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전도성이 개선된 카본나노튜브, 그의 제조방법 및 상기카본나노튜브를 함유하는 전극

  • 기술번호 : KST2015144396
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  • 전화번호 :
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 카본나노튜브의 도핑방법, 이를 사용하여 얻어지는 p-도핑 카본나노튜브 및 이를 포함하는 필름, 전극, 표시소자, 박막 트랜지스터 또는 태양전지가 제공된다. 구체적으로는 카본나노튜브를 산화제를 사용하여 개질함으로써 전도도가 개선된 카본나노튜브의 도핑방법, 이를 사용하여 얻어진 도핑 카본나노튜브, 상기 도핑카본나노튜브를 포함하는 필름 및 이를 함유하는 전극, 표시소자 또는 태양전지 등을 제공할 수 있게 된다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070052868 (2007.05.30)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0951730-0000 (2010.03.31)
공개번호/일자 10-2008-0105368 (2008.12.04) 문서열기
공고번호/일자 (20100407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.30)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤선미 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 최성재 대한민국 서울특별시 양천구
3 신현진 대한민국 경기 수원시 장안구
4 최재영 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 김성진 대한민국 서울특별시 성북구
6 이영희 대한민국 경기도 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0398619-63
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-5080012-85
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0013342-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0348899-05
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0621717-40
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0621718-96
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0002294-13
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0127182-04
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0127181-58
11 보정요구서
Request for Amendment		 2009.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0015716-29
12 보정요구서
Request for Amendment		 2009.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0015837-45
13 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0173517-18
14 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0173518-64
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2009.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0275308-99
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0424416-26
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0424417-72
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0496029-27
19 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.12.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0065937-10
20 등록결정서
Decision to grant		 2010.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0078832-05
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화제 및 유기 용매를 포함하는 산화제 용액을 형성하는 단계; 및 상기 산화제 용액으로 카본나노튜브를 도핑 처리하는 단계를 포함하는 카본나노튜브의 도핑방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 도핑 처리가 상기 카본나노튜브의 분말상을 상기 산화제 용액에 혼합 및 교반하는 공정을 포함하는 것을 특징으로하는 카본나노튜브의 도핑방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 유기용매가 카본나노튜브를 분산시키는 분산능을 갖는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 유기용매가 DMF (디메틸포름아미드), DCE (1,2-디클로로에탄), ODCB (1,2-디클로로벤젠), THF (테트라하이드로퓨란), NMP (N-메틸피롤리돈), 니트로메탄, 디메틸 술폭시드, 니트로벤젠 및 부틸 니트라이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 산화제 용액이 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 도핑 처리가 상기 카본나노튜브로 형성된 필름을 상기 산화제 용액으로 디핑 또는 코팅하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 유기 용매가 산화능을 갖는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 산화능을 갖는 유기 용매가 니트로메탄, 디메틸술폭시드, 니트로벤젠 또는 부틸 니트라이트인 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 산화제가 2가 이상의 산화수를 갖는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 산화제가 아이오딜벤젠(iodylbenzene), 2-아이오독시벤조산(2-iodoxybenzoic acid), 데스-마틴 퍼아이오디난(Dess-Martin periodinane), 차아염소산나트륨, 아염소산나트륨, 염소산나트륨, 과염소산나트륨, 염소산은, 과염소산은, DMSO, KHSO5, KHSO4, K2SO4, FSO3H, CF3SO3H, FeCl3, MoCl5, WCl5, SnCl4, MoF5, RuF5, TaBr5, SnI4, HAuCl4, AuCl3, (NH4)2Ce(SO4)3, (NH4)2Ce(NO3)6, AgNO3, NO2F, NO2Cl, N2O5, NO2BF4, CH3NO2, C6H5NO2, CH3ONO, NO(SbCl6), NOBF4, NOClO4, NOSO4H, C6H5NO, NOCl, NOF, NOBr, KMnO4, BaMnO4, OsO4, 벤조퀴논, 테트라클로로벤조퀴논, 디클로로디시아노벤조퀴논 및 테트라시아노-퀴노디메탄으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 도핑방법으로 도핑 처리하여 얻어지는 도핑 카본나노튜브
12 12
제11항에 따른 도핑 카본나노튜브를 포함하며, 면저항값이 103Ω/sq 이하이고, 투과도 75% 이상인 도핑 카본나노튜브 함유 필름
13 13
삭제
14 14
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 도핑방법으로 도핑처리하여 얻어지는 도핑 카본나노튜브를 포함하는 전극
15 15
제14항에 따른 전극을 구비하는 표시소자
16 16
제15항에 있어서, 상기 표시소자가 OLED, LCD, 또는 E-페이퍼인 것을 특징으로 하는 표시소자
17 17
제14항에 따른 전극을 구비하는 태양전지
18 18
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 도핑 방법으로 도핑처리하여 얻어지는 도핑 카본나노튜브를 포함하는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101314470 CN 중국 FAMILY
2 EP01998385 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01998385 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP01998385 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP05399004 JP 일본 FAMILY
6 JP20297196 JP 일본 FAMILY
7 US08501529 US 미국 FAMILY
8 US08586458 US 미국 FAMILY
9 US20080296683 US 미국 FAMILY
10 US20110086176 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101314470 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101314470 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1998385 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1998385 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP1998385 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 JP2008297196 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP5399004 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US2008296683 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US2011086176 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US8501529 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US8586458 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.