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기판 상부에 형성되는 양극,상기 양극 상부에 형성되는 정공 수송층,상기 양극에서 정공 수송층으로의 정공 주입이 용이하도록 하기 위해 상기 양극과 정공 수송층 사이에 형성되고 산소질화알루미늄(AlON)으로 구성되는 계면층,상기 정공 수송층 상부에 형성되는 발광층,상기 발광층 상부에 형성되는 완충층, 및상기 완충층 상부에 형성되는 음극을 포함하는 유기 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 양극은 인듐 주석 산화물(ITO) 막, 상기 정공 수송층은 TPD, 상기 발광층은 Alq3, 상기 완충층은 LiF 막, 상기 음극은 Al막으로 구성되는 유기 발광 소자
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제2항에 있어서,상기 계면층은 5 ~ 15 Å의 두께로 형성되는 유기 발광 소자
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기판 상부에 양극을 증착하고, 상기 양극에서의 정공 주입이 용이하도록 하기 위해 상기 양극 상부에 산소질화알루미늄(AlON)으로 구성된 계면층을 형성하는 제1단계,와상기 계면층 상부에 정공 수송층, 발광층, 완충층 및 음극을 순차적으로 증착하는 제2단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 제1단계에서 양극은 인듐 주석 산화물(ITO) 막으로 구성하고, 상기 제2단계에서 정공 수송층, 발광층, 완충층 및 음극은 각각 TPD, Alq3, LiF 막 및 Al막으로 구성하는 유기 발광 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 계면층은 5 ~ 15 Å의 두께로 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 계면층은 RF 플라즈마 스퍼터링 방식으로 증착하는 유기 발광 소자의 제조 방법
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