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흡수광 파장변환 수단을 구비한 태양전지

  • 기술번호 : KST2015143389
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 흡수광 파장변환 수단을 구비한 태양전지가 개시된다. 개시된 태양전지는, p-n 접합층의 마주보는 양측에 각각 대응되게 형성된 하부전극 및 투명전극과, 투명전극 상에 배치된 복수의 나노입자를 구비한다. 나노입자는 투명전극으로 입사된 태양광이 실리콘으로 이루어진 p-n 접합층에서 흡수되는 광의 파장을 장파장으로 변환한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020100054499 (2010.06.09)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0134749 (2011.12.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영준 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김종민 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 이화민 중국 경기도 수원시 장안구
4 유원종 미국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0371193-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0240836-25
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0866462-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0132850-44
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0132844-70
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0458071-97
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0803712-13
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0863440-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p-n 접합층;상기 p-n 접합층 하부의 하부전극;상기 p-n 접합층 상부에 배치되며 태양광이 입사되는 투명전극;상기 투명전극 상에 배치된 복수의 나노입자;를 구비한 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서,상기 나노입자는 10-70 nm 입경을 가지는 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 나노입자는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt) 중 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어진 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서,상기 투명전극 및 상기 나노입자 사이에는 산화막이 더 형성된 태양전지
5 5
제 4 항에 있어서,상기 산화막은 SiO2 또는 ZrO2로 이루어진 태양전지
6 6
제 4 항에 있어서,상기 산화막은 10-50nm 두께를 가지는 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서,상기 p-n 접합층은 불순물이 도핑된 실리콘 물질로 이루어진 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.