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탄산염 공침법을 이용한 3볼트급 스피넬 산화물, 그제조방법 및 이를 이용한 리튬이차전지

  • 기술번호 : KST2015140608
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고율특성이 향상된 Li1+x[MyMn(2-y)]O4-zSz (0≤x≤0.1, 0.01≤y≤0.5, 0.01≤z≤0.5, M=Mn, Ni, Mg)의 조성식을 가지는 3V급 스피넬 산화물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 스피넬 산화물의 시작물질의 탄산염 공침법 및 황 첨가후 하소에 의해 3V급 스피넬 산화물을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 3V급 스피넬 산화물은 입자의 크기가 균일하고, 입자의 형태가 구형이며, 이것을 포함하는 리튬이차전지는 3V전위에서의 평탄면이 우수하고, 전지의 수명특성도 우수하다. 리튬이차전지, 탄산염 침전법, 양극 활물질, 3V 스피넬, 활물질, 나노입자
Int. CL H01M 4/58 (2015.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020050009582 (2005.02.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0639526-0000 (2006.10.23)
공개번호/일자 10-2006-0088666 (2006.08.07) 문서열기
공고번호/일자 (20061030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.02)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 선양국 대한민국 서울특별시 노원구
2 박상호 대한민국 서울특별시 영등포구
3 오성우 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0063298-63
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0231830-87
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0452778-25
4 의견서
Written Opinion		 2006.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0452716-16
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0607947-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
리튬이차전지의 양극활물질에 있어서, 상기 양극활물질은 탄산염 공침법으로 형성된 Li1+x[MyMn(2-y)]O4 (0≤x≤0
2 2
제1항에 있어서, 상기 양극활물질은 S가 더 첨가된 Li1+x[MyMn(2-y)]O4-zSz (0≤x≤0
3 3
제1항 또는 제2항의 어느 한 항에 있어서, 상기 3V급 스피넬 산화물은 입경이 10∼50㎚인 1차 입자의 응집으로 이루어진 구형의 2차 입자로서 입경이 5∼20㎛인 것을 특징으로 하는 3V급 스피넬 산화물
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 3V급 스피넬 산화물을 포함하는 3V급 리튬이차전지
5 5
3V급 스피넬 산화물의 제조방법에 있어서, 탄산가스를 퍼징한 증류수, 중심금속인 Mn을 제외한 2이상의 전이금속을 포함하는 수용액, 암모니아 용액 및 탄산염 용액을 반응기에 투입하여 탄산염 공침법을 이용해 전이금속 복합탄화물로 제조하고, 상기 전이금속 복합탄화물을 1차 하소하여 전이금속 복합산화물로 제조하고, 리튬염을 상기 전이금속 복합산화물의 당량비에 비해 과량 첨가하고 2차 하소하여 Li1+x[MyMn(2-y)]O4-zSz(0≤x≤0
6 6
제5항에 있어서, 상기 전이금속은 Ni, Mg, Ti, V, Cr, Fe, Co, Cu, Zn, Al, Ga, Rb, Ge, Mo, Nb, Zr 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 3V급 스피넬 산화물의 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 전이금속은 질산염, 황산염, 인산염 및 염화물 중 어느 하나를 포함하는 금속염인 것을 특징으로 하는 3V급 스피넬 산화물의 제조방법
8 8
제5항에 있어서, 전이금속 복합산화물의 1차 및 2차 하소 온도는 500℃ 내지 800℃임을 특징으로 하는 3V급 스피넬 산화물의 제조방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 탄산염은 탄산나트륨, 암모늄수소카보네이트, 암모늄카보네이트 및 나트륨수소카보네이트 용액 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 3V급 스피넬 산화물의 제조방법
10 10
제5항에 있어서, 상기 혼합용액의 산도는 pH 4 내지 pH 13임을 특징으로 하는 3V급 스피넬 산화물의 제조방법
11 11
제5항에 있어서, 상기 전이금속 복합산화물에 전체 전이금속 복합산화물 대비 0
12 11
제5항에 있어서, 상기 전이금속 복합산화물에 전체 전이금속 복합산화물 대비 0
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05205061 JP 일본 FAMILY
2 JP20529253 JP 일본 FAMILY
3 US08956759 US 미국 FAMILY
4 US09553313 US 미국 FAMILY
5 US20100062337 US 미국 FAMILY
6 US20150041710 US 미국 FAMILY
7 WO2006083069 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE112005003441 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 JP2008529253 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2008529253 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2008529253 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP5205061 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2010062337 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US2015041710 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8956759 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US9553313 US 미국 DOCDBFAMILY
10 WO2006083069 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.