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열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법

  • 기술번호 : KST2014048766
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전소자용 자발적 초격자구조 금속산화물 박막제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀코팅을 이용한 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법은 기판 상에 스퍼터링을 통해 ZnO 버퍼층이 형성되는 S1 단계; 상기 버퍼층이 형성된 기판을 회전시키면서, 상기 회전되는 기판 상에 금속소스 함유 용액을 떨어뜨리는 스핀코팅(spin-coating)법으로 박막을 형성하는 S2 단계; S2 단계에서 형성된 박막이 건조되는 S3 단계; 및 S3 단계를 거친 박막을 열처리하여 초격자구조를 가진 금속산화물 박막이 형성되는 S4 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 35/02 (2006.01) H01L 35/22 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/22(2013.01) H01L 35/22(2013.01) H01L 35/22(2013.01)
출원번호/일자 1020110059721 (2011.06.20)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1228649-0000 (2013.01.25)
공개번호/일자 10-2012-0140083 (2012.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20130131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.20)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조형균 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 서동규 대한민국 서울특별시 서초구
3 김준현 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0466892-67
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.11.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0858052-71
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2011.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0103350-68
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0951533-35
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0951608-61
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2011.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0115900-06
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0033270-80
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0008762-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0657087-35
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1064432-29
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-1064434-10
16 등록결정서
Decision to grant
2013.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0045419-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법에 있어서,기판 상에 스퍼터링을 통해 ZnO 버퍼층이 형성되는 S1 단계;상기 버퍼층이 형성된 기판을 회전시키면서, 상기 회전되는 기판 상에 금속소스 함유 용액을 떨어뜨리는 스핀코팅(spin-coating)법으로 박막을 형성하는 S2 단계;S2 단계에서 형성된 박막이 건조되는 S3 단계; 및S3 단계를 거친 박막을 열처리하여 초격자구조를 가진 금속산화물 박막이 형성되는 S4 단계를 포함하며,S1 단계의 기판은 육방정계(Hexagonal) 구조 또는 능면체(Rhombohedral) 구조를 가지면서 버퍼층을 이루는 물질과의 격자상수 차이가 1Å 이하인 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 기판은 Si, SiO2, ITO, 사파이어, 글래스, GaN 및 YSG로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법
4 4
제1항에 있어서,S1 단계의 ZnO 버퍼층은 ZnO, In-ZnO 및 Ga-ZnO로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로서 단결정 또는 다결정인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 100nm를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법
6 6
제1항에 있어서,S2 단계의 금속소스 함유 용액에 포함된 금속 원소는 In, Al, Ga, Zn 및 Sn으로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법
7 7
제1항에 있어서,S2 단계에서 기판 회전속도는 3,000rpm ~ 6,000rpm인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법
8 8
제1항에 있어서,S3 단계에서의 건조온도는 200℃ ~ 300℃ 인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 S3 단계에서의 건조시간은 10분 ~ 30분인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 박막은 S2 단계 및 S3 단계를 반복적으로 수행하여 복수 개의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법
11 11
제1항에 있어서,S4 단계의 열처리시간은 3hr ~ 9hr인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법
12 12
제1항에 있어서,S4 단계의 열처리온도는 상기 기판이 사파이어 기판인 경우, 800℃ ~ 1,000℃인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 원천기술개발사업-미래유망융합기술파이오니어사업 고효율 와이어 태양전지 제작을 위한 신공정 연구
2 교육과학기술부 성균관대학교 중견연구자지원사업(핵심연구:개인) 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구