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대기압 상태에서 발생시킨 플라스마를 기판상에 마련된 샘플에 이용하도록 고밀도의 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생부를 구비한 플라스마 발생장치로서,상기 플라스마 발생부는 처리가스를 공급하는 처리가스 공급부,상기 처리 가스의 흐름 방향에 수직으로 배치되는 제1의 전극,상기 제1의 전극과 일정 간격 이격되어 대향 배치된 제2의 전극,상기 제1의 전극 및 제2의 전극에 의해 형성된 상기 고밀도 플라스마를 배출하는 플라스마 배출구를 포함하고,상기 플라스마 배출구에는 상기 플라스마를 배출하기 위한 다수의 홀이 마련되고,상기 제1의 전극에는 고전압을 공급하는 전원공급부가 연결되고, 상기 제2의 전극은 접지에 연결되며,상기 제1의 전극의 표면은 돌기부로 이루어지고, 상기 돌기부의 표면에는 절연물질이 코팅되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 1항에 있어서,상기 제2의 전극의 표면에는 절연물질이 코팅되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 2항에 있어서,상기 다수의 홀은 상기 제1의 전극 및 제2의 전극이 장착되는 부분을 제외한 부분에만 마련되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 3항에 있어서,상기 절연물질은 알루미나 또는 세라믹인 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 4항에 있어서,상기 대기압 상태에서 발생시킨 플라스마는 상기 샘플의 타공정과 인라인으로 공정으로 공급되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 5항에 있어서,상기 돌기부는 삼각뿔 형상, 원형의 엠보싱 형상, 사각 기둥 형상, 원추 형상, 원뿔 또는 다각뿔 형상 중의 어느 하나이고, 방전이 상기 제1의 전극과 제2의 전극 사이의 영역 전체에서 일어나도록 상기 제1의 전극의 전면 전체에 열과 행을 이루도록 규칙적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 6항에 있어서,상기 플라스마 발생부는 상기 기판을 가열하는 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 하나에 있어서,상기 플라스마 발생부는 사각기둥 형상이고,상기 제1의 전극은 상기 사각기둥 형상의 일면에 마련되고, 상기 제2의 전극은 상기 제1의 전극의 대향 면에 마련되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 8항에 있어서,상기 처리가스 공급부에는 비반응성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 하나에 있어서,상기 플라스마 발생부는 원통형이고,상기 제1의 전극은 상기 원통형의 일부분에 마련되고, 상기 제2의 전극은 상기 제1의 전극의 대향 부분에 마련되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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대기압 상태에서 발생시킨 플라스마를 기판상에 마련된 샘플에 이용하도록 고밀도의 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생부를 구비한 플라스마 발생장치로서,상기 플라스마 발생부는 처리가스를 공급하는 처리가스 공급부,상기 처리 가스의 흐름 방향에 수직으로 상기 플라스마 발생부의 중앙에 배치되는 제1의 전극,상기 제1의 전극과 일정 간격 이격되어 각각 대향 배치된 다수의 제2의 전극,상기 제1의 전극 및 다수의 제2의 전극에 의해 형성된 상기 고밀도 플라스마를 배출하는 플라스마 배출구를 포함하고,상기 처리가스 공급부에서 공급되는 처리가스는 상기 제1의 전극과 다수의 제2의 전극 사이로 공급되고,상기 플라스마 배출구에는 상기 플라스마를 배출하기 위한 다수의 홀이 마련되고,상기 제1의 전극에는 고전압을 공급하는 전원공급부가 연결되고, 상기 제2의 전극은 접지에 연결되며,상기 제1의 전극의 표면은 돌기부로 이루어지고, 상기 돌기부의 표면에는 절연물질이 코팅되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 11항에 있어서,상기 제2의 전극의 표면에는 절연물질이 코팅되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 12항에 있어서,상기 절연물질은 알루미나 또는 세라믹인 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 13항에 있어서,상기 돌기부는 삼각뿔 형상, 원형의 엠보싱 형상, 사각 기둥 형상, 원추 형상, 원뿔 또는 다각뿔 형상 중의 어느 하나이고, 방전이 상기 제1의 전극과 제2의 전극 사이의 영역 전체에서 일어나도록 상기 제1의 전극의 전면 전체에 열과 행을 이루도록 규칙적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 14항에 있어서,상기 플라스마 발생부는 상기 기판을 가열하는 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 11항 내지 제 15항 중 어느 하나에 있어서,상기 플라스마 발생부는 사각기둥 형상이고,상기 제1의 전극은 상기 사각기둥 형상의 중앙에 마련되고, 상기 다수의 제2의 전극은 상기 제1의 전극의 대향면에 각각 마련되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 11항 내지 제 15항 중 어느 하나에 있어서,상기 플라스마 발생부는 원통형이고,상기 제1의 전극은 상기 원통형의 중앙부분에 마련되고, 상기 다수의 제2의 전극은 상기 제1의 전극의 대향 부분에 마련되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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대기압 상태에서 발생시킨 플라스마를 기판상에 마련된 샘플에 이용하도록 고밀도의 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생부를 구비한 플라스마 발생장치로서,복수의 회전하는 샤프트, 상기 샤프트를 내삽하는 복수의 롤러, 상기 기판을 지지하고 상기 기판을 이동시키는 기판 이송부를 포함하고,상기 플라스마 발생부는 처리가스를 공급하는 처리가스 공급부,상기 처리 가스의 흐름 방향에 수직으로 배치되는 제1의 전극,상기 제1의 전극과 일정 간격 이격되어 대향 배치된 제2의 전극,상기 제1의 전극 및 제2의 전극에 의해 형성된 상기 고밀도 플라스마를 배출하는 플라스마 배출구를 포함하고,상기 플라스마 배출구에는 상기 플라스마를 배출하기 위한 다수의 홀이 마련되고,상기 제1의 전극에는 고전압을 공급하는 전원공급부가 연결되고, 상기 제2의 전극은 접지에 연결되며,상기 제1의 전극의 표면은 돌기부로 이루어지고, 상기 돌기부의 표면에는 절연물질이 코팅되며,상기 대기압 상태에서 발생시킨 플라스마는 상기 샘플의 타공정과 인라인으로 공정으로 공급되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 18항에 있어서,상기 제2의 전극의 표면에는 절연물질이 코팅되는 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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제 19항에 있어서,상기 절연물질은 알루미나 또는 세라믹인 것을 특징으로 하는 플라스마 발생장치
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