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전극 활물질, 이를 포함한 전극, 상기 전극을 포함한 리튬 전지 및 상기 전극 활물질의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015143731
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전극 활물질, 이를 포함한 전극, 상기 전극을 포함한 리튬 전지 및 상기 전극 활물질의 제조 방법이 제공된다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/48 (2010.01.01) H01M 4/133 (2010.01.01) H01M 4/131 (2010.01.01) H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01)
출원번호/일자 1020120065166 (2012.06.18)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1933617-0000 (2018.12.21)
공개번호/일자 10-2013-0032818 (2013.04.02) 문서열기
공고번호/일자 (20190405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110096374   |   2011.09.23
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.15)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손정국 대한민국 경기 화성시 병점*로 **,
2 최재만 대한민국 경기 화성
3 권문석 대한민국 경기 화성
4 김명훈 대한민국 서울 광진구
5 김지만 대한민국 경기 수원시 영통구
6 박귀옥 대한민국 경기 평택시 점촌로**번길
7 송민상 대한민국 경기 성남시 분당구
8 황승식 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0483554-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0570828-35
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.09.07 수리 (Accepted) 9-1-2017-0030338-18
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0494246-93
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0942103-68
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0942102-12
12 등록결정서
Decision to grant
2018.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0815930-01
13 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5008846-83
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리튬 이온의 흡장 및 방출이 가능한 금속 및 금속 산화물 중 1종 이상을 포함한 코어; 및 상기 코어 표면의 적어도 일부에 형성된 결정질 탄소 박막;을 포함하고, 나노-구조를 갖는 전극 활물질이며, 상기 금속이 주석(Sn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo) 및 비스무트(Bi) 중 1종 이상을 포함하고, 상기 금속 산화물이 주석 산화물, 철 산화물, 코발트 산화물, 니켈 산화물, 아연 산화물, 망간 산화물, 몰리브덴 산화물 및 비스무트 산화물 중 1종 이상을 포함하며, 상기 나노-구조를 갖는 전극 활물질은 기공 및 상기 기공 사이의 벽을 형성하는 골격을 포함하며, 상기 코어 표면의 적어도 일부에 하기 화학식 2로 표시되는 탄소계 모이어티를 형성하고 이를 결정질 탄소 박막으로 전환시키는, 전극 활물질:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2 중, A 고리는 벤젠, 펜타렌, 인덴, 나프탈렌, 아줄렌, 헵탈렌, 인다센, 아세나프탈렌, 플루오렌, 페나렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타펜, 헥사센, 피롤, 피라졸, 이미다졸, 이미다조피리딘, 이미다조피리미딘, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 인돌, 푸린, 퀴놀린, 프탈라진, 인돌, 나프티리딘 퀴나졸린, 시놀린, 인다졸, 카바졸, 페나진, 페난트리딘, 트리아진, 페난트롤린, 또는 퀴녹살린이고; b는 1 내지 5의 정수이고; *는 상기 코어 표면과의 결합 사이트이다
2 2
제1항에 있어서,입자, 막대, 와이어 또는 튜브의 형태를 갖는, 전극 활물질
3 3
삭제
4 4
제제1항에 있어서,상기 기공이 서로 연결되어 채널을 형성한, 전극 활물질
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 코어가 SnO2 및 MoO2 중 하나 이상을 포함한, 전극 활물질
7 7
제1항에 있어서,상기 결정질 탄소 박막의 두께가 2nm 이하인, 전극 활물질
8 8
제1항에 있어서,상기 결정질 탄소 박막의 라만 스펙트럼 중 중 1360±10cm-1의 파수에 존재하는 D 피크의 세기를 ID라 하고, 1580±10cm-1의 파수에 존재하는 G 피크의 세기를 IG라 할 때, ID/IG가 0
9 9
제1항에 있어서,31
10 10
제1항에 있어서,상기 코어의 비표면적을 A라 하고, 상기 탄소 박막의 질량을 B라 할 때, B/A가 7
11 11
제1항에 있어서,50 m2/g 내지 250 m2/g의 비표면적을 갖는, 전극 활물질
12 12
제1항, 제2항, 제4항, 제6항 내지 제11항 중 어느 한 항의 전극 활물질을 포함한 전극
13 13
제12항의 전극을 포함한 리튬 전지
14 14
제13항에 있어서, 상기 전극이 음극인, 리튬 전지
15 15
리튬 이온의 흡장 및 방출이 가능한 금속 및 금속 산화물 중 1종 이상을 포함한 코어, 화학식 1로 표시되는 탄소계 전구체 및 용매를 혼합하여 상기 코어 표면의 적어도 일부에 하기 화학식 2로 표시되는 탄소계 모이어티를 형성하는 단계; 및상기 탄소계 모이어티가 형성된 코어를 불활성 분위기 하에서 열처리하여, 상기 탄소계 모이어티를 결정질 탄소 박막으로 전환시키는 단계를 포함하는 제1항, 제2항, 제4항, 제6항 내지 제11항 중 어느 한 항의 전극 활물질 제조 방법
16 16
삭제
17 17
제15항에 있어서,상기 A 고리가 벤젠, 나프탈렌, 페나렌(phenalene), 페난트렌, 안트라센, 트리페닐렌(triphenylene), 파이렌, 크라이센(chrysene), 나프타센(naphthacene), 피센(picene), 페릴렌(perylene), 펜타펜(pentaphene), 헥사센(hexacene), 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 퀴놀린, 프탈라진, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 시놀린, 페난트리딘, 페난트롤린 또는 페나진이고, a 및 b는 1 또는 2인, 전극 활물질 제조 방법
18 18
제15항에 있어서,상기 코어 표면의 적어도 일부에 상기 탄소계 모이어티를 형성하는 단계가, 상기 코어 표면의 히드록실기와 상기 탄소계 전구체의 히드록실기 간의 탈수 반응을 촉진시키기 위한 100℃ 내지 500℃ 및 1시간 내지 5시간의 범위 내에서의 열처리 단계를 더 포함한, 전극 활물질 제조 방법
19 19
제15항에 있어서,상기 탄소계 모이어티가 형성된 코어의 열처리를 300℃ 내지 600℃의 온도에서 1시간 내지 5시간 동안 수행하는, 전극 활물질 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02573841 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02573841 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 US09343732 US 미국 FAMILY
4 US20130078517 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.