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그래핀층; 및상기 그래핀층 상에 형성된 열전체;를 포함하며, 상기 열전체는 열전막과 상기 열전막 내부에 형성된 양자점을 포함하는 열전 구조체
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제 1항에 있어서, 상기 열전막은 비스무스(Bi), 안티몬(Sb), 텔루르(Te) 및 셀런(Se) 중에서 선택된 물질을 포함하여 형성된 열전 구조체
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제 1항에 있어서, 상기 양자점은 광에 의하여 캐리어를 생성하는 물질로 형성된 열전 구조체
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제 3항에 있어서, 상기 양자점은 Si, CIGS(Cu-In-Ga-Se) 또는 CdTe을 포함하는 물질로 형성된 열전 구조체
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제 1항에 있어서,상기 양자점은 상기 양자막 형성 물질 대비하여 5vol% 이하의 조성을 지니도록 형성된 열전 구조체
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제 1항에 있어서,상기 양자점의 직경은 300nm 이하의 크기로 형성된 열전 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 열전막은 Ag, Cu, Pb, I, Cl 또는 Br을 더 포함하는 열전 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 열전막은 상기 그래핀층 상에 에피 성장된 열전 구조체
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그래핀층; 상기 그래핀층 상에 형성된 제 1열전체; 및 상기 제 1열전체 상에 형성된 상부 전극;을 포함하며, 상기 제 1열전체는 열전막과 상기 열전막 내부에 형성된 양자점을 포함하는 열전 소자
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제 9항에 있어서, 상기 열전막은 비스무스(Bi), 안티몬(Sb), 텔루르(Te) 및 셀런(Se) 중에서 선택된 물질을 포함하여 형성된 열전 소자
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제 9항에 있어서, 상기 양자점은 Si, CIGS(Cu-In-Ga-Se) 또는 CdTe을 포함하는 물질로 형성된 열전 소자
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제 9항에 있어서,상기 양자점은 상기 양자막 형성 물질 대비하여 5vol% 이하의 조성을 지니도록 형성된 열전 소자
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제 9항에 있어서,상기 양자점의 직경은 300nm 이하의 크기로 형성된 열전 소자
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제 9항에 있어서,상기 그래핀층 또는 상기 상부 전극 중 하나를 공유하며 상기 제 1열전체와 서로 다른 극성을 지닌 제 2열전체를 더 포함하는 열전 소자
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제 8항 내지 제 12항 중 어느 한 항의 열전 소자를 포함하는 열전 장치
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