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기판과; 상기 기판 상에 마련되고, 게이트 전극, 채널층, 상기 게이트 전극과 채널층 사이에 위치하는 압전성 게이트 절연층을 구비하며, 상기 압전성 게이트 절연층이 유기물 매트릭스를 포함하고 이 유기물 매트릭스 내에 압전 무기물 나노입자가 분산되도록 형성된 센서 박막트랜지스터와;압력 센싱 동작동안 상기 센서 박막트랜지스터의 게이트에 교류 신호를 인가하는 전원부와;상기 센서 박막트랜지스터의 게이트에 교류 신호가 인가되고 있는 상태에서 상기 센서 박막트랜지스터로부터 검출되는 드레인 전류를 이용하여 잔류 분극값을 얻어 압력을 센싱하는 압력 센싱부;를 포함하는 압력센서
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제1항에 있어서, 상기 게이트에 인가되는 교류 신호의 진폭을 VGamp, 상기 드레인 전류의 진폭을 IDamp , 상기 드레인 전류의 평균값을 IDmean이라 할 때, 상기 잔류 분극값은 에 비례하며, 이 잔류분극값의 변화를 이용하여 가해지는 압력을 구분 가능하게 센싱하는 압력 센서
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제1항에 있어서, 상기 인가되는 교류 신호는 0
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제1항에 있어서, 상기 인가되는 교류 신호의 진폭 전압은 0
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기물 매트릭스는 압전 유기물을 포함하는 압력 센서
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제5항에 있어서, 상기 압전 유기물은, P(VDF-TrFE), P(VDF-TrFE-CFE), P(VDF-TrFE-CtFE) 중에서 선택되는 압력 센서
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제5항에 있어서, 상기 유기물 매트릭스는 결정 구조를 갖는 압력 센서
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제5항에 있어서, 상기 압전 무기물 나노입자는, Gallium orthophosphate (GaPO4), Langasite (La3Ga5SiO14), a quartz analogic crystal, Barium titanate (BaTiO3), Lead titanate (PbTiO3), Lead zirconate titanate (Pb[ZrxTi1-x]O3 0≤x≤1), Potassium niobate (KNbO3), Lithium niobate (LiNbO3), Lithium tantalate (LiTaO3), Sodium tungstate (Na2WO3), Zinc oxide (Zn2O3), Ba2NaNb5O5, Pb2KNb5O15, Sodium potassium niobate ((K,Na)NbO3), Bismuth ferrite (BiFeO3), Sodium niobate NaNbO3, Bismuth titanate Bi4Ti3O12, Sodium bismuth titanate Na0
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 센서 박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 스위칭 박막트랜지스터를 더 포함하여, 센서 픽셀 구조가 하나의 스위칭 박막트랜지스터와 하나의 센서 박막트랜지스터를 포함하는 구조를 갖는 압력 센서
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기물 매트릭스는 결정 구조를 갖는 압력 센서
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제10항에 있어서, 상기 유기물 매트릭스는 120도 이상에서 열처리를 하여 결정 구조로 형성되는 압력 센서
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 플렉서블 기판인 압력 센서
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제12항에 있어서, 상기 기판은 폴리이미드를 포함하는 물질로 이루어진 압력 센서
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게이트 전극, 채널층 및 상기 게이트 전극과 채널층 사이에 위치하는 게이트 절연층을 포함하며, 상기 게이트 절연층이 유기물 매트릭스를 포함하고 이 유기물 매트릭스 내에 압전 무기물 나노입자가 분산되도록 형성된 센서 박막트랜지스터의 게이트에 압력 센싱 동작동안 교류 신호를 인가하는 단계와;상기 센서 박막트랜지스터의 게이트에 교류 신호가 인가되고 있는 상태에서 상기 센서 박막트랜지스터로부터 드레인 전류를 검출하는 단계와;상기 검출되는 드레인 전류를 이용하여 잔류 분극값을 얻고 이로부터 압력을 센싱하는 단계;를 포함하는 압력 센싱 방법
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제14항에 있어서, 상기 게이트에 인가되는 교류 신호의 진폭을 VGamp, 상기 드레인 전류의 진폭을 IDamp , 상기 드레인 전류의 평균값을 IDmean이라 할 때, 상기 잔류 분극값은 에 비례하며, 이 잔류분극값의 변화를 이용하여 가해지는 압력을 구분 가능하게 센싱하는 압력 센싱 방법
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제14항에 있어서, 상기 인가되는 교류 신호는 0
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제14항에 있어서, 상기 인가되는 교류 신호의 진폭 전압은 0
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제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기물 매트릭스는 압전 유기물인 압력 센싱 방법
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제19항에 있어서, 상기 압전 유기물은, P(VDF-TrFE), P(VDF-TrFE-CFE), P(VDF-TrFE-CtFE) 중에서 선택되는 압력 센싱 방법
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제19항에 있어서, 상기 압전 무기물 나노입자는, Gallium orthophosphate (GaPO4), Langasite (La3Ga5SiO14), a quartz analogic crystal, Barium titanate (BaTiO3),Lead titanate (PbTiO3), Lead zirconate titanate (Pb[ZrxTi1-x]O3 0≤x≤1), Potassium niobate (KNbO3), Lithium niobate (LiNbO3), Lithium tantalate (LiTaO3), Sodium tungstate (Na2WO3), Zinc oxide (Zn2O3), Ba2NaNb5O5, Pb2KNb5O15, Sodium potassium niobate ((K,Na)NbO3), Bismuth ferrite (BiFeO3), Sodium niobate NaNbO3, Bismuth titanate Bi4Ti3O12, Sodium bismuth titanate Na0
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