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무기물 완충층을 포함하는 유기발광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141334
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 효율을 높이고 제조시간을 단축하여 제조비용을 낮출 수 있는 유기발광소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 유기발광소자가 제시되어 있다. 본 발명의 한 측면에 따르면, 무기물을 열증착 한 후 산화 과정을 거침으로써 무기물 완충층을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법이 제시되어 있다.유기발광소자, 무기물 완충층, NiO 박막
Int. CL H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01)
출원번호/일자 1020050091762 (2005.09.30)
출원인 한양대학교 산학협력단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0036835 (2007.04.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 추동철 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0553967-15
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-5013372-12
3 대리인변경신고서
Agent change Notification
2006.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0183504-01
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.10.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.11.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0075901-11
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0685858-24
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0061201-89
8 의견서
Written Opinion
2007.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0114391-66
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.02.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0114393-57
10 대리인변경신고서
Agent change Notification
2007.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0294254-96
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0342462-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
무기물을 열증착 한 후 산화 과정을 거침으로써 무기물 완충층을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 1) 기판 위에 양극을 형성하는 단계;2) 상기 양극 위에 무기물을 열증착 한 후 산화 과정을 거침으로써 무기물 완충층을 형성하는 단계;3) 상기 무기물 박막층 위에 정공수송층을 형성하는 단계;4) 상기 정공수송층 위에 발광층을 형성하는 단계;5) 상기 발광층 위에 전자주입층을 형성하는 단계; 및,6) 상기 전자주입층 위에 음극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 무기물은 Ni, Zn 및 Mg 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 무기물인 유기발광소자의 제조방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화 과정은 550℃ ~ 600℃의 온도에서 수행하는 유기발광소자의 제조방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 무기물 완충층의 두께는 5 ~ 10 nm로 형성하는 유기발광소자의 제조방법
6 6
제1항 또는 제2항의 방법에 의하여 제조된 유기발광소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07622864 US 미국 FAMILY
2 US20070075637 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2007075637 US 미국 DOCDBFAMILY
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