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1
제 1 본딩 표면을 갖는 제 1 금속 배선 구조; 및상기 제 1 본딩 표면에 본딩된 제 2 본딩 표면을 갖는 제 2 금속 배선 구조를 포함하며, 상기 제 1 본딩 표면 및 상기 제 2 본딩 표면을 구성하는 금속 원자들 중 어느 한쪽의 금속 원자들이 본딩 전류에 의해 반대쪽으로 이동하여 상기 제 1 본딩 표면과 상기 제 2 본딩 표면이 다이렉트 본딩된 금속 배선 구조
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2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 본딩 표면은 서로 동일한 조성을 갖는 금속 배선 구조
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 본딩 표면은 구리를 포함하는 금속 배선 구조
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4 |
4
회로 모듈을 포함하는 집적 회로로서,상기 회로 모듈은,적어도 일면에 노출된 제 1 본딩 표면을 갖는 제 1 금속 배선 구조를 갖는 제 1 집적 회로; 및적어도 일면에 노출되고 상기 제 1 본딩 표면에 본딩된 제 2 본딩 표면을 갖는 제 2 금속 배선 구조를 갖는 제 2 집적 회로를 포함하며, 상기 제 1 본딩 표면 및 상기 제 2 본딩 표면을 구성하는 금속 원자들 중 어느 한쪽의 금속 원자들이 본딩 전류에 의해 반대쪽으로 이동하여 상기 제 1 본딩 표면과 상기 제 2 본딩 표면이 다이렉트 본딩된 집적 회로
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5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 배선 구조는 각각 복수의 금속 배선 구조들을 포함하고, 상기 복수의 금속 배선 구조들은 서로 전기적으로 연결하여 체인을 형성하는 복수의 컨덕터들을 더 포함하는 집적 회로
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6 |
6
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 집적 회로는 플렉시블 인쇄회로기판을 포함하고, 상기 제 2 집적 회로는 리지드 인쇄회로기판을 포함하는 집적 회로
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7 |
7
제 5 항에 있어서, 상기 복수의 컨덕터들은 금속 배선 패턴, 재배선 패턴(RDL), 상부 금속층(top metal layer), 비아, 와이어, 다이오드, 저항, 퓨즈 및 안티퓨즈 중 적어도 어느 하나를 포함하는 집적 회로
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8 |
8
제 4 항에 있어서,상기 회로 모듈은 상기 제 1 또는 제 2 금속 배선 구조 중 어느 하나 이상에 본딩 전류를 공급하기 위한 입력 패드 및 출력 패드를 더 포함하는 집적 회로
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9
제 8 항에 있어서, 상기 입력 패드 및 출력 패드는 상기 제 1 및 제 2 집적 회로 중 어느 하나에 선택 배치되는 집적 회로
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10 |
10
제 8 항에 있어서,상기 집적 회로는 상기 회로 모듈을 다수개 포함하며, 서로 전기적으로 연결되도록 적층되는 스택 구조를 갖고,상기 입력 패드 및 출력 패드는 상기 스택 구조의 최상부에 위치하는 회로 모듈 및 최하부에 위치하는 회로 모듈 중 어느 하나에만 선택 배치되는 집적 회로
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11 |
11
제 8 항에 있어서,상기 입력 패드 및 출력 패드 중 어느 하나는 상기 회로 모듈의 제 1 집적 회로에 형성되고, 다른 하나는 상기 회로 모듈의 제 2 집적 회로에 분할 배치되는 집적 회로
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12 |
12
제 8 항에 있어서,상기 집적 회로는 상기 회로 모듈을 다수개 포함하며 서로 전기적으로 연결되도록 적층되는 스택 구조를 갖고,상기 입력 패드 및 출력 패드 중 어느 하나는 상기 스택 구조의 최상부에 위치하는 회로 모듈에 형성되고, 다른 하나는 최하부에 위치하는 회로 모듈에 분할 배치되는 집적 회로
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13 |
13
제 8 항에 있어서,상기 입력 패드 및 출력 패드는 상기 집적 회로의 불량 또는 성능 테스트를 위한 검사 패드를 포함하는 집적 회로
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14
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 본딩 표면은 서로 동일한 조성을 갖는 집적 회로
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15
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 본딩 표면은 구리를 포함하는 집적 회로
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16
