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제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층; 및상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송 대역; 을 포함하고,상기 전자 수송 대역은 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 주입층; 을 포함하고,상기 전자 주입층이 BEDT-TTF 및 Bphen을 포함하고, 상기 BEDT-TTF의 함량은 상기 제2전극에 가까워질수록 계단식으로 증가하는 유기 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 BEDT-TTF의 함량이 상기 전자 주입층 100 중량% 당 0
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제1항에 있어서,상기 전자 주입층의 두께가 0
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제1항에 있어서,상기 전자 주입층과 상기 제2전극이 서로 접하는 유기 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 전자 수송 대역은 C60, C70, PCBM(C60), PCBM(C70), PCBM(C75), PCBM(C80), Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy-OXD, BP-OXD-Bpy, TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7l, 3TPYMB, 2-NPIP, PADN, HNBphen, POPy2, BP4mPy, TmPyPB 및 BTB 중에서 선택되는 1종 이상의 전자 수송 재료를 포함하는 유기 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 전자 수송 대역은 Bphen, NBphen 및 HNBphen 중에서 선택되는 1종 이상의 전자 수송 재료를 포함하는 유기 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 전자 수송 대역의 두께가 10nm 내지 100nm인 유기 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역을 더 포함하는 유기 발광 소자
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제14항에 있어서,상기 정공 수송 영역은 NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB, β-TNB, HMTPD, α,β-TNB, α-TNB, β- NPP, PEDOT: PSS, PVK, WOx, NiO2, Mo 및 MoOx 중에서 선택되는 1종 이상의 정공 수송 재료를 포함하는 유기 발광 소자
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