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박막 형성 방법, 전자 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015144520
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 친수성 고분자 막을 포함하는 전사용 스탬프의 일면에 친수성 용액을 코팅하여 전사막을 형성하는 단계, 그리고 기재 위에 상기 전사막을 전사하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법, 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01) B82Y 10/00(2013.01)
출원번호/일자 1020120151135 (2012.12.21)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0083081 (2014.07.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.22)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박인선 대한민국 경기 화성
2 김정규 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 박종혁 대한민국 경기 수원시 팔달구
4 최용석 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-1066875-88
2 보정요구서
Request for Amendment
2012.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0152959-24
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0006825-21
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0285207-95
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0015389-56
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0002339-58
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0221300-90
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0221301-35
11 등록결정서
Decision to grant
2018.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0491018-75
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
친수성 고분자 막을 포함하는 전사용 스탬프의 일면에 친수성 용액을 코팅하여 전사막을 형성하는 단계, 그리고인듐 주석 옥사이드(ITO) 또는 인듐 아연 옥사이드(IZO) 위에 직접 상기 전사막을 전사하여 친수성 박막을 형성하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법
2 2
제1항에서,상기 친수성 고분자 막은 경화성 수지, 그리고 에틸렌글리콜 기 및 히드록시 기 중 적어도 하나를 포함하는 친수성 화합물을 포함하는 박막 형성 방법
3 3
제2항에서,상기 친수성 화합물은 폴리(에틸렌글리콜)디아크릴레이트(poly(ethylene glycol)diacrylate) 및 2-히드록시-2-메틸프로피오페논(2-hydroxy-2-methyl propiophenone) 중 적어도 하나를 포함하는 박막 형성 방법
4 4
제2항에서,상기 경화성 수지는 폴리우레탄 아크릴레이트(poly urethane acrylate)를 포함하는 박막 형성 방법
5 5
제1항에서,상기 전사용 스탬프는 상기 친수성 고분자 막을 지지하는 지지체를 포함하고,상기 지지체는 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리스티렌(PS), 이들의 공중합체 또는 이들의 조합을 포함하는 박막 형성 방법
6 6
제1항에서,상기 친수성 고분자 막은 80도보다 작은 접촉각을 가지는 박막 형성 방법
7 7
제6항에서,상기 친수성 고분자 막은 0도보다 크고 60도 이하의 접촉각을 가지는 박막 형성 방법
8 8
제1항에서,상기 전사막을 형성하는 단계는 스핀 코팅, 슬릿 코팅 또는 잉크젯 인쇄 방법으로 형성하는 박막 형성 방법
9 9
제1항에서,상기 인듐 주석 옥사이드(ITO) 또는 인듐 아연 옥사이드(IZO) 위에 전사막을 전사하는 단계는 20 내지 200℃의 온도에서 가압하는 단계를 포함하는 박막 형성 방법
10 10
제1항에서,상기 친수성 용액은 pH 1 내지 6의 산성 용액인 박막 형성 방법
11 11
제10항에서,상기 친수성 용액은 PEDOT:PSS, PEDOT:PSS:PFS:Nafion 또는 이들의 조합을 포함하는 박막 형성 방법
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20 20
인듐 주석 옥사이드(ITO) 또는 인듐 아연 옥사이드(IZO)를 형성하는 단계,상기 인듐 주석 옥사이드(ITO) 또는 인듐 아연 옥사이드(IZO) 위에 보조층을 형성하는 단계,상기 보조층 위에 활성층을 형성하는 단계, 그리고상기 활성층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 보조층을 형성하는 단계는 친수성 고분자 막을 포함하는 전사용 스탬프의 일면에 친수성 용액을 코팅하여 전사막을 형성하는 단계, 그리고상기 인듐 주석 옥사이드(ITO) 또는 인듐 아연 옥사이드(IZO) 위에 직접 상기 전사막을 전사하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
21 21
제20항에서,상기 친수성 고분자 막은 경화성 수지, 그리고 에틸렌글리콜 기 및 히드록시 기 중 적어도 하나를 포함하는 친수성 화합물을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
22 22
제21항에서,상기 친수성 화합물은 폴리(에틸렌글리콜)디아크릴레이트 및 2-히드록시 2-메틸프로피오페논 중 적어도 하나를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
23 23
제21항에서,상기 경화성 수지는 폴리우레탄 아크릴레이트를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
24 24
제20항에서,상기 전사용 스탬프는 상기 친수성 고분자 막을 지지하는 지지체를 포함하고,상기 지지체는 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리스티렌(PS), 이들의 공중합체 또는 이들의 조합을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
25 25
제20항에서,상기 친수성 고분자 막은 80도보다 낮은 접촉각을 가지는 전자 소자의 제조 방법
26 26
제25항에서,상기 친수성 고분자 막은 0도보다 크고 60도 이하의 접촉각을 가지는 전자 소자의 제조 방법
27 27
제20항에서,상기 전사막을 형성하는 단계는 스핀 코팅, 슬릿 코팅 또는 잉크젯 인쇄 방법으로 형성하는 전자 소자의 제조 방법
28 28
제20항에서,상기 인듐 주석 옥사이드(ITO) 또는 인듐 아연 옥사이드(IZO) 위에 전사막을 전사하는 단계는 20 내지 200℃의 온도에서 가압하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
29 29
제20항에서,상기 친수성 용액은 pH 1 내지 6의 산성 용액인 전자 소자의 제조 방법
30 30
제29항에서,상기 친수성 용액은 PEDOT:PSS, PEDOT:PSS:PFS:Nafion 또는 이들의 조합을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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삭제
32 32
제20항 내지 제30항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 형성된 전자 소자
33 33
제32항에서,상기 전자 소자는 태양 전지 또는 유기 발광 장치를 포함하는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09548466 US 미국 FAMILY
2 US20140179052 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014179052 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9548466 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.