요약 | 탄소나노튜브를 이용하여 트랜지스터를 형성하고, 이를 외력을 감지할 수 있는 감지 셀로 이용한다. 각각의 감지 셀은 터치 패널에 채용된다. 매트릭스 형태의 감지 셀의 측면에는 다수의 감지 셀들로 구성된 기준 영역이 구비된다. 외부를 통해 터치되는 셀 영역에 구비된 감지 셀은 외력에 의해 턴온 저항이 증가하는 특징을 가지며, 컬럼 라인을 통해 공급되는 기준 전압을 통해 터치되는 감지 셀의 전류는 기준 영역의 감지 셀의 전류에 비해 감소한다. 이는 X-디코더에서 감지되고, 터치되는 감지 셀의 위치는 확인될 수 있다. |
---|---|
Int. CL | G06F 3/041 (2006.01.01) G09G 3/20 (2006.01.01) |
CPC | G06F 3/0412(2013.01) G06F 3/0412(2013.01) G06F 3/0412(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110065124 (2011.06.30) |
출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1287315-0000 (2013.07.11) |
공개번호/일자 | 10-2013-0003656 (2013.01.09) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130722) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.06.30) |
심사청구항수 | 8 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박완준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0503183-17 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0065150-85 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.02.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0103559-89 |
4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.02.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0103576-55 |
5 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.06.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0407673-74 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 유전막;상기 게이트 유전막 상에 형성되고, 채널 영역을 형성하는 탄소나노튜브층;상기 탄소나노튜브층의 일측면에 형성되는 소스 전극; 및상기 탄소나노튜브층을 중심으로 상기 소스 전극에 대향하는 드레인 전극을 포함하는 감지 셀 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브층은, 외부 압력의 인가에 따라 저항이 변하는 것을 특징으로 하는 감지 셀 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 ITO 또는 도핑된 ZnO를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 셀 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 감지 셀은 상기 탄소나노튜브층과 상기 게이트 유전막 사이에 형성되고, 외부에서 압력이 인가될 경우, 상기 탄소나노튜브층이 신장될 수 있는 공간을 제공하는 에어갭을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 셀 |
5 |
5 매트릭스 형태로 배치된 다수의 감지 셀들을 가지는 셀 영역;상기 셀 영역의 각각의 감지 셀들에 기준 전압을 인가하고, 외부에서 터치되는 감지 셀의 위치를 파악하기 위한 X-디코더;상기 셀 영역의 각각의 감지 셀들에 스캔 신호를 인가하여, 특정의 로우 라인에 연결된 감지 셀들을 턴온시키기 위한 Y-디코더; 및상기 셀 영역의 측면에 형성되고, 다수의 감지 셀들을 포함하고, 상기 X-디코더의 기준 전압을 수신하고, 상기 Y-디코더의 스캔 신호를 수신하며, 상기 턴온된 감지 셀들과의 전류량의 비교하기 위한 기준 영역을 포함하는 터치 패널 |
6 |
6 제5항에 있어서, 상기 셀 영역 및 상기 기준 영역의 감지 셀은,기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 유전막;상기 게이트 유전막 상에 형성되고, 채널 영역을 형성하는 탄소나노튜브층;상기 탄소나노튜브층의 일측면에 형성되는 소스 전극; 및상기 탄소나노튜브층을 중심으로 상기 소스 전극에 대향하는 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널 |
7 |
7 제6항에 있어서, 상기 X-디코더는 상기 특정의 로우 라인이 활성화된 구간에서, 상기 터치된 감지 셀의 전류와 상기 기준 영역의 감지 셀의 전류의 비교를 통해 상기 터치된 감지 셀의 위치를 파악하는 것을 특징으로 하는 터치 패널 |
8 |
8 제6항에 있어서, 상기 감지 셀은, 상기 탄소나노튜브층과 상기 게이트 유전막 사이에 형성되고, 외부에서 압력이 인가될 경우, 상기 탄소나노튜브층이 신장될 수 있는 공간을 제공하는 에어갭을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
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특허 등록번호 | 10-1287315-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110630 출원 번호 : 1020110065124 공고 연월일 : 20130722 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130614 청구범위의 항수 : 8 유별 : G06F 3/041 발명의 명칭 : 탄소나노튜브를 이용하는 감지 셀 및 이를 이용하는 터치 패널 존속기간(예정)만료일 : 20180712 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 178,500 원 | 2013년 07월 11일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2016년 07월 05일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2017년 06월 29일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0503183-17 |
2 | 의견제출통지서 | 2013.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0065150-85 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.02.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0103559-89 |
4 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.02.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0103576-55 |
5 | 등록결정서 | 2013.06.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0407673-74 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술번호 | KST2014059716 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한양대학교 |
기술명 | 탄소나노튜브를 이용하는 감지 셀 및 이를 이용하는 터치 패널 |
기술개요 |
탄소나노튜브를 이용하여 트랜지스터를 형성하고, 이를 외력을 감지할 수 있는 감지 셀로 이용한다. 각각의 감지 셀은 터치 패널에 채용된다. 매트릭스 형태의 감지 셀의 측면에는 다수의 감지 셀들로 구성된 기준 영역이 구비된다. 외부를 통해 터치되는 셀 영역에 구비된 감지 셀은 외력에 의해 턴온 저항이 증가하는 특징을 가지며, 컬럼 라인을 통해 공급되는 기준 전압을 통해 터치되는 감지 셀의 전류는 기준 영역의 감지 셀의 전류에 비해 감소한다. 이는 X-디코더에서 감지되고, 터치되는 감지 셀의 위치는 확인될 수 있다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 탄소나노튜브를 이용한 트랜지스터 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345199138 |
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세부과제번호 | 2009-0083540 |
연구과제명 | 나노소재기반 휴먼인터페이스 융합 연구센터 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200909~201602 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345158165 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0093249 |
연구과제명 | 형태변환형 정보 입력용 센서 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200909~201602 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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