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금속나노튜브를 포함하는 음극, 이를 채용한 리튬전지 및 이의 제조 방법
- 기술번호 : KST2015142416
- 담당센터 : 인천기술혁신센터
- 전화번호 : 032-420-3580
| 요약 | 전도성 기판상에 이격되어 배열된 복수의 금속나노튜브를 포함하며, 상기 나노튜브의 말단이 개구되어 있는 음극, 상기 음극을 채용한 리튬전지, 및 상기 음극의 제조방법이 제시된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01) H01M 4/1395 (2010.01.01) H01M 4/136 (2010.01.01) H01M 4/1397 (2010.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) H01M 2/02 (2015.01.01) |
| CPC | H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100068590 (2010.07.15) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1747861-0000 (2017.06.09) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0079472 (2011.07.07) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20170628) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020090136217 | 2009.12.31
|
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2015.03.12) |
| 심사청구항수 | 24 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김한수 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 2 | 권문석 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
| 3 | 최재만 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
| 4 | 송민상 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 5 | 박영신 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 6 | 송태섭 | 대한민국 | 서울특별시 노원구 |
| 7 | 백운규 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.07.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0457924-95 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2015.03.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0240856-38 |
| 6 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2015.09.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 7 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2015.11.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0070578-16 |
| 8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2016.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0149228-09 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2016.04.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0400074-95 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2016.05.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0497637-30 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2016.06.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0621332-42 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2016.07.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0727235-74 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2016.07.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0727236-19 |
| 14 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2016.12.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0907191-77 |
| 15 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2017.02.15 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0157400-87 |
| 16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.02.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0157399-17 |
| 17 | 등록결정서 Decision to grant |
2017.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0374253-97 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 전도성 기판; 및상기 기판상에 이격되어 배열된 복수의 나노튜브;를 포함하며,상기 나노튜브의 말단이 개구되며,상기 나노튜브가 금속나노튜브 또는 준금속나노튜브이며,상기 나노튜브가 기판의 표면으로부터 수직 방향으로 배향되는 음극 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브가 실리콘, 게르마늄, 주석, 알루미늄, 아연, 은, 금, 백금 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 원소를 포함하는 음극 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브가 도판트를 추가적으로 포함하는 음극 |
| 4 |
4 제 3 항에 있어서, 상기 도판트가 13족 또는 15족 원소인 음극 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브의 평균 길이가 5 초과 내지 30㎛인 음극 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브 길이의 최대값 및 상기 기판의 면적에 의하여 정의되는 부피 중에서, 상기 나노튜브에 의하여 점유되는 부피가 50% 초과인 음극 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브의 평균 외경이 100nm 내지 300nm인 음극 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브의 평균 내경이 20nm 내지 200nm인 음극 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브 말단의 개구부 직경이 상기 나노튜브 내경의 0 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브 표면에 수소가 공유결합된 음극 |
| 12 |
12 양극;제 1 항 내지 제 4 항 및 제 6 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 음극; 및상기 양극과 음극 사이에 개재된 전해질을 포함하는 리튬전지 |
| 13 |
13 전도성 기판 상에 기판의 표면으로부터 돌출되는 방향으로 나노막대를 형성시키는 단계;상기 나노막대 상에 금속 또는 준금속을 포함하는 코팅층을 형성하여 결과물을 얻는 단계;상기 결과물을 열처리하여 나노막대를 선택적으로 제거하여 나노튜브를 형성하는 단계; 및상기 나노튜브의 말단을 개구시키는 단계;를 포함하는 음극 제조방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 코팅층이 실리콘, 게르마늄, 주석, 알루미늄, 아연, 은, 금, 백금 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 원소를 포함하는 음극 제조방법 |
| 15 |
15 제 13 항에 있어서, 상기 나노막대가 금속산화물인 음극 제조방법 |
| 16 |
16 제 13 항에 있어서, 상기 코팅층이 도판트를 추가적으로 포함하는 음극 제조방법 |
| 17 |
17 제 13 항에 있어서, 상기 코팅층이 금속 또는 준금속 전구체 가스를 상기 나노막대와 접촉시킴에 의하여 코팅되는 음극 제조방법 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서, 상기 금속 또는 준금속 전구체 가스가 도판트 전구체 가스를 추가적으로 포함하는 음극 제조방법 |
| 19 |
19 제 13 항에 있어서, 상기 나노튜브의 일말단을 개구시키는 단계가 상기 나노튜브를 건식 식각하는 단계를 포함하는 음극제조방법 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서, 상기 건식 식각에 사용되는 기체가Ar; 및Cl2, SF6, 및 CF4로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 기체;인 음극 제조방법 |
| 21 |
21 제 19 항에 있어서, 상기 건식 식각 단계 후에 상기 나노튜브를 습식 식각하는 단계;를 추가적으로 포함하는 음극 제조방법 |
| 22 |
22 제 21 항에 있어서, 상기 습식 식각에 사용되는 식각액이 HF-NH4F 식각액, 및 HF-P2O5식각액 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 음극 제조방법 |
| 23 |
23 제 13 항에 있어서, 상기 나노튜브의 일말단을 개구시키는 단계 후에 상기 개구된 나노튜브를 환원성 분위기에서 열처리하는 단계;를 추가적으로 포함하는 음극 제조방법 |
| 24 |
24 제 23 항에 있어서, 상기 열처리 온도가 200 내지 700℃인 음극 제조방법 |
| 25 |
25 제 23 항에 있어서, 상기 환원성 분위기에 사용되는 기체가 수소, Ar, He 및 CO2로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 음극 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US09878905 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20110159367 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2011159367 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US9878905 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1747861-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100715 출원 번호 : 1020100068590 공고 연월일 : 20170628 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20170529 청구범위의 항수 : 24 유별 : H01M 4/134 발명의 명칭 : 금속나노튜브를 포함하는 음극, 이를 채용한 리튬전지 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
| 1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 981,000 원 | 2017년 06월 12일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2020년 05월 19일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.07.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0457924-95 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2015.03.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0240856-38 |
| 6 | 선행기술조사의뢰서 | 2015.09.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 7 | 선행기술조사보고서 | 2015.11.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0070578-16 |
| 8 | 의견제출통지서 | 2016.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0149228-09 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2016.04.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0400074-95 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2016.05.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0497637-30 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2016.06.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0621332-42 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2016.07.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0727235-74 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 | 2016.07.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0727236-19 |
| 14 | 의견제출통지서 | 2016.12.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0907191-77 |
| 15 | [명세서등 보정]보정서 | 2017.02.15 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0157400-87 |
| 16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2017.02.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0157399-17 |
| 17 | 등록결정서 | 2017.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0374253-97 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345136348 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2008 |
| 연구과제명 | 나노기반 Imagineer 양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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