제 4 항에 있어서,상기 제 1 또는 제 2 집적 회로는, 단일 다이, 접합된 복수의 다이들, 하나 이상의 다이들이 봉지된 반도체 칩 패키지, 적어도 하나 이상의 배선 구조를 갖는 기판, 또는 적어도 하나 이상의 배선 구조를 갖는 인터포저(interposer)를 포함하는 집적 회로
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17 |
17
적어도 일면에 노출된 제 1 본딩 표면을 갖는 제 1 금속 배선 구조를 갖는 제 1 집적 회로; 및적어도 일면에 노출되고 상기 제 1 본딩 표면에 본딩된 제 2 본딩 표면을 갖는 제 2 금속 배선 구조를 갖는 제 2 집적 회로를 포함하며, 상기 제 1 본딩 표면 및 상기 제 2 본딩 표면을 구성하는 금속 원자들 중 어느 한쪽의 금속 원자들이 본딩 전류에 의해 반대쪽으로 이동하여 상기 제 1 본딩 표면과 상기 제 2 본딩 표면이 다이렉트 본딩된 집적 회로 패키지
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18
제 17 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속 배선 구조는, 신호 라인 또는 열방출을 위한 금속 배선 구조를 포함하는 집적 회로 패키지
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19
제 17 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 금속 배선 구조는, 비아, 관통형 비아, 금속 배선층, 재배선 패턴, 또는 와이어를 포함하며,상기 제 1 및 제 2 본딩 표면은 상기 제 1 및 제 2 금속 배선 구조의 노출된 표면이거나 이에 전기적으로 연결된 패드 또는 범프를 포함하는 집적 회로 패키지
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20
제 17 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 집적 회로 중 어느 하나는 절연성 충전 재료에 의해 봉지되고, 상기 봉지된 집적 회로의 본딩 표면이 상기 절연성 충전 재료의 외부로 노출되어 다른 하나의 집적 회로의 금속 배선 구조에 결합되는 집적 회로 패키지
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21
제 1 본딩 표면을 갖는 복수의 제 1 금속 배선 구조를 제공하는 단계;제 2 본딩 표면을 갖는 복수의 제 2 금속 배선 구조를 제공하는 단계;상기 제 1 본딩 표면과 상기 제 2 본딩 표면을 접촉시켜 제 1 금속 배선 구조 및 제 2 금속 배선 구조를 포함하는 도전 경로를 제공하는 단계; 및상기 도전 경로를 통해 본딩 전류를 공급하여, 상기 제 1 본딩 표면 및 상기 제 2 본딩 표면을 구성하는 금속 원자들 중 어느 한쪽의 금속 원자들을 상기 본딩 전류에 의해 반대쪽으로 이동시킴으로써 상기 제 1 본딩 표면과 상기 제 2 본딩 표면을 서로 다이렉트 본딩시키는 단계를 포함하는 금속 배선 구조의 제조 방법
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제 21 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 본딩 표면은 서로 동일한 조성을 갖는 금속 배선 구조의 제조 방법
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제 21 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 본딩 표면은 구리를 포함하는 금속 배선 구조의 제조 방법
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적어도 일면에 노출된 제 1 본딩 표면을 각각 갖는 복수의 제 1 금속 배선 구조들을 갖는 제 1 집적 회로를 제공하는 단계; 적어도 일면에 노출되고 제 2 본딩 표면을 각각 갖는 복수의 제 2 금속 배선 구조를 갖는 제 2 집적 회로를 제공하는 단계;상기 복수의 제 1 금속 배선 구조들의 제 1 본딩 표면과 상기 복수의 제 2 금속 배선 구조들의 상기 제 2 본딩 표면을 도전 경로가 제공되도록 접촉시켜 상기 제 1 집적 회로와 상기 제 2 집적 회로를 포함하는 회로 모듈을 형성하는 단계; 및상기 도전 경로를 통해 본딩 전류를 공급하여, 상기 제 1 본딩 표면 및 상기 제 2 본딩 표면을 구성하는 금속 원자들 중 어느 한쪽의 금속 원자들을 상기 본딩 전류에 의해 반대쪽으로 이동시킴으로써 상기 제 1 본딩 표면과 상기 제 2 본딩 표면을 서로 결합시켜 상기 제 1 집적 회로와 상기 제 2 집적 회로를 다이렉트 본딩하는 단계를 포함하는 집적 회로의 제조 방법
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25
제 24 항에 있어서,상기 본딩하는 단계는 상기 본딩 전류가 흐르는 동안 상기 제 1 및 상기 제 2 집적 회로 중 적어도 어느 하나를 80 ℃ 내지 350 ℃ 범위 내에서 가열하는 집적 회로의 제조 방법
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26
제 24 항에 있어서,상기 본딩하는 단계는 상기 본딩 전류가 흐르는 동안 상기 제 1 및 제 2 집적 회로를 20 MPa 내지 2 GPa 압력 범위 내에서 서로 압착하는 집적 회로의 제조 방법
