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선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치

  • 기술번호 : KST2015144553
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 선형 안테나를 구비한 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 개시된 플라즈마 처리 장치는, 반응 챔버와, 반응 챔버의 내부 하측에 설치되어 처리될 기판을 지지하는 기판 지지대와, 플라즈마를 발생시키는 전기장을 유도하는 것으로 반응 챔버의 내부 상측에 서로 평행하게 이격 설치된 다수의 선형 안테나와, 다수의 선형 안테나에 연결되어 다수의 선형 안테나에 RF 파워를 공급하는 RF 전원과, 다수의 선형 안테나 각각을 둘러싸는 유전체를 구비한다. 상기 유전체는 다수의 선형 안테나 각각의 RF 파워 입력단으로부터 접지단 쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지도록 형성된다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H05H 1/26 (2006.01)
CPC H01J 37/3211(2013.01) H01J 37/3211(2013.01) H01J 37/3211(2013.01) H01J 37/3211(2013.01) H01J 37/3211(2013.01) H01J 37/3211(2013.01) H01J 37/3211(2013.01) H01J 37/3211(2013.01) H01J 37/3211(2013.01)
출원번호/일자 1020080005854 (2008.01.18)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0079696 (2009.07.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.04)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경배 대한민국 서울특별시 강남구
2 김홍범 대한민국 경상남도 거제시 진목로 **
3 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
4 이형철 대한민국 충청남도 아산시
5 이상윤 대한민국 서울특별시 서초구
6 류명관 대한민국 경기도 용인시 수지구
7 김태상 대한민국 서울특별시 강남구
8 권장연 대한민국 경기 성남시 분당구
9 손경석 대한민국 서울특별시 노원구
10 정지심 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0045322-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0009426-32
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0104248-16
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0163687-91
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0335246-68
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0335247-14
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0640928-11
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-1115340-82
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1115341-27
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0186804-65
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응 챔버; 상기 반응 챔버의 내부 하측에 설치되어 처리될 기판을 지지하는 기판 지지대; 플라즈마를 발생시키는 전기장을 유도하는 것으로, 상기 반응 챔버의 내부 상측에 서로 평행하게 이격 설치된 다수의 선형 안테나; 상기 다수의 선형 안테나에 연결되어 상기 다수의 선형 안테나에 RF 파워를 공급하는 RF 전원; 및 상기 다수의 선형 안테나 각각을 둘러싸는 것으로, 상기 다수의 선형 안테나 각각의 RF 파워 입력단으로부터 접지단 쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지도록 된 유전체;를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 다수의 선형 안테나 중 홀수번째 배치된 안테나들은 상기 RF 전원에 병렬로 연결되고, 짝수번째 배치된 안테나들은 제2의 RF 전원에 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
3 3
제 2항에 있어서, 상기 홀수번째 배치된 안테나들은 상기 반응 챔버의 일측 외부에서 콤(comb) 형상으로 연결되고, 상기 짝수번째 배치된 안테나들은 상기 반응 챔버의 타측 외부에서 콤 형상으로 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
4 4
제 1항에 있어서, 상기 다수의 선형 안테나 중 서로 인접한 두 개의 선형 안테나끼리 쌍을 이루며, 쌍을 이루는 두 개의 선형 안테나는 상기 반응 챔버의 외부에서 "U"자 형상의 연결부재에 의해 서로 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
5 5
제 4항에 있어서, 쌍을 이루는 두 개의 선형 안테나 중 상기 RF 파워 입력단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체는 상기 RF 파워 입력단으로부터 상기 연결부재쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지고, 상기 접지단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체는 상기 연결부재로부터 상기 접지단쪽으로 가면서 점차 두께가 얇아지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
6 6
제 5항에 있어서, 상기 RF 파워 입력단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체의 상기 RF 파워 입력단에 인접한 부분의 두께를 t1, 상기 연결부재에 인접한 부분의 두께를 t2라 하고, 상기 접지단을 가진 선형 안테나를 둘러싸는 유전체의 상기 연결부재에 인접한 부분의 두께를 t3, 상기 접지단에 인접한 부분의 두께를 t4라 할 때, 상기 유전체들의 두께는 t1 003e# t2 ≥ t3 003e# t4의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
7 7
제 4항에 있어서, 상기 안테나 쌍들은 상기 RF 전원에 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
8 8
제 1항에 있어서, 상기 유전체는 관 형상을 가지며, 그 두께는 1mm ~ 10mm 범위 내에서 변하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
9 9
제 1항에 있어서, 상기 유전체는 상기 안테나의 표면에 코팅되고, 그 두께는 수 ㎛ ~ 1mm 범위 내에서 변하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
10 10
제 1항에 있어서, 상기 다수의 선형 안테나와 상기 RF 전원 사이에는 정합 회로가 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.