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광결정 구조로 규칙적으로 배열된 다수의 제1 기공과;
상기 제1 기공들의 내벽에 형성되는 것으로, 나노 크기를 가지는 다수의 제2 기공;을 포함하는 역전 광결정 구조체
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제 1 항에 있어서,
상기 제1 기공은 구 형상(sphere shape)을 가지는 역전 광결정 구조체
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제 2 항에 있어서,
상기 제1 기공은 200nm ~ 400nm의 평균 직경을 가지는 역전 광결정 구조체
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제 1 항에 있어서,
상기 제2 기공은 2nm ~ 6nm의 평균 직경을 가지는 역전 광결정 구조체
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제 1 항에 있어서,
상기 역전 광결정 구조체의 비표면적(specific surface area)은 50 ~ 100 m2/g인 역전 광결정 구조체
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제 1 항에 있어서,
상기 역전 광결정 구조체는 반도체 산화물로 이루어지는 역전 광결정 구조체
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7
규칙적으로 배열된 다수의 광결정 입자들을 형성하는 단계;
상기 광결정 입자들 상에 반도체 산화물 전구체(precursor)와 계면활성제가 혼합된 용액을 도포함으로써 상기 광결정 입자들 사이로 상기 용액을 채우는 단계; 및
상기 반도체 산화물을 결정화시키고, 상기 광결정 입자들 및 계면활성제를 제거하는 단계;를 포함하는 역전 광결정 구조체의 제조방법
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제 7 항에 있어서,
상기 반도체 산화물의 결정화에 의해 형성된 역전 광결정 구조체 내에는 상기 광결정 입자들의 제거에 의해 다수의 제1 기공이 형성되고, 상기 계면활성제의 제거에 의해 다수의 제2 기공이 형성되는 역전 광결정 구조체의 제조방법
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제 8 항에 있어서,
상기 제2 기공들은 상기 제1 기공들 각각의 내벽에 형성되는 역전 광결정 구조체의 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 광결정 입자들은 200nm ~ 400nm의 평균 직경을 가지는 역전 광결정 구조체의 제조방법
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제 7 항에 있어서,
상기 광결정 입자들은 PMMA(poly(methyl methacrylate)), 폴리스티렌(poly styrene) 또는 실리카(silica)로 이루어지는 역전 광결정 구조체의 제조방법
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제 11 항에 있어서,
상기 광결정 입자들이 PMMA 또는 폴리스티렌으로 이루어지는 경우, 상기 반도체 산화물의 결정화와, 상기 광결정 입자들 및 계면활성제의 제거는 열처리에 의해 수행되는 역전 광결정 구조체의 제조방법
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제 11 항에 있어서,
상기 광결정 입자들이 실리카로 이루어지는 경우, 상기 반도체 산화물의 결정화 및 계면활성제의 제거는 열처리에 의해 수행되며, 상기 광결정 입자들의 제거는 에칭액에 의해 수행되는 역전 광결정 구조체의 제조방법
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투명한 도전성 기판;
상기 투명한 도전성 기판 상에 형성되는 것으로, TiO2를 포함하는 광흡수층; 및
상기 광흡수층 상에 형성되는 것으로, 광결정 구조로 규칙적으로 배열된 다수의 제1 기공과, 상기 제1 기공들의 내벽에 형성되는 것으로 나노 크기를 가지는 다수의 제2 기공을 포함하는 역전 광결정 구조를 가지며, TiO2를 포함하는 광산란층;을 구비하는 염료감응 태양전지
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제 14 항에 있어서,
상기 제1 기공은 200nm ~ 400nm의 평균 직경을 가지며, 상기 제2 기공은 2nm ~ 6nm의 평균 직경을 가지는 염료감응 태양전지
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제 14 항에 있어서,
상기 광산란층은 50 ~ 100 m2/g의 비표면적을 가지는 염료감응 태양전지
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제 14 항에 있어서,
상기 광산란층은 2㎛ ~ 10㎛의 두께를 가지는 염료감응 태양전지
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제 14 항에 있어서,
상기 광흡수층은 나노결정성(nanocrystalline) TiO2 막으로 이루어지는 염료감응 태양전지
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투명한 도전성 기판 상에 TiO2를 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계;
상기 광흡수층 상에 규칙적으로 배열된 다수의 광결정 입자들을 형성하는 단계;
상기 광결정 입자들 상에 TiO2 전구체와 계면활성제가 혼합된 용액을 도포함으로써 상기 광결정 입자들 사이로 상기 용액을 채우는 단계; 및
상기 TiO2를 결정화시키고, 상기 광결정 입자들 및 계면활성제를 제거함으로써 광산란층을 형성하는 단계;를 포함하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 19 항에 있어서,
상기 광흡수층은 상기 투명한 도전성 기판 상에 TiO2 나노입자들을 포함하는 패이스트(paste)를 도포함으로써 형성되는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 19 항에 있어서,
상기 광산란층 내에 상기 광결정 입자들의 제거에 의해 다수의 제1 기공이 형성되고, 상기 계면활성제의 제거에 의해 다수의 제2 기공이 형성되는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 21 항에 있어서,
상기 제2 기공들은 상기 제1 기공들 각각의 내벽에 형성되는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 22 항에 있어서,
상기 제1 기공은 200nm ~ 400nm의 평균 직경을 가지도록 형성되며, 상기 제2 기공은 2nm ~ 6nm의 평균 직경을 가지도록 형성되는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 19 항에 있어서,
상기 광결정 입자들은 PMMA(poly(methyl methacrylate)), 폴리스티렌(poly styrene) 또는 실리카(silica)로 이루어지는 염료감응 태양전지의 제조방법
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