맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

염료감응 태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015144287
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 염료감응 태양전지 및 염료감응 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130032037 (2013.03.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1465204-0000 (2014.11.19)
공개번호/일자 10-2014-0117741 (2014.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20141126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.26)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박종혁 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 허난슬아 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0259824-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-2014-0008029-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0259525-87
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0539883-50
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0539884-06
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0639571-80
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-1001958-92
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.10.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1001959-37
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0753651-86
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 전도성 기재 상에 형성되며, 제 1 염료가 흡착된 반도체층을 포함하는 제 1 전극;상기 제 1 전극에 대향되는 제 2 전극; 및상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하며,상기 전해질에 제 2 염료가 분산되어 있으며,상기 제 1 염료 및 상기 제 2 염료는 루테늄-기반 염료(Ru-based dye), 쿠마린(coumarin), 메로시아닌(merocyanine), 인돌린(indoline), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 동일한 염료를 포함하는 것이고,상기 전해질 내에 분산된 상기 제 2 염료는 상기 제 1 전극에 포함된 상기 제 1 염료가 전해질 내로 확산되는 구동력을 감소시킴으로써 상기 제 1 전극의 상기 제 1 염료의 탈착을 감소시키는 것인, 염료감응 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 2 염료는 상기 전해질에 1 μM 내지 10 mM 농도로 분산되어 있는 것인, 염료감응 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전해질은 액체 전해질을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전도성 기재는 ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 티타늄, 텅스텐, 스테인레스, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 물질을 함유하는 것인, 염료감응 태양전지
5 5
제 4 항에 있어서,상기 주석계 산화물은 ITO 또는 FTO, 또는 ITO 및 FTO를 포함하는 것인, 염료감응 태양전지
6 6
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 Ti, Sn, Zn, W, Zr, Ga, In, Y, Nb, Ta, V, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지
7 7
제 6 항에 있어서,상기 반도체층은 상기 금속 산화물의 나노 입자를 포함하는 것인, 염료감응 태양전지
8 8
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 40 μm 이하의 두께를 가지는 것인, 염료감응 태양전지
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Pt, Au, Ni, Cu, Zn, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지
10 10
삭제
11 11
투명 전도성 기재 상에 반도체층을 형성하고;상기 반도체층에 제 1 염료를 흡착시켜 제 1 전극을 형성하고;상기 제 1 전극과 대향되도록 제 2 전극을 배치하고; 및상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 제 2 염료가 분산된 전해질을 주입하는 것을 포함하며,상기 제 1 염료 및 상기 제 2 염료는 루테늄-기반 염료(Ru-based dye), 쿠마린(coumarin), 메로시아닌(merocyanine), 인돌린(indoline), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 동일한 염료를 포함하는 것이고,상기 전해질 내에 분산된 상기 제 2 염료는 상기 제 1 전극에 포함된 상기 제 1 염료가 전해질 내로 확산되는 구동력을 감소시킴으로써 상기 제 1 전극의 상기 제 1 염료의 탈착을 감소시키는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
12 12
삭제
13 13
제 11 항에 있어서,상기 제 2 염료는 상기 전해질에 1 μM 내지 10 mM 농도로 분산되어 있는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 반도체층은 Ti, Sn, Zn, W, Zr, Ga, In, Y, Nb, Ta, V, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
15 15
제 11 항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 것은 상기 금속 산화물의 나노 입자를 적층하여 형성하는 것을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
16 16
제 11 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Pt, Au, Ni, Cu, Zn, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2014157941 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2014157941 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.