| 1 |
1
내지문성 박막 형성 방법에 있어서,플라즈마 기판 처리 장치의 챔버에 기판을 준비하는 단계,상기 챔버에 주입 가스 및 전구체 물질을 공급하는 단계,상기 플라즈마 기판 처리 장치의 상부 전극 및 하부 전극 중 어느 하나에 전력을 공급하여 플라즈마를 발생시키는 단계 및상기 발생된 플라즈마에 의하여 상기 기판에 내지문성 박막이 형성되는 단계를 포함하는 내지문성 박막 형성 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 전구체 물질은 사이클로메티콘(Cyclomethicone, C8H24Si4O4), 헥사메틸디옥실란(HMDSO) 및 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS) 중 어느 하나인 내지문성 박막 형성 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 전구체 물질은 2-플루오로-6-메톡시벤즈알데히드, 3-플루오로-4 메톡시벤즈알데히드, 4-플루오로-3 메톡시벤즈알데히드, 5-플루오로-2 메톡시벤즈알데히드, 2-플루오로-6 메톡시페놀, 4-플루오로-2 메톡시페놀 및 5-플루오로-3 메톡시살리실알데히드 중 어느 하나인 내지문성 박막 형성 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 상부 전극에 13
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 하부 전극에 13
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리, 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리에테르에테르케톤(Polyetheretherketone, PEEK), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에테르 술폰(polyether sulfone, PES), 폴리아릴라이트(polyarylite) 및 사이클릭 올레핀 코폴리머(cyclic olefin copolymer, COC) 중 어느 하나인 것인 내지문성 박막 형성 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 형성된 내지문성 박막은 메틸기(CH3) 또는 불화탄소기(CF)를 포함하는 것인 내지문성 박막 형성 방법
|
