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환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브와 그 제조 방법 및 그를 이용한 전기 소자

  • 기술번호 : KST2015143363
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  • 전화번호 :
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요약 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브(CNT)를 제조하는 방법과 이러한 방법을 통하여 제조된 탄소 나노튜브 및 그를 포함하는 전기 소자를 개시한다. 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브는 환원제 처리 조건을 변화시킴으로써 탄소 나노튜브의 도핑 정도와 띠 간격 등의 전자적 특성을 광범위하고 용이하게 조절할 수 있는 특징이 있다. 탈도핑, 탄소 나노튜브, 환원제
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B82Y 15/00 (2011.01) H01L 29/775 (2006.01)
CPC C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01)
출원번호/일자 1020090107171 (2009.11.06)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1014007-0000 (2011.02.01)
공개번호/일자 10-2009-0119823 (2009.11.20) 문서열기
공고번호/일자 (20110214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2007-0072673 (2007.07.20)
관련 출원번호 1020070072673
심사청구여부/일자 Y (2009.11.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤선미 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 신현진 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 최재영 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 최성재 대한민국 서울특별시 양천구
5 이영희 대한민국 경기도 수원시 권선구
6 김기강 대한민국 충청북도 단양군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2009.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0684523-34
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0053249-66
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0215767-14
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0291680-01
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0352440-61
6 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.09.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0038327-71
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0493750-27
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0842903-67
9 등록결정서
Decision to grant
2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0059774-99
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
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(a) 탄소 나노튜브를 수소화붕소테트라부틸암모늄, 글리콜계 용매 및 디올계 용매 중 어느 하나의 환원제와 반응시켜 S11/S22 의 흡광도 비율이 1 이상인 전자가 주입된 CNT를 생성하는 단계 및 (b) 상기 (a) 단계의 반응 혼합물을 분산제를 이용하여 용매에서 분산한 후 S11/S22 의 흡광도 비율이 1 이상인 전자가 주입된 CNT를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법
5 5
(a) 탄소 나노튜브를 수소화붕소테트라부틸암모늄, 글리콜계 용매 및 디올계 용매 중 어느 하나의 환원제와 반응시켜 S11/S22 의 흡광도 비율이 1 이상인 전자가 주입된 CNT를 생성하는 단계 및 (b) 상기 (a) 단계의 반응 혼합물로부터 S11/S22 의 흡광도 비율이 1 이상인 전자가 주입된 CNT를 원심 분리하여 회수하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법
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8 8
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계의 전자가 주입된 CNT는 p-형 도핑된 CNT, 중성 도핑된 CNT, n-형 도핑된 CNT 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a)단계의 전자가 주입된 CNT는, 환원제의 양, 환원 반응 시간 또는 온도에 따라서, 전자 밀도가 정하여지는 것임을 특징으로 하는 전자가 주입된 CNT 조성물의 제조 방법
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11 11
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12 12
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP21023906 JP 일본 FAMILY
2 KR100931962 KR 대한민국 FAMILY
3 US20090022650 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2009023906 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2009022650 US 미국 DOCDBFAMILY
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