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분자동역학 시뮬레이션을 이용하여 증착조건을 최적화한Ni―Al 다층박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142243
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분자동역학 시뮬레이션을 이용하여 증착조건을 최적화한 Ni-Al 다층박막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 증착되는 각각의 원자를 입사각도, 입사에너지, 증착온도를 변수로 사용하여 분자동역학 시뮬레이션을 수행하면서, 상기 변수조건에서 표면거침도가 수렴하는 범위를 증착의 최적화 조건으로 하여 Ni-Al 다층박막을 제조하면, 종래에 비해 빠른 시간 내에 최적화 범위를 찾을 수 있을 뿐만 아니라 증착 원자의 확산경로 추적이 가능하여 증착되는 박막의 성장 거동 제어 및 예측이 가능하며, 제조된 박막의 규칙도 및 균일성이 향상된 Ni-Al 다층박막의 제조방법에 관한 것이다.분자동역학, Ni-Al 다층박막, 입사각도, 입사에너지, 온도, 표면거침도
Int. CL C23C 14/54 (2018.01.01) C23C 14/14 (2006.01.01)
CPC C23C 14/54(2013.01) C23C 14/54(2013.01) C23C 14/54(2013.01) C23C 14/54(2013.01)
출원번호/일자 1020070006729 (2007.01.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0838186-0000 (2008.06.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정용재 대한민국 서울 강남구
2 이순근 대한민국 충북 보은군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임승섭 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호(특허법인임앤정)
2 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0065224-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2007-0071947-52
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0025951-04
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0024618-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0189518-48
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0189522-21
9 등록결정서
Decision to grant
2008.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0239118-42
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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Ni-Al 다층박막을 제조하는 방법에 있어서,Ni 증착원자와 Al 증착원자를 각각 분자동역학 시뮬레이션을 수행하되, 각 증착원자의 입사각도, 입사에너지 및 온도를 변수로 사용하여,상기 Ni 증착원자의 표면거침도가 0 ∼ 10 W2 범위로 수렴하고 상기 Al 증착원자의 표면거침도는 0 ∼ 5 W2 범위로 수렴하는 범위로 최적화된 증착조건하에서 다층박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 Ni-Al 다층박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Ni 증착원자는 입사각도 0 ∼ 30 °, 입사에너지 3 ∼ 6 eV 및 증착온도 300 ∼ 500 K 범위로 최적화하여 증착하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 Al 증착원자는 입사각도 0 ∼ 50 °, 입사에너지 3 ∼ 6 eV 및 증착온도 300 ∼ 500 K 범위로 최적화하여 증착하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.