짓 라인과 상기 비트 라인 사이에 개재된 자기 터널 접합을 포함하되,상기 자기 터널 접합은 수직자기이방성을 갖는 고정층, 상기 고정층 상에 위치하는 터널링 배리어층 및 상기 터널링 배리어층 상에 위치하고, 수직자기이방성을 갖는 자유층을 포함하되, 상기 고정층 및 자유층 중 적어도 어느 하나의 층은 제1 강자성 물질을 주 원소로 하는 강자성층과 전도성 산화물층이 교대로 반복적으로 적층된 강자성 다층박막인 것을 특징으로 하는 자성소자
|
