요약 | 본 발명은 열전소자용 자발적 초격자구조 금속산화물 박막제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀코팅을 이용한 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법은 기판 상에 스퍼터링을 통해 ZnO 버퍼층이 형성되는 S1 단계; 상기 버퍼층이 형성된 기판을 회전시키면서, 상기 회전되는 기판 상에 금속소스 함유 용액을 떨어뜨리는 스핀코팅(spin-coating)법으로 박막을 형성하는 S2 단계; S2 단계에서 형성된 박막이 건조되는 S3 단계; 및 S3 단계를 거친 박막을 열처리하여 초격자구조를 가진 금속산화물 박막이 형성되는 S4 단계를 포함한다. |
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Int. CL | H01L 35/02 (2006.01) H01L 35/22 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01) |
CPC | H01L 35/22(2013.01) H01L 35/22(2013.01) H01L 35/22(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110059721 (2011.06.20) |
출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1228649-0000 (2013.01.25) |
공개번호/일자 | 10-2012-0140083 (2012.12.28) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130131) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.06.20) |
심사청구항수 | 11 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 조형균 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
2 | 서동규 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
3 | 김준현 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 김인철 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.06.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0466892-67 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2011.11.01 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2011-0858052-71 |
3 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2011.11.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0103350-68 |
4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2011.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0951533-35 |
5 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0951608-61 |
6 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2011.12.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0115900-06 |
7 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0033270-80 |
8 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.01.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
9 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0008762-19 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
13 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0657087-35 |
14 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.12.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-1064432-29 |
15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1064434-10 |
16 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.01.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0045419-03 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법에 있어서,기판 상에 스퍼터링을 통해 ZnO 버퍼층이 형성되는 S1 단계;상기 버퍼층이 형성된 기판을 회전시키면서, 상기 회전되는 기판 상에 금속소스 함유 용액을 떨어뜨리는 스핀코팅(spin-coating)법으로 박막을 형성하는 S2 단계;S2 단계에서 형성된 박막이 건조되는 S3 단계; 및S3 단계를 거친 박막을 열처리하여 초격자구조를 가진 금속산화물 박막이 형성되는 S4 단계를 포함하며,S1 단계의 기판은 육방정계(Hexagonal) 구조 또는 능면체(Rhombohedral) 구조를 가지면서 버퍼층을 이루는 물질과의 격자상수 차이가 1Å 이하인 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제1항에 있어서,상기 기판은 Si, SiO2, ITO, 사파이어, 글래스, GaN 및 YSG로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
4 |
4 제1항에 있어서,S1 단계의 ZnO 버퍼층은 ZnO, In-ZnO 및 Ga-ZnO로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로서 단결정 또는 다결정인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
5 |
5 제4항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 100nm를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
6 |
6 제1항에 있어서,S2 단계의 금속소스 함유 용액에 포함된 금속 원소는 In, Al, Ga, Zn 및 Sn으로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
7 |
7 제1항에 있어서,S2 단계에서 기판 회전속도는 3,000rpm ~ 6,000rpm인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
8 |
8 제1항에 있어서,S3 단계에서의 건조온도는 200℃ ~ 300℃ 인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
9 |
9 제1항에 있어서,상기 S3 단계에서의 건조시간은 10분 ~ 30분인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
10 |
10 제1항에 있어서,상기 박막은 S2 단계 및 S3 단계를 반복적으로 수행하여 복수 개의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
11 |
11 제1항에 있어서,S4 단계의 열처리시간은 3hr ~ 9hr인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
12 |
12 제1항에 있어서,S4 단계의 열처리온도는 상기 기판이 사파이어 기판인 경우, 800℃ ~ 1,000℃인 것을 특징으로 하는 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 교육과학기술부 | 성균관대학교 | 원천기술개발사업-미래유망융합기술파이오니어사업 | 고효율 와이어 태양전지 제작을 위한 신공정 연구 |
2 | 교육과학기술부 | 성균관대학교 | 중견연구자지원사업(핵심연구:개인) | 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구 |
특허 등록번호 | 10-1228649-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20110620 출원 번호 : 1020110059721 공고 연월일 : 20130131 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130122 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 35/34 발명의 명칭 : 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20190126 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 237,000 원 | 2013년 01월 25일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 197,400 원 | 2016년 01월 13일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 197,400 원 | 2017년 01월 02일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 394,800 원 | 2018년 10월 26일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.06.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0466892-67 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.11.01 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2011-0858052-71 |
3 | 서류반려이유통지서 | 2011.11.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0103350-68 |
4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0951533-35 |
5 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0951608-61 |
6 | 서류반려통지서 | 2011.12.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0115900-06 |
7 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0033270-80 |
8 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.01.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
9 | 선행기술조사보고서 | 2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0008762-19 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
13 | 의견제출통지서 | 2012.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0657087-35 |
14 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.12.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-1064432-29 |
15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1064434-10 |
16 | 등록결정서 | 2013.01.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0045419-03 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
기술번호 | KST2014048766 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 성균관대학교 |
기술명 | 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법 |
기술개요 |
본 발명은 열전소자용 자발적 초격자구조 금속산화물 박막제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀코팅을 이용한 열전소자의 자발적 초격자구조 다성분계 금속산화물 박막제조방법은 기판 상에 스퍼터링을 통해 ZnO 버퍼층이 형성되는 S1 단계; 상기 버퍼층이 형성된 기판을 회전시키면서, 상기 회전되는 기판 상에 금속소스 함유 용액을 떨어뜨리는 스핀코팅(spin-coating)법으로 박막을 형성하는 S2 단계; S2 단계에서 형성된 박막이 건조되는 S3 단계; 및 S3 단계를 거친 박막을 열처리하여 초격자구조를 가진 금속산화물 박막이 형성되는 S4 단계를 포함한다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 열전소자용 자발적 초격자구조 금속산화물 박막제조방법 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345147377 |
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세부과제번호 | 2009-0083009 |
연구과제명 | 고효율 와이어 태양전지 제작을 위한 신공정 연구 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200907~201502 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1711006948 |
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세부과제번호 | 2012R1A2A4A01003849 |
연구과제명 | 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201205~201504 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1345147011 |
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세부과제번호 | 2009-0078876 |
연구과제명 | 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200905~201202 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1345147377 |
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세부과제번호 | 2009-0083009 |
연구과제명 | 고효율 와이어 태양전지 제작을 위한 신공정 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200907~201502 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
[1020130076775] | 저온공정의 원자층 증착법을 이용한 고품질의 초격자 산화물 반도체 성장 방법 및 고이동도의 트랜지스터 제작 | 새창보기 |
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심판사항 정보가 없습니다 |
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