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리튬과 반응하지 않는 금속을 포함하는 금속 매트릭스; 상기 금속 매트릭스 내에 임베디드된 실리콘 나노 입자; 및상기 금속 매트릭스의 표면 중 적어도 일부에 위치하는 상기 금속의 질화물 및 상기 실리콘의 질화물을 포함하고,상기 금속 질화물은 MxNyO (0≤x≤1, 0≤y≤1)(단, M은 Ti, Ni, Co, Fe, Cr, Hf, Mn, Mo, Nb, V, Zr, Ta, W 및 Re 중에서 선택되는 적어도 어느 하나임)이고,상기 실리콘 질화물은 SixNyO (0≤x≤1, 0≤y≤1)인 리튬 이차 전지용 음극
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제1항에 있어서,상기 금속은 Ti, Ni, Co, Fe, Cr, Hf, Mn, Mo, Nb, V, Zr, Ta, W 및 Re 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인 리튬 이차 전지용 음극
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제1항에 있어서,상기 금속 질화물은 TixNyO (0≤x≤1, 0≤y≤1)를 포함하는 리튬 이차 전지용 음극
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제1항에 있어서,상기 금속은 Ti와 Ni인 리튬 이차 전지용 음극
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법으로서,집전체를 제공하는 단계; 리튬과 반응하지 않는 적어도 어느 하나의 금속 및 실리콘을 포함하는 음극 활물질을 질화 처리하는 단계; 상기 질화 처리된 음극 활물질에 도전제 및 바인더를 혼합하여 음극용 슬러리를 제조하는 단계; 및상기 집전체 상에 상기 음극용 슬러리를 도포하여 음극 활물질층을 형성하는 단계를 포함하는 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속은 Ti, Ni, Co, Fe, Cr, Hf, Mn, Mo, Nb, V, Zr, Ta, W 및 Re 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 음극 활물질은 Si, Ti 및 Ni를 함유하는 나노 입자인 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 음극 활물질의 표면을 질화 처리하는 단계는 화학 기상 증착법을 이용하여 수행되는 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 음극 활물질의 표면을 질화 처리하는 단계는 400℃ ∼ 800℃에서 수행되는 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 음극 활물질의 표면을 질화 처리하는 단계에서 사용되는 가스는 NH3 가스 또는 N2 가스이거나, 상기 NH3 가스 또는 N2 가스에 불활성 가스를 혼합한 혼합 가스인 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
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