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능동형과 수동형의 유기 전계 발광 표시소자를 구성하는 투명 전도성 전극을 제작할 때, 발생하는 에너지원으로부터 하층에 위치하는 유기부의 손상을 방지하기 위한 유기물 보호층을 구비하고, 상기 유기물 보호층은 하나 또는 둘 이상의 막이 단독 내지 순차적으로 구성되거나 어느 한 층 이상에 단독 또는 복수의 막이 금속 또는 비금속으로 도핑되는 구조로 마련되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자,
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제 1 항에 있어서,상기 유기물 보호층은 스퍼터링의 증착 방법에 의해 투명 전도성 전극을 제작할 때 발생하는 에너지원으로부터, 미리 제작된 상기 유기 부를 구성하는 유기물의 포격에 의한 손상, 전하의 충전에 의한 손상, 열에 의한 손상 그리고 자외선 및 가시광선에 의한 손상을 보호하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 물 보호층은 금속, 절연체, 유기물 및 염으로 구성되며,상기 금속은 바륨, 칼슘 및 마그네슘을 포함하는 알칼리 토 금속과 리튬, 베릴륨, 나트륨, 칼륨 및 세슘을 포함하는 알칼리 금속, 전형원소, 내부 전이 금속, 외부전이금속, 란탄 계열 금속, 악티늄 계열 금속, 양쪽성 금속 중의 하나이며,상기 절연체로는 양 이온부와 음이온 부가 결합되는 어느 한 형태이며, 할로겐화금속(MxXy), 산화금속(MxOy), 황화금속(MxSy), 인화금속(MxPy), 텔루오르화금속(MxTey), 질화금속(MxNy) 및 수산화금속(Mx(OH)y)을 대표적으로 포함하는 염의 형태(M은 상기 금속, x와 y는 실수)이며,상기 유기물은 프탈로시아닌, 포피린, 퀴놀린, 헤테로고리 화합물을 포함하는 금속 착체, 헤테로고리 화합물, 환상 고리 지방족 화합물, 고분자 및 올리고머 중의 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자
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제 1항에 있어서, 상기 유기물 보호층은 낮은 일함수의 금속 또는 높은 일함수의 금속/금속 보호층의 구조를 가지며,상기 낮은 일함수와 높은 일함수의 금속에 있어서 순서는 임의적이며, 일함수는 1 내지 6
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제 1 항에 있어서, 상기 유기물 보호층은 바륨/금속, 금속이 도핑된 바륨, 리튬 플루오라이드/알루미늄/은, 칼슘/은 또는 은 도핑된 마그네슘의 구조를 포함하는 전자 주입 층/금속 층/금속 보호층 및 전자 주입 층/금속 층으로 단독 또는 복수로 구성되고, 배열순서는 변경가능하고, 상기 금속 보호층은 금속 층의 산화를 억제하고, 금속 층과 투명 전도성 전극과의 사이에 좋은 밀착력을 유지시키는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 유기물 보호층의 투과도는 1~99%의 값을 지니고, 반사 도는 1~99%의 값을 지니며, 흡광도는 1~95%의 값이며, 비저항은 10-3~10-6 Ω·cm를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 전계 발광 표시소자에 있어서 투명 전도성 전극은 인듐 주석 산화 막(ITO), 인듐 산화 막(In2O3), 주석 산화 막(SnO2), 아연 산화 막(ZnO), 알루미늄 도핑된 아연 산화 막(AZO) 및 인듐 아연 산화 막(IZO)로 구성된 군으로부터 선택된 단독 또는 복합체로 이루어진 구조를 갖고, 프로라이드(F), 브로마이드(Br) 및 크로라이드(Cl)가 산소 원자에 치환된 n형 투명 전도성 전극 및 p형 투명 전도성 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 전계 발광 표시소자는 전면, 양면 또는 배면발광이며, 상기 유기 부는 기판, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 발광 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 구조를 구비하고, 상기 유기 부를 구성하는 발광 층에는 상기 유기물 보호층 위에 투명 전도성 전극이 접촉되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 전계 발광 표시 소자의 구조에 있어서, 단독 또는 복수의 유기부의 접촉면이 2개 이상의 투명 전도성 전극에 연속 적층되고, 각각의 유기부의 가장 상층에 상기 투명 전도성 막인 양전극이나 음전극이 접촉되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 전계 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 유기 전계 발광 표시소자에 있어서, 투명 전도성 막은 상기 유기부가 2 층 이상인 전면 유기 발광 소자의 구조에서 막질의 균일성을 지닌 무정형 또는 결정의 형상을 지니도록 하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자
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제 1항에 있어서, 상기 유기물 보호층/투명 전도성 전극/공기와의 굴절률 매칭 층의 구조에서, 인듐 주석 산화물(In2-xSnxO3), 실리콘나이트라이드(SiNx), 타이타늄옥사이드(TiO2)을 포함하는 투명전도성 전극의 굴절률은 0
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제 1항에 있어서, 상기 유기 전계 발광 표시소자를 위한 가요성 기판을 포함하며,상기 기판은 투명 기판 또는 불투명 기판이고,상기 투명기판은 유리, 플라스틱, PET, PES, PC, PT, 박막 Si 웨이퍼 중의 어느 하나이며, 상기 불투명 기판은 금속(SUS, Al, Ag) 포일, Si 웨이퍼, 불투명 플라스틱 중의 어느 하나이며, 빛의 방출방향은 전면 쪽을 향하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자
