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정렬 배치된 실리카 나노 패턴; 및상기 실리카 나노 패턴 사이에 형성된 적어도 하나의 실리카 브릿지를 포함하는 실리카 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 실리카 나노 패턴은 나노 구형체, 나노 로드, 나노 반구체, 나노 원기둥 또는 나노 다각기둥의 형상을 포함하는 실리카 나노 구조체
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제1항에 있어서,상기 실리카 나노 구조체는 벌집 구조인 것을 특징으로 하는 실리카 나노 구조체
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기판 상에 실리카 나노 패턴을 고정하는 단계; 및상기 실리카 나노 패턴이 고정된 기판을 불산(HF) 및 암모늄플로라이드(NH4F)를 포함하는 혼합용액에 침지시켜 식각 및 역 반응에 의해 상기 실리카 나노 패턴 사이에 실리카 브릿지를 형성하는 단계를 포함하는 실리카 나노 구조체 제조방법
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제4항에 있어서,상기 실리카 나노 패턴은 나노 구형체, 나노 로드, 나노 반구체, 나노 원기둥 또는 나노 다각기둥의 형상을 포함하는 실리카 나노 구조체 제조방법
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제4항에 있어서,상기 기판 상에 실리카 나노 패턴을 고정하는 단계는,상기 실리카 나노 패턴을 단층의 육각 밀집 구조로 고정하는 것을 특징으로 하는 실리카 나노 구조체 제조방법
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7
제4항에 있어서,상기 기판은 PMMA층을 포함하는 실리카 나노 구조체 제조방법
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제7항에 있어서,기판 상에 실리카 나노 패턴을 고정하는 단계는,상기 PMMA층 상에 실리카 나노 패턴을 증착하고, 상기 PMMA층을 열처리하여 상기 실리카 나노 패턴을 고정하는 것을 포함하는 실리카 나노 구조체 제조방법
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제4항에 있어서,상기 혼합용액의 pH는 6
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제4항에 있어서,상기 혼합용액은 물을 더 포함하는 실리카 나노 구조체 제조방법
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제4항에 있어서,상기 실리카 나노 패턴 사이에 실리카 브릿지를 형성하는 단계는,상기 실리카 브릿지가 형성된 후 식각되기 전에 반응을 종료하고, 상기 기판을 탈이온수로 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카 나노 구조체 제조방법
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제11항에 있어서,상기 실리카 나노 패턴 사이에 실리카 브릿지를 형성하는 단계를 복수회 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 실리카 나노 구조체 제조방법
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제4항에 있어서,상기 실리카 나노 패턴 사이에 실리카 브릿지를 형성하는 단계는 상온에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리카 나노 구조체 제조방법
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제1항의 실리카 나노 구조체를 포함하는 식각 마스크
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제1항에 있어서,상기 실리카 나노 패턴은 복수개의 실리카 나노 구형체를 포함하고,상기 실리카 나노 구형체의 직경은 500 nm 내지 700 nm이고,상기 실리카 브릿지의 직경은 150 nm 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 실리카 나노 구조체
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