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습식 방식으로 형성된 산화물 반도체 박막을 포함하는 가스 배리어막
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제1항에서, 상기 산화물 반도체 박막은 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga) 및 인듐(In)으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 2개의 원소를 포함하는 산화물 반도체 박막인 가스 배리어막
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제2항에서,상기 습식 방식은 용매에 상기 원소가 포함된 물질을 녹이고, 상기 물질의 용액을 기재 표면에 도포한 후에, 250℃ 이하의 온도에서 경화시켜서 해당 산화물 반도체를 형성하는 방식인 가스 배리어막
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제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막을 2층 이상 포함하는 적층체인 가스 배리어막
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제1항에 있어서, 폴리머 박막을 더 포함하는 적층체인 가스 배리어막
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제5항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막 또는 상기 폴리머 박막을 2층이상 포함하는 적층체인 가스 배리어막
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제5항에 있어서, 상기 폴리머 박막의 재료는 멜라민, 아크릴, 아미드, 이미드, 우레탄, 실리콘(silicone), 아미드이미드, 에폭시, 에폭시 아크릴레이트, 염화 비닐, 불화 비닐리덴 및 페놀로 구성된 군으로부터 선택된 폴리머 박막인 가스 배리어막
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가스 배리어 필름에서,제1항 내지 제7항중 어느 한 항의 가스 배리어막 및 플라스틱 필름을 포함하는 적층체인 가스 배리어 필름
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제8항에 있어서,상기 플라스틱 필름의 재료는 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르술폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 및 폴리아미드이미드로 구성된 군으로부터 선택된 플라스틱인 가스 배리어 필름
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제1항 내지 제7항의 어느 한 항에 기재된 가스 배리어막을 포함하는 전자 소자
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제8항의 가스 배리어 필름을 포함하는 전자 소자
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가스 배리어막의 제조 방법으로서,습식 방식에 의해서 산화물 반도체 박막을 형성하는 공정; 상기 산화물 반도체 박막의 표면을 플라즈마 처리하는 공정; 및상기 플라즈마 처리된 표면 상에 상기 산화물 반도체 박막 또는 폴리머 박막을 형성하는 공정을 포함하거나,폴리머 박막을 형성하는 공정; 상기 폴리머 박막의 표면을 플라즈마 처리하는 공정; 및상기 플라즈마 처리된 표면 상에 습식 방식에 의해서 산화물 반도체 박막을 형성하는 공정을 포함하며,상기 산화물 반도체 박막은 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga) 및 인듐(In)으로 구성된군으로부터 선택된 적어도 2개의 금속원소를 포함하는 산화물 반도체 박막인 가스 배리어막의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막을 형성하는 공정은, 용매에 상기 금소 원소를 포함하는 물질을 녹이는 공정, 상기 물질의 용액을 기재 표현에 도포하는 공정 및 250℃ 이하 온도에서의 경화공정을 더 포함하는, 가스 배리어막의 제조 방법
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가스 배리어 필름의 제조 방법으로서,플라스틱 필름을 형성하는 공정;상기 플라스틱 필름의 상, 하중 적어도 한쪽에 습식 방식에 의해서 산화물 반도체 박막을 형성하는 공정; 및상기 플라스틱 필름 및 상기 산화물 반도체 박막 사이의 표면을 플라즈마 처리하는 공정을 포함하며, 상기 산화물 반도체 박막은 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga) 및 인듐(In)으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 2개의 금속원소를 포함하는 산화물 반도체 박막인 가스 배리어 필름의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 산화물 반도체 박막을 형성하는 공정은,용매에 상기 금소 원소를 포함하는 물질을 녹이는 공정, 상기 물질의 용액을 기재 표현에 도포하는 공정 및 250℃ 이하 온도에서의 경화공정을 더 포함하는, 가스 배리어 필름의 제조 방법
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