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폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법

  • 기술번호 : KST2015140698
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 폴리머를 재료로 하는 소자의 특성을 향상시키기 위해 금속 산화막의 형성에 있어 접착성을 향상하도록 플라즈마 원자층 증착법으로 저온에서 형성하게 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법을 제공하는데 그 특징이 있다.또한, 본 발명은 기존의 이온빔 노출 방법을 통한 결정화도 향상 또는 스크린 프린팅 방법을 통한 실리콘 계열의 물질 도포 등의 방법을 통한 접착층 형성과는 다른 두께가 아주 얇은 금속층을 미세한 구조를 지닌 반도체 유기 소자와 같은 단차가 큰 구조물의 절연막 혹은 외부 산소 및 수분의 차단을 위한 수분투과 억제층의 접착성을 높이게 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법을 제공하는데 있다.전도성 폴리머 메모리 소자, PoRAM, 금속 박막, 금속 접착증, 플라즈마 원자층, 불활성가스
Int. CL H01L 23/00 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 24/27(2013.01) H01L 24/27(2013.01) H01L 24/27(2013.01) H01L 24/27(2013.01) H01L 24/27(2013.01)
출원번호/일자 1020060044180 (2006.05.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0720032-0000 (2007.05.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070518) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 경기 남양주시
2 고명균 대한민국 서울 성동구
3 이은주 대한민국 충북 옥천군
4 김범용 대한민국 서울 관악구
5 김웅선 대한민국 서울 강동구
6 문준호 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0343537-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000344-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0110856-48
5 의견서
Written Opinion
2007.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0195314-93
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0195336-97
7 등록결정서
Decision to grant
2007.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0258747-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 유기 소자와 같은 단차가 큰 구조물에 대한 수분 및 산소의 침투를 방지하는 보호막으로 패시베이션층(절연막)의 증착 시에 접착율을 증가시켜 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위해 폴리머 메모리 소자의 패시베이션층(절연막) 하단부에 접착층을 형성하도록 실행하는 것을 특징으로 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기의 접착층은 금속 박막으로 형성시켜 실행하는 것을 특징으로 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 접착층의 형성은,유기 금속소스를 전도성 폴리머의 상부에 도포하여 흡착한 다음 상기에서 흡착되지 않은 유기 금속소스를 배출시키는 단계; 불활성가스 또는 이를 포함하는 암모니아(NH3) 등의 혼합가스를 플라즈마와 함께 주입하여 상기 유기 금속소스에서 금속을 제외한 리간드(Ligand)를 분해시키는 단계;상기의 두 단계를 반복하여 일정한 두께를 갖는 금속 접착층을 형성시키는 단계;를 실행하는 것을 특징으로 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법
4 4
제3항에 있어서,상기의 접착층을 형성하면서 전도성 폴리머 소자에 영향을 미치지 않도록 증착시키기 위해 250℃ 이하의 온도에서 금속 박막을 형성시켜 실행하는 것을 특징으로 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법
5 5
제3항에 있어서,상기 불활성가스는 수소(H2), 질소(N2) 및 아르곤(Ar) 중 어느 하나를 사용하여 실행하는 것을 특징으로 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법
6 6
제3항에 있어서,상기 금속 접착층의 두께는 1nm에서 10nm 까지의 범위를 갖도록 실행하는 것을 특징으로 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법
7 7
제3항에 있어서, 상기 금속 접착층의 금속 물질은 배금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 텅수텐(W), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 이리듐(Ir) 중에 어느 하나 또는 2개 이상을 이용하여 실행하는 것을 특징으로 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법
8 8
반도체 유기 소자와 같은 단차가 큰 구조물에 대한 수분 및 산소의 침투를 방지하는 보호막으로 패시베이션층(절연막)의 증착 시에 접착율을 증가시켜 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위해 폴리머 메모리 소자의 패시베이션층(절연막) 하단부에 금속박막으로 이루어진 접착층의 형성은 유기 금속소스를 전도성 폴리머의 상부에 도포하여 흡착한 다음 상기에서 흡착되지 않은 유기 금속소스를 배출시키는 단계와, 수소(H2), 질소(N2) 및 아르곤(Ar)과 같은 불활성가스 또는 이를 포함하는 암모니아(NH3) 등의 혼합가스를 플라즈마와 함께 주입하여 상기 유기 금속소스에서 금속을 제외한 리간드(Ligand)를 분해시키는 단계와, 상기의 두 단계를 반복하여 1nm에서 10nm의 두께를 갖는 금속 접착층을 형성시키는 단계를 실행하되,상기의 접착층을 형성하면서 전도성 폴리머 소자에 영향을 미치지 않도록 증착시키기 위해 250℃ 이하의 온도에서 금속 박막을 형성시켜 실행하고, 상기 금속 접착층의 금속 물질은 배금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 텅수텐(W), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 이리듐(Ir) 중에 어느 하나 또는 2개 이상을 이용하여 실행하는 것을 특징으로 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법
9 9
반도체 유기 소자와 같은 전도성 폴리머를 재료로 하는 물질 상부에 산화막의 접착성을 높이기 위해 폴리머 메모리 소자에 금속박막으로 이루어진 접착층을 형성시키도록 플라즈마 원자층을 증착시켜 실행하는 것을 특징으로 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법
10 10
폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법에 있어서,폴리머 메모리 소자에 대한 특성을 향상시키도록 접착성을 높이기 위해 가요성 필름인 폴리머 혹은 유리를 기반으로 하는 기판위에 하부 전극층, 전도성 폴리머를 이용한 유전박막, 상부 전극층이 순차적으로 형성시켜 실행시키되, 상기 상부 전극층과 패시베이션층(절연막) 사이에 금속 접착층을 형성시킬 수 있도록 유기 금속소스와 플라즈마의 분사를 통해 실행하는 것을 특징으로 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.