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발광호스트 물질의 에너지 갭보다 큰 에너지 갭을 갖는 불순물이 첨가된 발광층을 포함하는 유기발광소자
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제1항에 있어서, 기판 위의 양극; 정공수송층; 발광층; 전자수송층; 전자주입층; 및 음극으로 이루어지는 유기발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 발광호스트 물질은 Alq3인 유기발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불순물은 DPVBi, NPB 및 BCP로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질인 유기발광소자
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5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불순물이 첨가되는 농도는 0
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1) 기판 위에 양극을 형성하는 단계;2) 상기 양극 위에 정공수송층을 형성하는 단계;3) 상기 정공수송층 위에 발광층을 형성하는 단계;4) 상기 발광층 위에 전자수송층을 형성하는 단계; 5) 상기 전자수송층 위에 전자주입층을 형성하는 단계; 및6) 상기 전자주입층 위에 음극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 3)의 발광층을 형성하는 단계는, 발광호스트 물질의 에너지 갭보다 큰 에너지 갭을 갖는 불순물을 첨가하여 형성되는 단계인 유기발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 발광호스트 물질은 Alq3인 유기발광소자의 제조방법
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8
제7항에 있어서, 상기 불순물은 DPVBi, NPB 및 BCP로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질인 유기발광소자의 제조방법
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9
제8항에 있어서, 상기 불순물이 첨가되는 농도는 0
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