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(a) 금속산화물 전구체 용액과 형광체를 혼합한 후 상기 형광체에 금속 산화물 전구체를 코팅하는 단계;
(b) 상기 금속 산화물 전구체가 코팅된 형광체들을 건조하는 단계; 및
(c) 상기 금속 산화물 전구체가 코팅된 형광체들을 상기 투명전극과 상기 상부 전극 사이에 적층하는 단계를 포함하여 발광층과 유전층을 일체화하여 형성하는 것을 특징으로 하는 분산형 무기 전계발광 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 방법이 금속산화물의 고유저항(resistivity)이 105 Ω·cm 이상인 금속산화물 전구체를 사용하는 것을 특징으로 하는 분산형 무기 전계발광 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 전구체 코팅 단계는 초음파를 이용한 교반기, 기계식 교반기(mechanical stirrer), 자기 교반기(magnetic stirrer) 또는 호모게나이저(homogenizer)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 분산형 무기 전계발광 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 전구체 코팅 단계는 상기 금속산화물 전구체를 상기 형광체에 10 내지 500nm의 두께로 코팅하는 것을 특징으로 하는 분산형 무기 전계발광 소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 금속산화물이 SiO2, Al2O3, BaTiO3 및 TiO2 로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 분산형 무기 전계발광 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 방법이 상기 일체화된 발광층 및 유전층을 형성하는 단계 전후 또는 후에 상기 일체화된 발광층 및 유전층의 상부 또는 상하부에 유전층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 분산형 무기 전계발광 소자의 제조방법
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투명 전극과 상부 전극 사이에 금속산화물 전구체로 코팅된 다수의 형광체들을 포함하여 일체화된 발광층 및 유전층을 포함하는 분산형 무기 전계발광 소자
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제7항에 있어서, 상기 금속산화물의 고유저항(resistivity)이 105 Ω·cm 이상인 것을 특징으로 하는 분산형 무기 전계발광 소자
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제7항에 있어서, 상기 형광체에 코팅된 금속산화물 전구체 막의 두께는 10 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 분산형 무기 전계발광 소자
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제8항에 있어서, 상기 금속산화물이 SiO2, Al2O3, BaTiO3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 분산형 무기 전계발광 소자
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11
제 7 항에 있어서, 상기 소자가 상기 일체화된 발광층 및 유전층의 상부 또는 상하부에 유전층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 분산형 무기 전계발광 소자
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