맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

정전분무 슬러리 증착 공정을 이용한 내플라즈마 세라믹층 형성방법 및 이를 이용한 리프트 핀의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141553
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고밀도 플라즈마 공정이 수행되는 장비에 사용되는 알루미나 소결체로 이루어진 부품에 내플라즈마성이 우수한 세라믹 층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 알루미나 분말과 세라믹 분말의 혼합 분말을 포함하는 제1 슬러리 조성물로 중간층을 형성하는 단계, 세라믹 분말을 포함하는 제2 슬러리 조성물로 세라믹층을 형성하는 단계 및 상기 중간층과 세라믹 층을 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01)
출원번호/일자 1020120119556 (2012.10.26)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1419707-0000 (2014.07.09)
공개번호/일자 10-2014-0053526 (2014.05.08) 문서열기
공고번호/일자 (20140716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.26)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신동욱 대한민국 경기 성남시 분당구
2 박종훈 대한민국 경기 오산시 남부대로 *-
3 박인유 대한민국 서울 양천구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0875228-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2013-0091876-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0873535-34
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0145027-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0252811-86
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0252798-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0461867-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 알루미나 분말과 세라믹 분말의 혼합 분말을 포함하는 제1 슬러리 조성물과 세라믹 분말을 포함하는 제2 슬러리 조성물을 각각 제조하는 단계;(b) 상기 제1 슬러리 조성물을 알루미나 소결체 상에 정전 분무 방법으로 분무하여 중간층을 형성하는 단계;(c) 상기 알루미나 소결체 상에 상기 중간층을 형성한 후에 제2 슬러리 조성물을 정전 분무 방법으로 분무하여 세라믹층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 중간층 및 세라믹 층을 소결하는 단계;를 포함하고,상기 제1 슬러리 조성물은 알콜과 유기 용매의 혼합 용매에 상기 알루미나 분말과 세라믹 분말 및 폴리비닐부티랄을 혼합하여 제조하고,상기 제2 슬러리 조성물은 알콜과 유기 용매의 혼합 용매에 상기 세라믹 분말과 폴리비닐부티랄을 혼합하여 제조한 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹층 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 세라믹 분말은 이트리아(Y2O3), 지르코니아(ZrO2), YSZ(yittria stabilized zirconia), 실리콘 카바이드(SiC), 질화 규소(Si3N4) 및 질화 알루미늄(AlN) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹층 형성방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 (b) 단계와 (c) 단계의 정전 분무 방법은 상기 제1 슬러리 조성물과 제2 슬러리 조성물 각각을 시린지 펌프를 이용하여 노즐로 이송한 후 분무하여 수행하고,상기 슬러리 유량은 1-20 mL/h으로 하고, 상기 알루미나 가압 성형체와 노즐간의 이격거리는 2-15 cm이며, 증착 시간은 5-100 분이고, 인가 전압은 2-20 kV인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹층 형성방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (d) 단계에서 중간층 및 세라믹층을 소결하는 온도는 1600-1700 ℃인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹층 형성방법
6 6
제1항에 있어서,상기 세라믹 분말은 입자 크기가 10 nm - 1 ㎛이고, 상기 알루미나 분말은 입자 크기가 1-5 ㎛인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 세라믹층 형성방법
7 7
제1항 내지 제2항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 내플라즈마 세라믹층 형성방법을 이용한 리프트 핀의 제조방법에 있어서,상기 알루미나 소결체는 웨이퍼 처리 장치의 리프트 핀이고,상기 (b) 단계와 (c) 단계의 중간층 및 세라믹 층은 각각 웨이퍼를 지지하는 리프트 핀 상부에만 형성되는 것을 특징으로 하는 리프트 핀의 제조방법
8 8
제7항의 제조방법에 따라 제조된 리프트 핀
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.