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27
제 24 항에 있어서,상기 제 1 집적 회로 및 제 2 집적 회로는 단일 다이, 접합된 복수의 다이들, 하나 이상의 다이들이 봉지된 반도체 칩 패키지, 적어도 하나 이상의 배선 구조를 갖는 기판, 또는 적어도 하나 이상의 배선 구조를 갖는 인터포저(interposer)를 포함하는 집적 회로의 제조 방법
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제 27 항에 있어서,상기 기판은 플렉시블 기판인 집적 회로의 제조 방법
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제 24 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 본딩 표면은 구리를 포함하는 집적 회로의 제조 방법
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제 24 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 본딩 표면 중 적어도 하나는 범프 또는 패드를 포함하는 집적 회로의 제조 방법
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31
제 24 항에 있어서,상기 집적 회로는 상기 복수의 제 1 금속 배선 구조들과 상기 복수의 제 2 금속 배선 구조들을 서로 전기적으로 연결하여 체인을 형성하는 복수의 컨덕터 들을 더 포함하고, 상기 본딩하는 단계에서, 상기 본딩 전류는 상기 체인을 통해 흐르는 집적 회로의 제조 방법
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제 31 항에 있어서,상기 본딩하는 단계는 상기 체인을 통하여 불량 또는 성능 테스트와 동시에 수행되는 집적 회로의 제조 방법
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33
제 31 항에 있어서,상기 복수의 컨덕터들은 금속 배선 패턴, 재배선 패턴(RDL), 상부 금속층(top metal layer), 비아, 와이어, 다이오드, 저항, 퓨즈 및 안티퓨즈 중 적어도 어느 하나를 포함하는 집적 회로의 제조 방법
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제 31 항에 있어서,상기 복수의 제 1 금속 배선 구조들과 상기 복수의 제 2 금속 배선 구조들은 복수의 체인들을 제공하도록 그룹핑되는 집적 회로의 제조 방법
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35
제 24 항에 있어서,상기 본딩하는 단계에서, 상기 본딩 전류는 상기 회로 모듈의 상기 제 1 및 제 2 집적 회로 중 어느 하나에 선택 배치되는 입력 패드 및 출력 패드를 통해 공급되는 집적 회로의 제조 방법
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36
제 35 항에 있어서,상기 집적 회로는 상기 회로 모듈을 다수개 포함하며 서로 전기적으로 연결되도록 적층되는 스택 구조를 형성하고, 상기 입력 패드 및 출력 패드는 상기 스택 구조의 최상부에 위치하는 집적 회로 및 최하부에 위치하는 집적 회로 중 어느 하나의 회로 모듈에 선택 배치되는 집적 회로의 제조 방법
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제 24 항에 있어서,상기 본딩하는 단계에서, 상기 본딩 전류는 상기 회로 모듈의 상기 제 1 및 제 2 집적 회로 중 어느 하나와 다른 하나에 분할 배치되는 입력 패드 및 출력 패드를 통해 공급되는 집적 회로의 제조 방법
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38
제 37 항에 있어서,상기 집적 회로는 상기 회로 모듈을 다수개 포함하며 서로 전기적으로 연결되도록 적층되는 스택 구조를 형성하고, 상기 입력 패드 및 출력 패드 중 어느 하나는 상기 스택 구조의 최상부 회로 모듈에 형성되고, 다른 하나는 최하부 회로 모듈에 분할 배치되는 집적 회로의 제조 방법
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39
제 24 항에 있어서,상기 본딩하는 단계에서, 상기 본딩 전류는 상기 회로 모듈에 형성된 입력 패드 및 출력 패드를 통해 공급되며,상기 입력 패드 및 출력 패드는 상기 집적 회로의 불량 또는 성능 테스트를 위한 검사(probing) 패드를 포함하는 집적 회로의 제조 방법
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40
제 24 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 본딩 표면은 서로 동일한 조성을 갖는 집적 회로의 제조 방법
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제 21 항에 있어서,상기 본딩 전류의 크기는 6,000 A/cm2 내지 8×106 A/cm2 인 금속 배선 구조의 제조 방법
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제 24 항에 있어서,상기 본딩 전류의 크기는 6,000 A/cm2 내지 8×106 A/cm2 인 집적 회로의 제조 방법
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