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연마 입자 및 분산제를 포함하는 연마액; 및연마 억제제, 연마 균형제 또는 이 둘을 포함하는 첨가제;를 포함하고,상기 분산제는 고분자 분산제, 선택비 조절제 및 분산 안정화제로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 고분자 분산제는 폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산, 폴리아크릴산/스티렌 공중합체 및 이들의 염들로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 선택비 조절제는 카르복실산, 아미노산 또는 이들의 조합을 포함하고, 상기 분산 안정화제는 암모늄으로 치환된 무기염을 포함하고,상기 연마 억제제는 하나 이상의 메톡시기를 포함하는 알킬 옥사이드 고분자를 포함하고,상기 연마 균형제는 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH), 테트라메틸암모늄실리케이트(TMAS), 벤질트리메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드(TEAH), 테트라부틸암모늄하이드록사이드(TBAH) 및 테트라프로필암모늄하이드록사이드(TPAH)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 4급 아민을 포함하는 것이고,상기 연마 입자는 단결정성인 것인,연마 슬러리
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제1항에 있어서,상기 카르복실산은, 시트르산, 포름산, 아세트산, 옥살산, 피콜린산 및 폴리아크릴산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 아미노산은, 글리신, 프롤린, 아기닌, 2-피롤리논, 피페라진, 2-아미노-1-프로판올, 도데실아민, 구아니딘 및 β-알라닌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연마 슬러리
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제1항에 있어서,상기 연마 입자는 단분산성인 것인, 연마 슬러리
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제1항에 있어서,상기 연마 입자는,세리아 입자, 실리카 입자, 알루미나 입자, 지르코니아 입자 및 티타니아 입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 금속산화물 입자;스티렌계 중합체 입자, 아크릴계 중합체 입자, 폴리염화비닐 입자, 폴리아미드 입자, 폴리카보네이트 입자 및 폴리이미드 입자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 입자; 및상기 금속산화물 입자와 상기 유기 입자를 복합하여 형성한 유기-무기 복합 입자;로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는, 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마 입자의 1차 입자의 크기는 1 nm 내지 100 nm 이고, 2차 입자의 크기는 50 nm 내지 300 nm인 것인, 연마 슬러리
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제1항에 있어서,상기 연마 입자의 표면을 개질하여 pH 6 내지 10에서 -20 mV 이상의 음의 제타전위를 가지는 것인, 연마 슬러리
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제1항에 있어서,상기 무기염은, 암모늄 퍼설페이트, 암모늄 포스페이트, 암모늄 모노베이직, 암모늄 설파메이트, 암모늄 티오시아네이트, 암모늄 바이카보네이트, 암모늄 시트레이트 디베이직, 암모늄설페이트, 및 암모늄 나이트레이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연마 슬러리
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제1항에 있어서,상기 고분자 분산제는, 상기 연마 입자 100 중량부에 대하여 0
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제1항에 있어서,상기 연마 슬러리는, pH가 6 내지 10인 것인, 연마 슬러리
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제1항에 있어서,상기 연마 슬러리는 상기 연마액과 상기 첨가제를 각각 준비하여 연마 시에 혼합하여 사용하는 2액형인 것인, 연마 슬러리
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제1항에 있어서,얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation; STI) 공정에서 산화막 대비 폴리막의 연마 선택비가 100 : 1 내지 150 : 1인 것인, 연마 슬러리
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제1항, 제3항, 제7항 내지 제10항, 제14항 내지 제18항 중 어느 한 항의 연마 슬러리를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법
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