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기판을 마련하는 단계,상기 기판 상에 고 반사 다층 양극 층을 진공 증착하여 형성하는 단계,상기 고 반사 다층 양극 상에 유기 층들로 구성된 유기 부를 형성하는 단계,상기 유기 부 상에 상기 유기 층의 손상을 보호하는 유기물 보호층을 마련하는 단계,상기 유기물 보호층상에 투명 전도성 전극인 음극 층을 마련하는 단계 및상기 음극 층상에 굴절률 매칭 층을 마련하는 단계를 포함하고,상기 유기물 보호층은 하나 또는 둘 이상의 막이 단독 내지 순차적으로 구성되거나 어느 한 층 이상에 단독 또는 복수의 막이 금속 또는 비금속으로 도핑되는 구조로 마련되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법,
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제 13 항에 있어서,상기 유기물 보호층은 스퍼터링의 증착 방법에 의해 투명 전도성 전극을 제작할 때 발생하는 에너지원으로부터, 미리 제작된 유기 부를 구성하는 유기물의 포격에 의한 손상, 전하의 충전에 의한 손상, 열에 의한 손상 그리고 자외선 및 가시광선에 의한 손상을 보호하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 유기 물 보호층은 금속, 절연체, 유기물 및 염으로 구성되며,상기 금속은 바륨, 칼슘 및 마그네슘을 포함하는 알칼리 토 금속과 리튬, 베릴륨, 나트륨, 칼륨 및 세슘을 포함하는 알칼리 금속, 전형원소, 내부 전이 금속, 외부전이금속, 란탄 계열 금속, 악티늄 계열 금속, 양쪽성 금속 중의 하나이며,상기 절연체로는 양 이온부와 음이온 부가 결합되는 어느 한 형태이며, 할로겐화금속(MxXy), 산화금속(MxOy), 황화금속(MxSy), 인화금속(MxPy), 텔루오르화금속(MxTey), 질화금속(MxNy) 및 수산화금속(Mx(OH)y)을 대표적으로 포함하는 염의 형태(M은 상기 금속, x와 y는 실수)이며,상기 유기물은 프탈로시아닌, 포피린, 퀴놀린, 헤테로고리 화합물을 포함하는 금속 착체, 헤테로고리 화합물, 환상 고리 지방족 화합물, 고분자 및 올리고머 중의 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 유기물 보호층은 낮은 일함수의 금속 또는 높은 일함수의 금속/금속 보호층의 구조를 가지며,상기 낮은 일함수와 높은 일함수의 금속에 있어서 순서는 임의적이며, 일함수는 1 내지 6
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제 13 항에 있어서, 상기 유기물 보호층은 바륨/금속, 금속이 도핑된 바륨, 리튬 플루오라이드/알루미늄/은, 칼슘/은 또는 은 도핑된 마그네슘의 구조를 포함하는 전자 주입 층/금속 층/금속 보호층 및 전자 주입 층/금속 층으로 단독 또는 복수로 구성되고, 배열순서는 변경가능하고, 상기 금속 보호층은 금속 층의 산화를 억제하고, 금속 층과 투명 전도성 전극과의 사이에 좋은 밀착력을 유지시키는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 유기물 보호층의 투과도는 1~99%의 값을 지니고, 반사 도는 1~99%의 값을 지니며, 흡광도는 1~95%의 값이며, 비저항은 10-3~10-6 Ω·cm를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 유기물 보호층은 초당 0
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제 13 항에 있어서, 상기 유기 전계 발광 표시소자에 있어서 상기 투명 전도성 전극은 인듐 주석 산화 막(ITO), 인듐 산화 막(In2O3), 주석 산화 막(SnO2), 아연 산화 막(ZnO), 알루미늄 도핑된 아연 산화 막(AZO) 및 인듐 아연 산화 막(IZO)로 구성된 군으로부터 선택된 단독 또는 복합체로 이루어진 구조를 갖고, 프로라이드(F), 브로마이드(Br) 및 크로라이드(Cl)가 산소 원자에 치환된 n형 투명 전도성 전극 및 p형 투명 전도성 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 투명 전도성 전극은 상기 유기부가 2 층 이상인 전면 유기 발광 소자의 구조에서 막질의 균일성을 지닌 무정형 또는 결정의 형상을 지니도록 하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 유기물 보호층은 막질의 우수한 균일성과 증착 시 상기 유기 막의 손상 없이 높은 증착 속도를 지닌 대면 적 유기 발광 패널을 얻기 위해 직류 플라즈마, 직류 펄스 플라즈마, 알에프 플라즈마, 펄스 레이저, 이온 빔, 이온 빔 도움된, 세슘 흡수 아르곤 직류 플라즈마, 세슘 흡수 아르곤 알에프 플라즈마( 중의 어느 하나의 증착 방법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 유기물 보호층/투명 전도성 전극/공기와의 굴절률 매칭 층의 구조에서, 인듐 주석 산화물(In2-xSnxO3), 실리콘나이트라이드(SiNx), 타이타늄옥사이드(TiO2)을 포함하는 투명전도성 전극의 굴절률은 0
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제 13 항에 있어서, 상기 유기 전계 발광 표시소자의 유기 발광소자의 제작에 있어 상기 소자 내의 수분 및 산소 침투 방지하거나 제거하는 목적으로 막 흡수 층, 유/무기 혼합 박막 층, 스테인레스 스틸(SUS) 캔, 유리 캔 중의 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시소자의 제조 방법
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