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기준 영역과 이의 양측에 위치하는 센싱 영역들을 구비하는 전도성 기판;상기 기준 영역 상에 위치하는 돌출 기준 유전층;상기 센싱 영역들 상에 위치하는 센싱 유전층;상기 각 센싱 영역의 센싱 유전층 상에 배치되는 프로브들; 및상기 각 센싱 영역의 상기 프로브들 상부에 배치되는 탐지 전극을 포함하는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 전도성 기판은 상기 센싱 영역들을 기준으로 상기 기준 영역의 반대편에 배치된 세포액 배출구들인 한 쌍의 관통홀들을 구비하는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 돌출 기준 유전층 하부에서 상기 기준 영역의 전도성 기판 내에 위치하는 제1 매립 기준 유전층; 및 상기 제1 매립 기준 유전층의 양측에서 이에 이격하여 상기 전도성 기판 내에 위치하는 제2 매립 기준 유전층들을 더 포함하고,상기 센싱 영역들은 상기 제1 매립 기준 유전층과 상기 제2 매립 기준 유전층들 사이에 위치하는 세포 계수 장치
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제3항에 있어서,상기 전도성 기판은 상기 제2 매립 기준 유전층들을 관통하는 한 쌍의 관통홀들을 구비하는 세포 계수 장치
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제1항에 있어서,상기 각 센싱 영역은 일단들이 상기 기준 영역에 연결되어 서로 평행하게 병렬 배치된 다수개의 센싱 셀 영역들을 구비하는 세포 계수 장치
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제5항에 있어서,상기 병렬 배치된 센싱 영역들을 서로 구분하는 챔버 격벽을 더 포함하는 세포 계수 장치
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제5항에 있어서,상기 탐지 전극은 다중 탐침 전극(multi-probing electrode) 내에 복수 개로 구비되어 상기 센싱 셀 영역들에 대응하여 배치된 세포 계수 장치
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기준 영역과 이의 양측에 위치하는 센싱 영역들을 구비하는 전도성 기판을 제공하는 단계;상기 기준 영역 상에 돌출 기준 유전층을 형성하는 단계;상기 센싱 영역들 상에 센싱 유전층을 형성하는 단계;상기 각 센싱 영역의 센싱 유전층 상에 프로브들을 형성하는 단계; 및상기 각 센싱 영역의 상기 프로브들 상부에 탐지 전극을 배치하는 단계를 포함하는 세포 계수 장치의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 돌출 기준 유전층을 형성하기 전에,상기 기준 영역의 전도성 기판 내에 제1 트렌치와 상기 제1 트렌치의 양측에서 이에 이격하여 상기 전도성 기판 내에 형성된 제2 트렌치들을 형성하는 단계; 및상기 제1 트렌치 내에 제1 매립 기준 유전층을, 상기 제2 트렌치들 내에 제2 매립 기준 유전층들을 형성하는 단계를 더 포함하고;상기 센싱 영역들은 상기 제1 매립 기준 유전층과 상기 제2 매립 기준 유전층들에 의해 정의되는 세포 계수 장치의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제2 매립 기준 유전층들 및 그 하부의 상기 전도성 기판을 관통하는 한 쌍의 관통홀들을 형성하는 단계를 더 포함하는 세포 계수 장치의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 탐지 전극을 배치하기 전에,상기 각 센싱 영역 상에 챔버 격벽을 형성하여, 일단들이 상기 기준 영역에 연결되고 서로 평행하게 병렬 배치된 다수개의 센싱 셀 영역들을 정의하는 단계를 더 포함하는 세포 계수 장치의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 탐지 전극은 다중 탐침 전극(multi-probing electrode) 내에 복수 개로 구비되어 상기 센싱 셀 영역들에 대응하여 배치된 세포 계수 장치의 제조방법
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