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처리기판 상에 무기막과 유기막이 교번적으로 적층된 구조로 이루어진 보호막을 형성하는 박막증착장치는,반응챔버;상기 반응챔버 내에 구비되고, 고주파 파워를 입력받는 고주파 전극;상기 반응챔버 내에서 상기 고주파 전극과 소정의 간격으로 이격되도록 구비되어 상기 처리기판을 지지하고, 바이어스 전압을 입력받는 지지기판;상기 고주파 전극 및 상기 지지기판에 상기 고주파 전압 및 바이어스 전압을 각각 제공하는 전원공급부;상기 처리기판 상에 상기 무기막을 형성하는 동안만 제1 반응가스를 상기 반응챔버 내로 제공하는 제1 반응가스 공급부;상기 처리기판 상에 상기 무기막과 유기막을 형성하는 동안 내내 제2 반응가스를 상기 반응챔버 내로 제공하는 제2 반응가스 공급부; 및상기 처리기판 상에 상기 무기막과 유기막을 형성하는 동안 내내 상기 반응챔버 내로 불활성 가스를 제공하는 불활성 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 반응가스는 N20 가스이고,상기 제2 반응가스는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane: HMDS) 가스로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막증착장치
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제2항에 있어서, 상기 불활성 가스는 아르곤 가스인 것을 특징으로 하는 박막증착장치
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제3항에 있어서, 상기 HMDS 가스는 1sccm ~ 10 sccm의 유량으로 상기 반응챔버 내로 제공되고,상기 N20 가스는 0sccm ~ 30sccm 유량으로 상기 반응챔버 내로 제공되며,상기 아르곤 가스는 0sccm ~ 100sccm 유량으로 상기 반응챔버 내로 제공되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치
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제1항에 있어서, 상기 고주파 전극은 유도결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma: ICP) 타입 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막증착장치
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제5항에 있어서, 상기 지지기판은 알루미늄으로 이루어지고,상기 지지기판과 상기 고주파 전극는 20cm 이상으로 이격되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치
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제5항에 있어서, 상기 고주파 전극으로 인가되는 상기 고주파 파워는 50W ~ 400W로 이루어지고,상기 지지기판으로 제공되는 상기 바이어스 전압은 0V ~ 300V로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막증착장치
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제1항에 있어서, 상기 반응챔버 내를 저진공 압력조건으로 만들어주기 위한 저진공 펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치
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처리기판 상에 무기막과 유기막이 교번적으로 적층된 구조로 이루어진 보호막을 형성하기 위한 박막증착방법에서,반응챔버 내에 구비된 고주파 전극 및 지지기판에 고주파 파워와 바이어스 전압을 각각 제공하는 단계;상기 반응챔버 내로 제1 반응가스, 제2 반응가스 및 불활성 가스를 제공하는 단계;상기 제1 반응가스, 상기 제2 반응가스 및 상기 불활성 가스에 의해서 플라즈마가 유도되어 상기 처리기판 상에 상기 무기막을 형성하는 단계; 및상기 플라즈마가 유도된 상태에서 상기 제1 반응가스를 차단하여 상기 처리기판 상에 상기 유기막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 반응가스는 N20 가스이고,상기 제2 반응가스는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane: HMDS) 가스로 이루어지며,상기 불활성 가스는 아르곤 가스(Ar)인 것을 특징으로 하는 박막증착방법
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제10항에 있어서, 상기 HMDS 가스는 1sccm ~ 10 sccm의 유량으로 상기 반응챔버 내로 제공되고,상기 N20 가스는 0sccm ~ 30sccm 유량으로 상기 반응챔버 내로 제공되며,상기 아르곤 가스는 0sccm ~ 100sccm 유량으로 상기 반응챔버 내로 제공되는 것을 특징으로 하는 박막증착방법
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제9항에 있어서, 상기 고주파 전극으로 인가되는 상기 고주파 파워는 50W ~ 400W로 이루어지고,상기 지지기판으로 제공되는 상기 바이어스 전압은 0V ~ 300V로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막증착방법
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제9항에 있어서, 상기 무기막은 SiO2 조성물을 포함하고,상기 유기막은 SiOx(CH)yNz 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법
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제9항에 있어서, 상기 처리기판을 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 박막증착방법
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기판;상기 기판의 상면을 커버하고, 무기막과 유기막이 두번이상 교번적으로 적층된 구조로 이루어지며, 상기 무기막과 상기 유기막 사이에서 구비되고 무기물에 대한 유기물의 비율이 점차적으로 변화되는 전이층을 포함하는 제1 보호막; 및상기 제1 보호막 상에 구비되어 영상을 표시하는 표시유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치
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제15항에 있어서, 상기 전이층은,상기 유기막에서 상기 무기막으로 전환되는 제1 경계영역에서 상기 무기물에 대한 상기 유기물의 비율이 점차적으로 감소하는 제1 전이층; 및상기 무기막에서 상기 유기막으로 전환되는 제2 경계영역에서 상기 무기물에 대한 상기 유기물의 비율이 점차적으로 증가하는 제2 전이층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치
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제16항에 있어서, 상기 유기막은 SiOx(CH)yNz 조성물을 포함하고,상기 무기막은 SiO2 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치
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제15항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 표시장치
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제15항에 있어서, 상기 표시유닛을 커버하고, 상기 제1 보호막과 동일한 막 구조를 갖는 제2 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치
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제15항에 있어서, 상기 표시유닛은 유기전계발광 표시소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치
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제15항에 있어서, 상기 표시유닛은 유기 박막트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치
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