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탄소나노튜브 엔 도핑 물질 및 방법, 이를 이용한 소자

기술번호 : KST2015143035
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	니코틴아미드 또는 니코틴아미드와 화학적으로 결합된 화합물 중에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 CNT n-도핑 물질과 이를 소자 등에 응용하는 기술이 개시된다. 상기 CNT n-도핑 물질을 이용하여 CNT를 n-도핑 하는 경우 공기 중에서 장기간 도핑 안정성을 확보할 수 있고 도핑 상태의 제어도 용이하다.CNT, n-도핑, 니코틴아미드, 도핑 안정성, 도핑 상태 제어, 소자
Int. CL	B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC	C01B 32/168(2013.01) C01B 32/168(2013.01) C01B 32/168(2013.01) C01B 32/168(2013.01) C01B 32/168(2013.01) C01B 32/168(2013.01) C01B 32/168(2013.01)
출원번호/일자	1020080053349 (2008.06.05)
출원인	삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1450591-0000 (2014.10.07)
공개번호/일자	10-2009-0126959 (2009.12.09) 문서열기
공고번호/일자	(20141017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.05.16)
심사청구항수	21

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	최재영	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	신현진	대한민국	경기도 수원시 장안구
3	윤선미	대한민국	경기도 용인시 기흥구
4	강보람	대한민국	전라북도 전주시 완산구
5	이영희	대한민국	경기도 수원시 권선구
6	김언정	대한민국	부산광역시 금정구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김 순 영	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 , *층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사		경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교산학협력단		경기도 수원시 장안구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.06.05	수리 (Accepted)	1-1-2008-0406819-66
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.21	수리 (Accepted)	4-1-2012-5132663-40
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2013.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-0434413-07
7	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.06.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.07.10	수리 (Accepted)	9-1-2014-0056837-73
9	등록결정서 Decision to grant	2014.07.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0488486-09
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 니코틴아미드 또는 니코틴아미드와 화학적으로 결합된 화합물 중에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 CNT n-도핑 물질
2	2 제 1 항에 있어서,상기 니코틴아미드 또는 니코틴아미드와 화학적으로 결합된 화합물은 환원된 형태로 사용되는 CNT n-도핑 물질
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 니코틴아미드와 화학적으로 결합된 화합물은 NMN, NAD 또는 NADP인 CNT n-도핑 물질
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 니코틴아미드와 화학적으로 결합된 화합물은 NMNH, NADH 또는 NADPH인 CNT n-도핑 물질
5	5 제 1 항에 있어서,상기 CNT n-도핑 물질은 용매를 더 포함하는 CNT n-도핑 물질
6	6 니코틴아미드 또는 니코틴아미드와 화학적으로 결합된 화합물 중에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 물질을 이용하여 CNT를 n-도핑하는 단계를 포함하는 CNT n-도핑 방법
7	7 제 6 항에 있어서,상기 물질을 n-도핑을 원하는 CNT에 제공하는 단계; 및 상기 물질이 제공된 CNT를 가열하는 단계;를 포함하는 CNT n-도핑 방법
8	8 제 6 항에 있어서,상기 물질의 사용 양을 조절하여 CNT의 n-도핑 상태를 조절하는 CNT n-도핑 방법
9	9 제 6 항에 있어서,상기 물질을 용매와 혼합하여 용액 상태로 사용하는 CNT n-도핑 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 용액의 사용 양을 조절하여 CNT의 n-도핑 상태를 조절하는 CNT n-도핑 방법
11	11 제 9 항에 있어서,상기 용액 중 상기 물질의 농도를 조절하여 CNT의 n-도핑 상태를 조절하는 CNT n-도핑 방법
12	12 제 7 항에 있어서,상기 가열 시, 가열 온도 또는 가열 시간 중 어느 하나 이상의 변수를 조절함으로써 CNT의 n-도핑 상태를 조절하는 CNT n-도핑 방법
13	13 제 12 항에 있어서,상기 가열 온도는 40℃ 이상 250℃ 이하인 CNT n-도핑 방법
14	14 제 12 항에 있어서,상기 가열 시간은 10초 이상 100시간 이하인 CNT n-도핑 방법
15	15 니코틴아미드 또는 니코틴아미드와 화학적으로 결합된 화합물 중에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 물질을 이용하여 n-도핑된 CNT
16	16 제 15 항에 있어서,상기 CNT는 공기 중에서 n-타입을 나타내는 CNT
17	17 제 15 항에 있어서,상기 CNT는 공기 중에서 30일 경과 후 n-타입을 나타내는 CNT
18	18 니코틴아미드 또는 니코틴아미드와 화학적으로 결합된 화합물 중에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 물질을 이용하여 n-도핑된 CNT를 포함하는 소자
19	19 제 18 항에 있어서, 상기 소자는 전계 효과 트랜지스터인 소자
20	20 제 18 항에 있어서, 상기 소자는 PN 접합 다이오드인 소자
21	21 제 18 항에 있어서, 상기 소자는 CMOS인 소자

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP05563215	JP	일본	FAMILY
2	JP21292714	JP	일본	FAMILY
3	US07968013	US	미국	FAMILY
4	US20100140561	US	미국	FAMILY
5	US20110215416	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP2009292714	JP	일본	DOCDBFAMILY
2	JP5563215	JP	일본	DOCDBFAMILY
3	US2010140561	US	미국	DOCDBFAMILY
4	US2011215416	US	미국	DOCDBFAMILY
5	US7968013	US	미국	DOCDBFAMILY

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1450591-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080605 출원 번호 : 1020080053349 공고 연월일 : 20141017 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140717 청구범위의 항수 : 21 유별 : C01B 31/02 발명의 명칭 : 탄소나노튜브 엔 도핑 물질 및 방법, 이를 이용한 소자 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구...
1	(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	864,000 원	2014년 10월 08일	납입
제 4 년분	금 액	502,000 원	2017년 09월 19일	납입
제 5 년분	금 액	502,000 원	2018년 09월 17일	납입
제 6 년분	금 액	502,000 원	2019년 09월 16일	납입
제 7 년분	금 액	898,000 원	2020년 09월 21일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.06.05	수리 (Accepted)	1-1-2008-0406819-66
2	출원인정보변경(경정)신고서	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
3	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
4	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.21	수리 (Accepted)	4-1-2012-5132663-40
5	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2013.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-0434413-07
7	선행기술조사의뢰서	2014.06.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서	2014.07.10	수리 (Accepted)	9-1-2014-0056837-73
9	등록결정서	2014.07.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0488486-09
10	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43


과제고유번호	1345086124
세부과제번호	03-2006-04-001-00
연구과제명	테라급탄소나노튜브전자소자개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	삼성전자
성과제출연도	2008
연구기간	200007~201003
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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