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연성회로기판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142747
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 습식도금을 이용한 연성회로기판의 제조방법에 관한 것으로, 폴리이미드 필름과 마그네트론 스퍼터링장치를 구비한 연성회로기판의 제조방법에 있어서, (a) 폴리이미드 필름의 표면에 마그네트론 스퍼터링장치에 의해 고에너지의 이온과 타겟 금속 이온을 충돌침입시켜 고에너지의 이온에 의해 가교층을 형성하는 단계, (b) 상기 (a)단계에서 형성된 가교층에 충돌침입되는 금속 이온에 의해 동 박막을 형성하는 단계와 (c) 상기 (b)단계에서 형성된 동 박막 상에 습식도금법을 이용하여 동 후막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 구성을 마련한다.상기와 같은 연성회로기판의 제조방법을 이용하는 것에 의해, 폴리이미드 필름과 금속 박막층과의 사이의 접착성을 동종의 금속 씨드(seed) 층을 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 증착하여 향상시킴으로써, 10㎛ 두께 이상의 습식도금법을 이용한 연성동박적층 필름 제조시 공정 단순화를 통한 경제적 효과가 얻어진다. 금속, 스퍼터링, 중성입자, 타겟, 연성
Int. CL H05K 3/10 (2006.01) H05K 3/38 (2006.01)
CPC H05K 3/16(2013.01) H05K 3/16(2013.01) H05K 3/16(2013.01) H05K 3/16(2013.01) H05K 3/16(2013.01)
출원번호/일자 1020050098141 (2005.10.18)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0642201-0000 (2006.10.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한전건 대한민국 서울특별시 송파구
2 정윤모 대한민국 인천 남구
3 정우성 대한민국 경기 수원시 장안구
4 문창성 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0588436-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0060826-44
4 등록결정서
Decision to grant
2006.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0616302-66
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
폴리이미드 필름과 마그네트론 스퍼터링장치를 구비한 연성회로기판의 제조방법에 있어서, (a) 상기 폴리이미드 필름의 표면에 상기 마그네트론 스퍼터링장치에 의해 고에너지의 이온과 타겟 금속 이온을 충돌침입시켜 상기 고에너지의 이온에 의해 가교층을 형성하는 단계, (b) 상기 (a)단계에서 형성된 가교층에 충돌침입되는 금속 이온에 의해 동 박막을 형성하는 단계와 (c) 상기 (b)단계에서 형성된 동 박막 상에 습식도금법을 이용하여 동 후막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 연성회로기판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a)단계는 상기 폴리이미드 필름의 표면에 상기 마그네트론 스퍼터링장치에 의해 고에너지 이온 충돌침입과 동시에 발생하는 버큠 울트라 바이올렛(vacuum ultra violet) 영역의 빛에 의해 발생되는 가교현상에 따라 가교층을 형성하는 것을 특징으로 하는 연성회로기판의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (b)단계는 상기 (a)단계에서 형성된 가교층에 충돌침입된 금속 이온을 바탕으로 발생되는 핵생성에 의해 금속 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 연성회로기판의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,(d) 상기 (b)단계에서 금속 박막 형성후 상기 폴리이미드 필름의 반대 표면에 습기와 산소의 투과를 방지하기 위해 산화물과 질화물로 투습 및 산소 투과 방지 박막을 증착하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 연성회로기판의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,(d) 상기 (c)단계에서 금속 후막 형성전 상기 폴리이미드 필름의 표면에 산세, 탈지 등의 습식 전처리습기 및 상압 플라즈마 등을 이용한 건식 전처리를 통하여 세정 공정을 행한 후 습식도금을 이용하여 금속 후막을 증착하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 연성회로기판의 제조방법
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