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저유전 플라스마 중합체 박막의 제조 방법 및 이로부터제조된 저유전 박막

  • 기술번호 : KST2015142781
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저유전 플라즈마 중합체(plasma polymerized) 박막 제조 방법 및 이를 이용하여 형성된 저유전 풀라즈마 박막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법을 이용한 저유전 플라스마 중합체 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 거품기내에서 데카메실사이클로펜타실옥제인과 사이클로헥산를 포함하는 전구체를 증발시켜 전구체 용액을 증발시키는 단계, 상기 증발된 전구체를 상기 거품기로부터 배출하여 플라즈마 증착용 반응기로 유입시키는 단계, 상기 반응기의 플라즈마를 이용하여 상기 반응기 내의 기판 위에 플라즈마 중합된 박막을 증착하는 단계를 포함한다. 이와 같이 제조된 본 발명에 따른 박막은 열적으로 안정하고 매우 낮은 유전상수를 갖는 박막 구조로 형성되어 금속 다층 박막을 제조하는데 있어서 효과적이다. 데카메실사이클로펜타실옥제인, 사이클로헥산, 헬륨, 플라즈마 처리, 전구체,PPDMCPSO:CHex,PECVD
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020050126703 (2005.12.21)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0697669-0000 (2007.03.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.21)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양재영 대한민국 서울특별시 금천구
2 이성우 대한민국 대전광역시 유성구
3 정동근 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남상선 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0748481-45
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0614887-06
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0827252-17
4 의견서
Written Opinion		 2006.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0827250-26
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0119808-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법에 있어서, 플라즈마 보강 CVD 법으로 데카메실사이클로펜타실옥제인과 사이클로헥산 전구체를 사용하여 플라즈마 중합된 박막을 기판 상에 증착시키는 저유전 플라즈마 중합체 박막 제조 방법
2 2
저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법에 있어서, 플라즈마 보강 CVD 법으로 데카메실사이클로펜타실옥제인과 사이클로헥산 전구체를 사용하여 플라즈마 중합된 박막을 기판 상에 증착시키후 열처리를 수행하는 저유전 플라즈마 중합체 박막 제조 방법
3 3
저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법에 있어서, 플라즈마 보강 CVD 법으로 데카메실사이클로펜타실옥제인과 사이클로헥산 전구체를 사용하여 플라즈마 중합된 박막을 기판 상에 증착시키후 플라즈마 처리를 수행하는 저유전 플라즈마 중합체 박막 제조 방법
4 4
저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법에 있어서, 플라즈마 보강 CVD 법으로 데카메실사이클로펜타실옥제인과 사이클로헥산 전구체를 사용하여 플라즈마 중합된 박막을 기판 상에 증착시키후 열처리 및 플라즈마 처리를 수행하는 저유전 플라즈마 중합체 박막 제조 방법
5 5
제 1항 내지 5항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 따라 제조된 저유전 플라즈마 중합체 박막
6 6
거품기내에서 데카메실사이클로펜타실옥제인과 사이클로헥산를 포함하는 전구체를 증발시켜 전구체 용액을 증발시키는 단계; 상기 증발된 전구체를 상기 거품기로부터 배출하여 플라즈마 증착용 반응기로 유입시키는 단계; 상기 반응기의 플라즈마를 이용하여 상기 반응기 내의 기판 위에 플라즈마 중합된 박막을 증착하는 단계를 포함하는 저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법
7 7
제 6항에 있어서, 열처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법
8 8
제 7항에 있어서, 플라즈마 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법
9 9
제 6항에 있어서, 플라즈마 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법
10 10
제 6내지 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응기의 운반기체 압력은 6×10-1 Torr 이고, 기판의 온도는 35℃이며, 반응기로 공급되는 전력은 15 W이며, 이로부터 만들어내는 플라스마 주파수는 13
11 11
제 7 또는 8항에 있어서, 상기 열처리는 400℃에서 1시간 동안 질소 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법
12 12
제 7내지 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 헬륨을 이용하여 박막에 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.