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수분 투과 방지막의 제조 방법에서, 상기 수분 투과 방지막은, 제1 사이클 및 제2 사이클을 순차적으로 복수회 반복하여 제조되며, 상기 제1 사이클은, 증착 챔버에 수증기, 오존, 산소 라디칼중 적어도 하나를 제1 압력으로 주입하는 단계 및 금속 원소를 포함하는 제1 화학 반응물 가스를, 제1 주입 압력으로 상기 증착 챔버에 주입하는 단계를 포함하고, 상기 제2 사이클은 상기 증착 챔버에 수증기, 오존, 산소 라디칼중 적어도 하나를 제2 압력으로 주입하는 단계 및 금속 원소를 포함하는 제2 화학 반응물 가스를, 제2 주입 압력으로 상기 증착 챔버에 주입하는 단계를 포함하며, 상기 제1 사이클 및 상기 제2 사이클로 형성되는 막은 아몰퍼스 상태인, 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 사이클 및 상기 제2 사이클은, 원자층 증착법(atomic layer deposition) 방식으로 수행되는 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 사이클 및 상기 제2 사이클은 각각 배기하는 단계를 더 포함하는 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 화학 반응물 가스는, TMA(Tri-methyl Aluminum)을 포함하는 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 화학 반응물 가스는, TEMAZ(tetra ethyl methyl amino zirconium)을 포함하는 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 제1 주입 압력은 240mtorr 이상 360mtorr 이하인 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 제2 주입 압력은 260mtorr 이상 380mtorr 인, 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 제1 사이클 동안 성막된 막의 두께는 0
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제5항에 있어서, 상기 제2 사이클 동안 성막된 막의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 제1 압력 및 상기 제2 압력은 130mtorr 이상 210mtorr이하인, 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 사이클 및 상기 제2 사이클 수행으로 형성되는 막은 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티나늄(Ti), 탄탈(Ta) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군에서 선택되는 2개 이상의 원소를 포함하는 균질의 산화물을 포함하는 수분 투과 방지막의 제조 방법
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제1항 내지 제11항의 제조 방법을 이용해 제조된 수분 투과 방지막
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수분 투과 방지막에서, 아몰퍼스 상태인 제1 무기막 및 아몰퍼스 상태인 제2 무기막을 교호로 적층한 구조를 포함하는 수분 투과 방지막
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제13항에 있어서, 상기 제2 무기막은 지르코늄(Zr) 산화막을 포함하는 수분 투과 방지막
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제14항에 있어서, 상기 지르코늄(Zr) 산화막의 두께는 0
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제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 무기막은, 알루미늄(Al) 산화막을 포함하는 수분 투과 방지막
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제16항에 있어서, 상기 알루미늄 산화막의 두께는 0
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수분 투과 방지막에서, 아몰퍼스 상태인 제1 무기막 및 아몰퍼스 상태인 제2 무기막을 교호로 적층한 구조를 포함하고상기 제1 무기막은 제12항의 수분 투과 방지막을 포함하는 수분 투과 방지막
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제18항에 있어서, 상기 제2 무기막은 지르코늄(Zr) 산화막을 포함하는 수분 투과 방지막
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제19항에 있어서, 상기 지르코늄(Zr) 산화막의 두께는 0
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제18항에 있어서, 상기 제1 무기막은, 알루미늄(Al) 산화막을 포함하는 수분 투과 방지막
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제12항의 수분 투과 방지막을 포함하는 전기, 전자 봉지 소자
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제13항의 수분 투과 방지막을 포함하는 전기, 전자 봉지 소자
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제18항의 수분 투과 방지막을 포함하는 전기, 전자 봉지 소자
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