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제 1 도전형 기재의 전면(front surface)에 형성된 제 2 도전형의 에미터층;상기 에미터층 상에 형성된 제 1 도전형의 도펀트가 도핑된 전면전극;상기 에미터층 및 상기 전면전극 상에 형성된 구형 금속 입자를 포함하는 반사방지막; 및상기 제 1 도전형 기재의 후면(back surface)에 형성된 후면전극을 포함하는, 실리콘 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 전면전극은 Ag, Au, Cu, Ti W, Ni, Cr, Cu, Co, Mo, Pb, Pt, Ta, Zn 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 실리콘 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 반사방지막은 다수층이 적층되어 있는 것인, 실리콘 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 반사방지막은 이산화티탄(TiO2), 실리콘질화막(SiNx), 실리콘산화막(SiOx), 및 실리콘산화질화막(SiOxNy), MgF2, ZnS, CeO2 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 층을 포함하는 것인, 실리콘 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형 기재는 미세 요철이 형성된 텍스처링(texturing) 표면인 것인, 실리콘 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 p형이고, 상기 제 2 도전형은 n형인 것인, 실리콘 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도전형 및 상기 제 2 도전형 사이에 p-n 접합이 형성되는 것인, 실리콘 태양전지
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제 1 도전형 기재의 전면에 미세 요철들을 형성하는 단계;상기 제 1 도전형 기재의 상기 전면에 도펀트를 주입하여 제 2 도전형의 에미터층을 형성하는 단계;상기 에미터층 상에 제 1 도전형의 도펀트를 포함하는 전면전극을 형성하는 단계;상기 에미터층 및 상기 전면전극 상에 구형 금속입자를 포함하는 다수층의 반사방지막을 형성하는 단계; 및상기 제 1 도전형 기재의 후면에 후면전극을 형성하는 단계를 포함하는, 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 전면전극은 Ag, Au, Cu, Ti W, Ni, Cr, Cu, Co, Mo, Pb, Pt, Ta, Zn 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 반사방지막은 이산화티탄(TiO2), 실리콘질화막(SiNx), 실리콘산화막(SiOx), 및 실리콘산화질화막(SiOxNy), MgF2, ZnS, CeO2 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 반사방지막은 분무 코팅(spray coating), 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating), 나노 임프린팅(nano imprinting), 스탬핑(stamping), 프린팅(printing), 전사프린팅(transfer printing), 자기조립(self-assembly), 스퍼터링(Sputtering), 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD), 플라즈마 강화 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD), 전자빔증착(E-beam evaporator), 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD), 펄스 레이저증착(Pulsed Laser Deposition; PLD) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것인, 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 p형이고, 상기 제 2 도전형은 n형인 것인, 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 제 1 도전형 및 상기 제 2 도전형 사이에 p-n 접합이 형성되는 것인, 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 전면전극 형성 후에 소성 공정을 추가로 수행하는 것인, 실리콘 태양전지의 제조 방법
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