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금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법

  • 기술번호 : KST2014051254
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 관한 것으로서, 반도체 공정에서 널리 사용되고 있는 알루미늄, 티타늄, 백금 등의 금속전극 위에 일부 영역에만 국한하여 산화아연 및 실리콘 나노선의 합성이 이루어지도록 하여 웨이퍼 스케일에서 나노선의 합성과 동시에 나노선의 정렬이 이루어지도록 함으로써, 적은 공정 비용으로 다중의 나노선 소자를 일괄적으로 제조할 수 있어 궁극적으로 전자소자, 광전자소자, 레이져, 화학센서 등의 다양한 나노소자의 대량 생산에 효과적으로 활용할 수 있는 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 관한 것이다. 반도체, 나노선, 웨이퍼, 전도성 전극, 촉매층
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060070528 (2006.07.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0785347-0000 (2007.12.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.27)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경수 대한민국 서울 노원구
2 권석준 대한민국 서울 도봉구
3 박재관 대한민국 서울 노원구
4 박재환 대한민국 서울 마포구
5 최영진 대한민국 서울 용산구
6 강해용 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0539838-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0021589-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0351677-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0620709-72
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0620715-46
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0651353-84
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 백금(Pt)으로 이루어진 하부 전도성 전극 위에 금 촉매층을 패터닝하는 제1단계와, 상기 금 촉매층이 패터닝된 영역에서 산화아연 나노선 및 실리콘 나노선이 합성되는 동시에 정렬되는 제2단계를 포함하여 이루어진 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 있어서,상기 하부 전도성 전극은 두께 3000 ~ 8000Å, 선폭 100㎛인 것을 특징으로 하는 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법
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알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 백금(Pt)으로 이루어진 하부 전도성 전극 위에 금 촉매층을 패터닝하는 제1단계와, 상기 금 촉매층이 패터닝된 영역에서 산화아연 나노선 및 실리콘 나노선이 합성되는 동시에 정렬되는 제2단계를 포함하여 이루어진 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 있어서,상기 금 촉매층은 20 ~ 100Å 두께이며, 이온 스퍼터링 공정에 의해 패터닝 가능한 것을 특징으로 하는 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법
4 4
알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 백금(Pt)으로 이루어진 하부 전도성 전극 위에 금 촉매층을 패터닝하는 제1단계와, 상기 금 촉매층이 패터닝된 영역에서 산화아연 나노선 및 실리콘 나노선이 합성되는 동시에 정렬되는 제2단계를 포함하여 이루어진 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 있어서, 상기 산화아연 나노선의 합성 단계는 원료로 산화아연과 흑연 분말(순도는 99
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알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 백금(Pt)으로 이루어진 하부 전도성 전극 위에 금 촉매층을 패터닝하는 제1단계와, 상기 금 촉매층이 패터닝된 영역에서 산화아연 나노선 및 실리콘 나노선이 합성되는 동시에 정렬되는 제2단계를 포함하여 이루어진 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 있어서, 상기 실리콘 나노선의 합성 단계는 반응관 전체 압력이 1 ~ 100 Torr로 유지된 상태에서, 헬륨(He)에 5부피% 희석된 유기 금속(Metal organic)가스인 실레인(SiH4)가스 및 수소가스(H2)를 각각 10 ~ 100 sccm, 10 ~ 200 sccm로 주입하는 화학기상증착법으로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법
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알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 백금(Pt)으로 이루어진 하부 전도성 전극 위에 금 촉매층을 패터닝하는 제1단계와, 상기 금 촉매층이 패터닝된 영역에서 산화아연 나노선 및 실리콘 나노선이 합성되는 동시에 정렬되는 제2단계를 포함하여 이루어진 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 있어서, 반응가스인 산소/아르곤의 부피비가 0
