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초기 단차 제거용 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법

  • 기술번호 : KST2015141521
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초기 단차 제거용 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 초기 단차 제거용 연마 슬러리는, 연마 입자의 표면이 (+) 전하를 갖도록 분산된 것으로서, 산화규소막의 높은 연마 속도를 가지며, 본 발명의 초기 단차 제거용 연마 슬러리를 사용하여 연마 공정을 수행하면, 고단차 영역에서는 높은 연마속도를 가지며, 저단차 영역에서는 낮은 연마속도를 가져 STI CMP (shallow trench isolation chemical mechanical polishing) 초기 단차 제거에 효과적일 수 있다.
Int. CL C09G 1/02 (2006.01.01) C09K 3/14 (2006.01.01) H01L 21/3105 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01)
CPC C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020120066091 (2012.06.20)
출원인 한양대학교 산학협력단, 주식회사 케이씨
등록번호/일자 10-1396252-0000 (2014.05.12)
공개번호/일자 10-2013-0142679 (2013.12.30) 문서열기
공고번호/일자 (20140519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.20)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 케이씨 대한민국 경기도 안성시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백운규 대한민국 서울 강남구
2 서지훈 대한민국 서울 성동구
3 배재영 대한민국 경기 용인시 기흥구
4 한명훈 대한민국 경기 수원시 영통구
5 김정윤 대한민국 경기 안성시
6 최낙현 대한민국 경기 안성시
7 정기화 대한민국 경기 안성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
2 주식회사 케이씨텍 경기도 안성시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0490272-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0047644-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0751950-41
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1123205-24
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-1123204-89
7 등록결정서
Decision to grant
2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0298299-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5070900-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5176182-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5246687-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면전하가 (+)가 되도록 분산된 연마 입자; 및1개 이상의 아민기 및 1개 이상의 카르복실기를 포함하는 분산제;를 포함하고,상기 분산제는, 글루타민(glutamine), 베타인(betaine), 프롤린(proline), 파이로글루타민산(pyroglutamic acid) 및 아미노 부티르산(amino butyric acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
2 2
제1항에 있어서, 상기 아민기는, 연마 시, 연마면의 산화막 표면에의 흡착력을 증대시키는 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
3 3
제1항에 있어서,상기 카르복실기는, 상기 연마 입자의 표면과 반응하여 상기 초기 단차 제거용 연마 슬러리의 분산성을 증대시키는 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 초기 단차 제거용 분산제는, 상기 초기 단차 제거용 연마 슬러리 중 0
6 6
제1항에 있어서,수용성 비이온성 분산제를 더 포함하는 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
7 7
제6항에 있어서,상기 수용성 비이온성 분산제는, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드 및 폴리에틸렌옥사이드-프로필렌옥사이드 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나이고, 상기 초기 단차 제거용 연마 슬러리 중 0
8 8
제1항에 있어서,암모늄나이트레이트, 암모늄포스페이트, 암모늄아세테이트, 암모늄클로라이드, 암모늄설페이트, 암모늄포메이트, 암모늄카르보네이트 및 암모늄사이트레이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 암모늄염을 더 포함하는 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
9 9
제1항에 있어서,상기 초기 단차 제거용 연마 슬러리 중 2차 입자의 평균입경이 30 nm 내지 300 nm인 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
10 10
제1항에 있어서,상기 초기 단차 제거용 연마 슬러리는, pH가 3 내지 8인 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
11 11
제1항에 있어서, 상기 초기 단차 제거용 연마 슬러리 표면의 제타전위가 +25 mV 내지 +80 mV 인 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
12 12
제1항에 있어서,고단차 영역 연마율이 5000 Å/min 이상인 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
13 13
제1항에 있어서,저단차 영역 연마율이 1000 Å/min 이하인 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
14 14
제1항에 있어서,고단차 영역과 저단차 영역의 연마 선택비가 4
15 15
제1항에 있어서,패턴 밀도 (100/50), (100/100), (100/300), (300/50), (300/100) 및 (300/300)의 6가지 패턴에 대한 연마의 고단차 영역과 저단차 영역의 평균 연마 선택비가 4
16 16
제15항에 있어서,고단차 영역과 저단차 영역의 연마 선택비 표준편차가 10 이하인 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
17 17
제1항에 있어서,웨이퍼 연마 시, 상기 웨이퍼의 중심 및 가장자리의 두께 편차가 약 500 Å이하인 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
18 18
제17항에 있어서,상기 웨이퍼 연마는, 패턴 밀도 (100/50), (100/100), (100/300), (300/50), (300/100) 및 (300/300)의 6가지 패턴 웨이퍼 연마인 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
19 19
제1항에 있어서,웨이퍼 연마 시, 웨이퍼 중심과 가장 자리의 연마율 차이가 1000 Å/min 이하인 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
20 20
제1항에 있어서,상기 연마 입자는,세리아 입자, 실리카 입자, 알루미나 입자, 지르코니아 입자, 티타니아 입자 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 금속산화물 입자;스티렌계 중합체 입자, 아크릴계 중합체 입자, 폴리염화비닐 입자, 폴리아미드 입자, 폴리카보네이트 입자, 폴리이미드 입자 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 유기 입자; 및상기 금속산화물과 유기 입자를 복합하여 형성한 유기-무기 복합 입자;를 포함하는, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
21 21
제 1 항에 있어서,상기 연마 입자는, 액상법에 의해 제조된 것을 포함하는 것인, 초기 단차 제거용 연마 슬러리
22 22
제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제21항 중 어느 한 항의 초기 단차 제거용 연마 슬러리를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.