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저온 분사 코팅 공정을 이용한 세라믹 DBC 기판의제조방법

  • 기술번호 : KST2015142426
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 분사 코팅 공정을 이용한 세라믹 DBC 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 종래의 기술보다 단순화된 저온 스프레이 공정을 이용하여 강한 접합강도를 가지는 세라믹 DBC 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 세라믹 DBC 기판 제조방법은, 세라믹 모재 위에 구리 입자를 저온 분사 코팅 하는 방법으로서, 5~200㎛의 직경을 가지는 구리입자를 사용하며, 분사시 가스의 온도를 300~450℃, 가스의 압력을 10~27 kg/cm2로 조절하는 것을 특징으로 한다. 저온 분사 코팅, DBC 기판, 접합강도, 세라믹 모재
Int. CL H05K 3/14 (2006.01.01) H05K 3/46 (2006.01.01) H05K 1/03 (2006.01.01) H01L 23/15 (2006.01.01)
CPC H05K 3/14(2013.01) H05K 3/14(2013.01) H05K 3/14(2013.01) H05K 3/14(2013.01)
출원번호/일자 1020060136893 (2006.12.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0061792 (2008.07.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창희 대한민국 서울특별시 송파구
2 윤상훈 대한민국 서울 성북구
3 김준섭 대한민국 충북 청주시 흥덕구
4 지율권 대한민국 충북 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0978616-30
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2007.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0070499-77
3 선행기술조사의뢰서(내부)
Request for Prior Art Search (Inside)
2007.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2007-0055185-64
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0005421-06
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0156950-97
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0156949-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0345199-38
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0608797-21
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0625691-81
12 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2009.03.23 수리 (Accepted) 7-8-2009-0010037-85
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
세라믹 모재 위에 구리 입자를 저온 분사 코팅하여 DBC 기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅시 사용되는 구리입자는 5~200㎛의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅시, 분사용 가스의 온도를 300~450℃로 가열하여 사용하는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅시, 노즐 직전에서의 분사용 가스의 압력을 10~27 kg/cm2로 조절하는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅 시, 분사용 가스는 질소, 헬륨, 공기 또는 이들의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 저온 분사 코팅에 사용되는 노즐 선단과 세라믹 모재 사이의 거리는 10~40mm인 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 세라믹 모재는 알루미나, 질화 알루미늄 또는 산화 베릴륨 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅시 비드와 비드 중심사이의 거리는 0
9 9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저온 분사 코팅 전에 세라믹 모재의 표면조도를 증가시키는 전처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 전처리는 크기 30~80mesh인 알루미나 분말을 5~8kg/cm2 정도의 압력으로 세라믹 모재 표면에 분사하는 블라스팅 방식으로 실시하는 것을 특징으로 하는 세라믹 DBC 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.