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알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 백금(Pt)으로 이루어진 하부 전도성 전극 위에 금 촉매층을 패터닝하는 제1단계와, 상기 금 촉매층이 패터닝된 영역에서 산화아연 나노선 및 실리콘 나노선이 합성되는 동시에 정렬되는 제2단계를 포함하여 이루어진 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 있어서,반응가스인 산소/아르곤의 부피비가 1 ~ 10 이고, 온도가 약 850 ~ 950℃ 인 산화아연 나노선의 합성 조건일 경우, 백금(Pt) 및 금(Au) 위에서 산화아연 나노선이 자라는 것을 특징으로 하는 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법
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알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 백금(Pt)으로 이루어진 하부 전도성 전극 위에 금 촉매층을 패터닝하는 제1단계와, 상기 금 촉매층이 패터닝된 영역에서 산화아연 나노선 및 실리콘 나노선이 합성되는 동시에 정렬되는 제2단계를 포함하여 이루어진 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 있어서,반응가스인 산소/아르곤의 부피비가 2 ~ 12 이고, 온도가 약 950 ~ 1000℃ 인 산화아연 나노선의 합성 조건일 경우, 백금(Pt) 위에서 산화아연 나노선이 자라는 것을 특징으로 하는 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법
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알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 백금(Pt)으로 이루어진 하부 전도성 전극 위에 금 촉매층을 패터닝하는 제1단계와, 상기 금 촉매층이 패터닝된 영역에서 산화아연 나노선 및 실리콘 나노선이 합성되는 동시에 정렬되는 제2단계를 포함하여 이루어진 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 있어서, 반응가스인 실레인(SiH4)가스/수소가스(H2)의 부피비가 10 ~ 80 이고, 온도가 500 ~ 600℃ 인 실리콘 나노선의 합성 조건일 경우, 금(Au) 위에서 실리콘 나노선이 자라는 것을 특징으로 하는 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법
10 10
알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 백금(Pt)으로 이루어진 하부 전도성 전극 위에 금 촉매층을 패터닝하는 제1단계와, 상기 금 촉매층이 패터닝된 영역에서 산화아연 나노선 및 실리콘 나노선이 합성되는 동시에 정렬되는 제2단계를 포함하여 이루어진 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 있어서, 반응가스인 실레인(SiH4)가스/수소가스(H2)의 부피비가 70 ~ 120 이고, 온도가 550 ~ 700℃ 인 실리콘 나노선의 합성 조건일 경우, 알루미늄(Al) 위에서 실리콘 나노선이 자라는 것을 특징으로 하는 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법
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알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 백금(Pt)으로 이루어진 하부 전도성 전극 위에 금 촉매층을 패터닝하는 제1단계와, 상기 금 촉매층이 패터닝된 영역에서 산화아연 나노선 및 실리콘 나노선이 합성되는 동시에 정렬되는 제2단계를 포함하여 이루어진 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 있어서,반응가스인 실레인(SiH4)가스/수소가스(H2)의 부피비가 10 ~ 100 이고, 온도가 600 ~ 750℃ 인 실리콘 나노선의 합성 조건일 경우, 백금(Pt) 및 금(Au) 위에서 실리콘 나노선이 자라는 것을 특징으로 하는 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법
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알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 백금(Pt)으로 이루어진 하부 전도성 전극 위에 금 촉매층을 패터닝하는 제1단계와, 상기 금 촉매층이 패터닝된 영역에서 산화아연 나노선 및 실리콘 나노선이 합성되는 동시에 정렬되는 제2단계를 포함하여 이루어진 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법에 있어서,반응가스인 실레인(SiH4)가스/수소가스(H2)의 부피비가 20 ~ 120 이고, 온도가 750 ~ 950℃ 인 실리콘 나노선의 합성 조건일 경우, 백금(Pt) 위에서 실리콘 나노선이 자라는 것을 특징으로 하는 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법
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1 US20090317943 US 미국 FAMILY
2 WO2008013341 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 DE112006003964 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 US2009317943 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2008013341 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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