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음극활물질, 이를 포함하는 전극, 이를 채용한 리튬전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015143683
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 규칙적인 다공성(ordered porous) 망간산화물을 포함하며, 상기 망간산화물의 기공(pore)이 이중 크기 분포(bimodal size distribution)를 가지는 음극활물질, 이를 포함하는 전극, 이를 채용한 리튬전지 및 상기 음극활물질의 제조방법이 제시된다.
Int. CL H01M 10/052 (2010.01) H01M 4/48 (2010.01) C01G 45/02 (2006.01) H01G 9/042 (2006.01)
CPC H01M 4/48(2013.01) H01M 4/48(2013.01) H01M 4/48(2013.01) H01M 4/48(2013.01)
출원번호/일자 1020110065135 (2011.06.30)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0007306 (2013.01.18) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.20)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손정국 대한민국 충청남도 천안시 동남구
2 최재만 대한민국 경기도 화성시
3 권문석 대한민국 경기도 화성시
4 송민상 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 황승식 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 김한수 대한민국 서울특별시 관악구
7 김지만 대한민국 경기도 수원시 영통구
8 박귀옥 대한민국 경기도 평택시 점촌로**번길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0503200-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0486482-03
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.07 수리 (Accepted) 9-1-2016-0049342-90
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0454325-30
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0831419-75
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0831420-11
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0892299-92
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0067235-40
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.01.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0067236-96
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0073304-35
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기공 및 기공 사이의 벽의 배열이 규칙적인 다공성(ordered porous) 망간산화물을 포함하며,상기 망간산화물이 하기 화학식 1로 표시되며,상기 망간산화물의 기공(pore)이 이중 크기 분포(bimodal size distribution)를 가지는 음극활물질:003c#화학식 1003e#MnxOy상기 식에서, 1≤x≤3, 1≤y≤4, 2≤x+y≤7, 0003c#y/x003c#2이다
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기공이 1nm 내지 5nm 범위의 제 1 피크 및 10nm 내지 20nm 범위의 제 2 피크를 포함하는 음극활물질
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기공이 2nm 내지 5nm 범위의 제 1 피크 및 16 내지 20nm 범위의 제 2 피크를 포함하는 음극활물질
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물의 저각 X-선 회절 스펙트럼(low angle X-ray diffraction spectrum)에서 (110) 면에 대한 피크가 브래그 2θ각 0
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물의 저각 X-선 회절 스펙트럼(low angle X-ray diffraction spectrum)에서 (110) 면에 대한 피크와 (221) 면에 대한 피크의 강도비 I(110)/I(221)가 0
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물의 저각 X-선 회절 스펙트럼(low angle X-ray diffraction spectrum)에서 (110) 면에 대한 피크와 (221) 면에 대한 피크의 강도비 I(110)/I(221)가 0
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물의 기공 사이의 벽을 형성하는 골격 두께가 5nm 이상인 음극활물질
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물의 기공 사이의 벽을 형성하는 골격 두께가 5nm 내지 20nm인 음극활물질
10 10
제 1항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물의 결정 크기가 5nm 이상인 음극활물질
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물의 결정 크기가 5nm 내지 30nm인 음극활물질
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물의 기공 부피가 0
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물의 기공 부피가 0
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물의 기공이 서로 연결되어 채널을 형성하는 음극활물질
15 15
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물의 기공이 1nm 내지 20 nm의 직경을 가지며, 기공 사이의 벽을 형성하는 골격이 5nm 내지 20 nm의 두께를 가지는 음극활물질
16 16
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 망간산화물이 MnO, Mn2O3 및 Mn3O4 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 음극활물질
17 17
제 1 항 및 제 3 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항의 음극활물질을 포함하는 음극
18 18
제 17 항의 음극을 채용한 리튬전지
19 19
제 18 항에 있어서, 음극활물질 단위중량 당 방전용량이 800mAh/g 이상인 리튬전지
20 20
제 18 항에 있어서, 상기 리튬전지가 충방전실험의 첫번째 충전 사이클에서얻어지는 전압(V)에 따른 충전용량(Q)의 변화율(dQ)이 리튬 대비 2
21 21
제 17 항의 음극을 채용한 캐패시터
22 22
제 1 항 및 제 3 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 따른 음극활물질 제조방법으로서,다공성 화합물에 망간 전구체를 포함하는 액체를 함침시키는 단계;상기 액체가 함침된 다공성 화합물을 소성시키는 단계; 및상기 소성의 결과물을 식각액으로 식각하는 단계;를 포함하는 음극활물질 제조 방법
23 23
제 22 항에 있어서, 상기 다공성 화합물이 실리카(SiO2), Al2O3, ZnO, MgO 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인 음극활물질 제조방법
24 24
제 22 항에 있어서, 상기 망간 전구체가 Mn2(NO3)2ㆍ6H2O, Mn(CH3COO)2ㆍxH2O 및 MnCl2ㆍxH2O로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인 음극활물질 제조방법
25 25
제 22 항에 있어서, 상기 액체가 상기 망간 전구체의 용융물 또는 상기 망간 전구체를 용매에 용해시킨 용액인 음극활물질 제조방법
26 26
제 22 항에 있어서, 상기 소성시키는 단계의 소성 온도가 300℃ 내지 700℃인 음극활물질 제조방법
27 27
제 22 항에 있어서, 상기 소성이 산화성 분위기 또는 환원성 분위기에서 수행되는 음극활물질 제조방법
28 28
제 27 항에 있어서, 상기 환원성 분위기가 질소, 아르곤, 헬륨 및 수소로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 가스 분위기인 음극활물질 제조방법
29 29
제 22 항에 있어서, 상기 식각액이 불산(HF), NaOH 및 HF-NH4F로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상인 음극활물질 제조방법
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2 EP02541664 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02541664 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP02541664 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP06116144 JP 일본 FAMILY
6 JP25016481 JP 일본 FAMILY
7 US09790091 US 미국 FAMILY
8 US20130004850 US 미국 FAMILY

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5 EP2541664 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
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7 JP6116144 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US2013004850 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US9790091 US 미국 DOCDBFAMILY
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