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전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 광흡수층;상기 광흡수층 상에 형성된 중간층;상기 중간층 상에 형성된 정공 전달층; 및상기 정공 전달층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며,상기 광흡수층은 반도체층 및 하기 화학식 1로서 표시되는 염료를 포함하고,상기 중간층 및 상기 전공 전달층은 계층적 구조를 형성하는 것으로서, 상기 중간층은 p-형 반도체 물질을 포함하고, 상기 정공 전달층은 p-형 반도체 물질 및 탄소나노튜브를 포함하는 것이며,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 또는 다중벽 탄소나노튜브를 포함하는 것이며, 상기 광흡수층 및 상기 중간층의 p-형 반도체 물질이 서로 접촉하여 형성되는 것인, 페로브스카이트 태양전지:[화학식 1]CnH2n+1NH3MX3상기 화학식 1 중, n은 1 내지 9의 정수이고, M은 Pb, Sn, Ge, Ti, Nb, Zr, Ce, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하고, X는 할로겐임
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제 1 항에 있어서,상기 p-형 반도체 물질은 스피로-OMeTAD, 폴리(3-헥실티오펜) (P3HT), (폴리[2,1,3-벤조티아디아졸-4,7-디일[4,4-비스(2-에틸헥실-4H-사이클로펜타[2,1-b:3,4-b']디티오펜-2,6-디일]] (PCPDTBT), (폴리[[9-(1-옥틸노닐)-9H-카바졸-2,7-디일] -2,5-티오펜디일-2,1,3-벤조티아디아졸-4,7-디일-2,5-티오펜디일]) (PCDTBT), 또는 폴리(트리아릴아민) (PTAA)을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 농도는 상기 정공 전달층의 상기 p-형 반도체 물질의 총 중량 대비 2 wt% 이하인 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 투명 기재는 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 산화아연, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 물질을 함유하는 유리 기재, 또는 플라스틱 기재를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 금속 산화물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 티탄, 주석, 아연, 텅스텐, 지르코늄, 갈륨, 인듐, 이트륨, 니오브, 탄탈, 바나듐, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 TiO2, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5, TiSrO3, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속 산화물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 Au, Pt, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 정공 전달층 및 상기 중간층의 합의 두께는 1 nm 내지 150 nm의 범위인 것인, 페로브스카이트 태양전지
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전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극 상에 광흡수층을 형성하고;상기 광흡수층 상에 중간층을 형성하고;상기 중간층 상에 정공 전달층을 형성하고; 및상기 정공 전달층 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하며,상기 광흡수층은 반도체층 및 하기 화학식 1로서 표시되는 염료를 포함하고,상기 중간층 및 상기 전공 전달층은 계층적 구조를 형성하는 것으로서, 상기 중간층은 p-형 반도체 물질을 포함하고, 상기 정공 전달층은 p-형 반도체 물질 및 탄소나노튜브를 포함하는 것이며,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 또는 다중벽 탄소나노튜브를 포함하는 것이며, 상기 광흡수층 및 상기 중간층의 p-형 반도체 물질이 서로 접촉하여 형성되는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법:[화학식 1]CnH2n+1NH3MX3 상기 화학식 1 중, n은 1 내지 9의 정수이고, M은 Pb, Sn, Ge, Ti, Nb, Zr, Ce, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하고, X는 할로겐임
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제 12 항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 농도는 상기 정공 전달층의 상기 p-형 반도체 물질의 총 중량 대비 2 wt% 이하인 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 광흡수층은 스핀 코팅, 또는 기상 증착법에 의해 형성되는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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