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자기터널접합을 위한 구조로서:제1수직자기이방성층;제2수직자기이방성층; 및상기 제1 및 제2 수직자기이방성층 사이에 개재된 커플링층;을 포함하고,상기 커플링층은 적어도 하나의 금속산화층을 포함하는 것인, 자기터널접합을 위한 구조
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청구항 1에 있어서,상기 금속산화층은 RuOx인, 자기터널접합을 위한 구조
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청구항 1에 있어서,상기 커플링층은 금속산화층/금속층/금속산화층의 적층구조를 가지는 것인, 자기터널접합을 위한 구조
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청구항 3에 있어서,상기 커플링층은 RuOx/Ru/RuOx의 적층구조인, 자기터널접합을 위한 구조
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5
청구항 1에 있어서,상기 커플링층은 금속층/금속산화층/금속층의 적층구조를 가지는 것인, 자기터널접합을 위한 구조
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6
청구항 5에 있어서,상기 커플링층은 Ru/RuOx/Ru인, 자기터널접합을 위한 구조
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7
청구항 1에 있어서,상기 커플링층은 CaRuOx인, 자기터널접합을 위한 구조
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상기 청구항 1 내지 청구항 7의 자기터널접합을 위한 구조 중 어느 하나를 고정층으로 포함하는 자기터널접합
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상기 청구항 8의 자기터널접합을 포함하는 자기 메모리
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