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챔버;상기 챔버 내부에 형성되며 시스층(sheath)을 포함하는 플라즈마 가스;상기 챔버 내부에 설치되며 상부로 박막이 증착되는 기판;상기 챔버 외부에서 상기 챔버에 소스 전력을 인가하는 소스 RF 전원;상기 챔버 외부에서 상기 기판에 바이어스 전력을 인가하는 바이어스 RF 전원;상기 기판과 상기 바이어스 RF 전원 사이에서의 전류 및 전압에 기반하여 실측 임피던스를 실시간으로 측정하는 임피던스 측정부; 및상기 시스층에 대응하는 제1 커패시턴스, 상기 박막에 대응하는 제2 커패시턴스 및 측정된 상기 실측 임피던스에 기반하여 증착 시간에 따른 상기 박막의 증착 두께를 연산하는 두께 연산부;를 포함하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치
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제 1항에 있어서,상기 시스층은 파워 일렉트로드 시스(powered electrode sheath)와 월 시스(wall sheath)를 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치
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제 1항에 있어서,상기 제1 커패시턴스는 상기 시스층의 면적에 비례하고 상기 시스층의 두께에 반비례하는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치
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제 1항에 있어서,상기 제2 커패시턴스는 상기 박막의 면적에 비례하고 상기 박막의 두께에 반비례하는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치
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제 1항에 있어서,상기 두께 연산부는 상기 제1 커패시턴스 및 상기 제2 커패시턴스에 기반하여 예측 임피던스를 연산하고 상기 예측 임피던스가 상기 실측 임피던스와 동일함에 기반하여 상기 증착 두께를 연산하는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치
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제 5항에 있어서,상기 예측 임피던스는 상기 플라즈마 가스의 벌크 플라즈마(bulk plasma)에 대응하는 벌크 리지스턴스를 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치
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제 6항에 있어서,상기 예측 임피던스는 하기의 수학식 3에 의하여 연산되는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치:[수학식 3]상기 식에서, Z는 예측 임피던스, RB 는 벌크 리지스턴스, 는 RF 소스 전력의 주파수, 는 진공의 유전 상수, 는 증착된 박막의 면적, N은 전자 밀도, k는 볼츠만 상수, 는 이온 평균 자유 경로(ion mean free path), 는 증착된 박막의 두께, 는 박막의 유전 상수, VS 는 시스층의 전압이다
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제 1항에 있어서,상기 챔버는 상기 소스 RF 전원과 연결되는 RF 안테나; 및상기 소스 RF 전원과 상기 RF 안테나 사이에 소스용 매칭회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치
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제 1항에 있어서,상기 바이어스 RF 전원과 상기 기판 사이에 바이어스용 매칭회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치
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제 1항에 있어서,상기 연산된 박막의 증착 두께에 대응하는 증착 두께 정보를 실시간으로 디스플레이하는 디스플레이부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 장치
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박막이 시스층을 포함하는 플라즈마 가스에 의해 챔버 내의 기판 상부로 증착되는 단계(S10);임피던스 측정부가 상기 기판과 상기 기판에 바이어스 전력을 인가하는 바이어스 RF 전원 사이에서의 전류 및 전압에 기반하여 실측 임피던스를 실시간으로 측정하는 단계(S20); 및두께 연산부가 상기 시스층에 대응하는 제1 커패시턴스, 상기 박막에 대응하는 제2 커패시턴스 및 측정된 상기 실측 임피던스에 기반하여 증착 시간에 따른 상기 박막의 증착 두께를 연산하는 단계(S30);를 포함하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 방법
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제 11항에 있어서,상기 두께 연산부의 박막 증착 두께 연산단계(S30)에서,상기 제1 커패시턴스는 상기 시스층의 면적에 비례하고 상기 시스층의 두께에 반비례하는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 방법
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제 11항에 있어서,상기 두께 연산부의 박막 증착 두께 연산단계(S30)에서,상기 제2 커패시턴스는 상기 박막의 면적에 비례하고 상기 박막의 두께에 반비례하는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 방법
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제 11항에 있어서,상기 두께 연산부의 박막 증착 두께 연산단계(S30)는,상기 두께 연산부가 상기 제1 커패시턴스 및 상기 제2 커패시턴스에 기반하여 예측 임피던스를 연산하는 제1 연산단계(S32); 및상기 두께 연산부가 상기 예측 임피던스가 상기 실측 임피던스와 동일함에 기반하여 상기 증착 두께를 연산하는 제2 연산단계(S34);를 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 방법
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제 11항 내지 제 14항 중 어느 한 항의 임피던스를 이용한 인시투 박막 두께 측정 방법을 실행할 수 있는 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록매체
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