맞춤기술찾기

이전대상기술

산소 플라즈마 및 열처리를 이용한 ITO 표면처리방법 및이 방법에 의해 제조된 OLED 소자

  • 기술번호 : KST2015144643
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 우수한 도전성(Conductivity)과 높은 일함수(Work function) 그리고 뛰어난 투명도(Transparency)를 가지고 있어 디스플레이 산업에서 투명 전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물(Indium-Tin-Oxide:ITO)의 표면처리에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 본 발명은 산소 플라즈마 그리고 동시에 산소 플라즈마 분위기 속에서의 열처리를 이용한 ITO 표면처리 방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 OLED 소자의 특성향상에 관한 것이다. 산소 플라즈마 공정 중에 열처리 공정을 추가하면 반응성이 높은 활성화된 산소 라디칼이나 원자, 분자들이 ITO 표면에 높은 에너지로 조사되고 ITO 표면에 전기 음성도가 큰 마이너스 전하를 띄는 산소를 흡착 시킨다. 결국 Anode(양극) 전극을 통하여 들어온 Mobility가 큰 홀(Hole)은 마이너스 전하를 띄는 흡착된 산소에 의해 HTL과 EML 사이에 축적되고 축적된 플러스 전하는 음극의 전자를 끌어당기는 역할을 하게 되어 홀과 전자의 수가 균형을 맞추게 됨으로써 홀과 전자의 결합이 효율적으로 이루어져 OLED 소자의 성능향상을 가져온다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020060029823 (2006.03.31)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0765728-0000 (2007.10.02)
공개번호/일자 10-2007-0098314 (2007.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20071011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.03.31)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 채희엽 대한민국 경기 안양시
2 장선기 대한민국 대전시 중구
3 이재원 대한민국 경기도 안양시 동안구
4 정동훈 대한민국 충남 천안시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남상선 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0230278-68
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0135995-16
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0357232-03
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0434671-62
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0515655-64
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0515654-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
8 등록결정서
Decision to grant
2007.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0529478-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 필름의 표면을 RF 플라즈마 챔버에서 산소 플라즈마에 의한 처리 중에 열처리를 수행하며, 상기 열처리는 1분 내지 3분 동안 별도의 가열원에 의해 400℃ 내지 600℃ 범위의 온도로 상승시킴으로써 수행되는 인듐 주석 산화물(ITO) 표면 처리 방법
2 2
제 1항에 있어서, 산소 플라즈마 처리시 RF 플라즈마 챔버의 압력은 0
3 3
삭제
4 4
제 2항에 있어서, RF 플라즈마 챔버에 가해지는 RF 파워는 30 내지 70W인 것을 특징으로 하는 인듐 주석 산화물(ITO) 표면 처리 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 열처리는 산소 플라즈마에 의한 처리 개시 1분 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 인듐 주석 산화물(ITO) 표면 처리 방법
6 6
제 1항, 제 2항, 제 4항 및 제 5항 중의 어느 한 항에 있어서, 인듐 주석 산화물(ITO)의 표면 처리 방법은 유기 발광 소자 제조에 이용되는 것을 특징으로 하는 인듐 주석 산화물(ITO) 표면 처리 방법
7 7
인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어진 양극(2), 정공을 전달하는 정공 수송층(Hole Transporting Layer:HTL)(4), 정공과 전자가 결합하는 발광층(Emitting Layer:EML)(5), 버퍼층(Buffer Layer;LiF)(6) 및 음극(7)을 순차적으로 포함하는 OLED 소자로서, 상기 인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어진 양극(2)과 상기 정공 수송층(4) 사이에 위치한 상기 인듐 주석 산화물(ITO)로 이루어진 양극(2)의 일부 또는 전부에는 제 1항에 따라 산소 플라즈마 처리와 동시에 열처리가 이루어진 부분(3)이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 OLED 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.